一种芯片级led光源模组的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型属于LED技术领域，具体涉及一种芯片级LED光源模组。
【背景技术】
[0002]白光LED芯片是采用Chip Scale Package (以下简称为“CSP”)技术实现的可以直接发白光的LED芯片，该类芯片具有体积小、发光角度大、可耐大电流驱动、制造成本低、方便下游客户灯具设计等优点。
[0003]当前LED白光芯片的普遍结构特征包括:倒装芯片结构，电极设置在底部，正上表面和4个侧面均包覆荧光粉。正上表面和四个侧面的荧光粉层普遍采用Molding和压合半固化的荧光片工艺来实现的，正上表面和四个侧面的荧光粉层是相同材料一体成型的结构。
[0004]但是，该结构的LED白光芯片存在以下缺陷:一、在受到外界的机械作用下容易遭受到破坏；二、不利热量传导。
[0005]专利号为US 8273587B2公开了一种在芯片与基板间底部填充物，加固芯片与基板的结合力。公开号为US 20140138725 A1公开了一种倒装芯片贴在荧光薄膜上，并在芯片间填入反光胶制作芯片级光源的方法。
【实用新型内容】
[0006]本实用新型的目的在于提供一种芯片级LED光源模组，该芯片级LED光源模组具有很好的机械强度，从而避免了在应用过程中外部胶体易遭受破坏的情况的发生，并且导热性能好、光效尚。
[0007]为了实现上述实用新型目的，本实用新型所采用的技术方案如下:
[0008]—种芯片级LED光源模组，包括一 PCB电路板、至少一个芯片级LED光源、用以围住所述芯片级LED光源的侧壁的围堰和一次光学元件；所述芯片级LED光源设置在所述PCB电路板上，与所述PCB电路板电性连接；所述围堰设置在所述PCB电路板上，与所述芯片级LED光源的侧壁连接；所述一次光学元件设置在所述围堰上。
[0009]作为一种具体的实施例，所述围堰由反光材料制成。
[0010]进一步地，所述围堰由反射率大于95%的有机硅反光材料制成。
[0011]进一步地，所述围堰采用模具注射、压合、或模具注射和压合组合的成型工艺设置在所述PCB电路板上。
[0012]作为一种具体的实施例，所述芯片级LED光源包括有倒装型LED芯片、设置在所述倒装型LED芯片上的光转换层。
[0013]其中，所述倒装型LED芯片包括外延衬底层、生长于所述外延衬底层上表面的N型氮化镓层、生长于N型氮化镓层部分上表面的发光层、及生长于N型氮化镓层部分上表面的N型欧姆接触层，还包括生长于发光层上表面的P型氮化镓层、生长于P型氮化镓层部分上表面的P型欧姆接触层，在P型氮化镓层、P型欧姆接触层、N型氮化镓层和N型欧姆接触层上表面设置有绝缘层，在对应于P型欧姆接触层上表面的绝缘层上开设有第一通孔，在对应于N型欧姆接触层上表面的绝缘层上开设有第二通孔，在绝缘层上表面设有互相分离的P电极键合层和N电极键合层，所述P电极键合层贯穿第一通孔与P型欧姆接触层电连接，所述N电极键合层贯穿第二通孔与N型欧姆接触层电连接。
[0014]优选地，所述光转换层设置在所述外延衬底层的上方；所述围堰呈柱状或类反光杯状。
[0015]优选地，所述光转换层设置在所述外延衬底层的上方和倒装LED芯片的侧壁；所述围堰包括有侧围部、与所述侧围部连接的延伸部；所述延伸部设置在所述芯片级LED光源与所述PCB电路板的底部连接处；所述侧围部与所述芯片级LED光源的侧壁连接；所述侧围部呈柱状或类反光杯状。
[0016]作为一种具体的实施例，所述一次光学元件由透明胶材制成，所述透明胶材为有机硅、环氧、丙烯酸、聚氨酯中的一种；所述一次光学元件通过点胶、模具注射、压合、或模具注射和压合组合的成型工艺设置在所述围堰上。
[0017]作为一种具体的实施例，所述一次光学元件的形状为半球形、方形、椭圆形、菲涅尔形、蜂窝形、花生形、圆锥形、正六边形、柿饼形中的一种。
[0018]进一步地，所述芯片级LED光源与所述PCB电路板焊接的焊料的材质为Au_Sn、Sn-Ag-Cu、Sn_Ag、Sn_Cu、Sn-Ag-B1、Sn-Ag-B1-1n、Sn_Zn、Sn-Zn-Bi 中的一种。
[0019]本实用新型提供的技术方案具有如下有益效果:
[0020]本实用新型的芯片级LED光源模组，通过将芯片级光源与PCB板结合后，进一步的在结合处添加发光材料，并成型形成围堰，不仅能够提升白光LED芯片的发光效率、导热性能，而且使得芯片级LED光源模组具有很好的机械强度，能够很好的解决芯片级白光LED因受到外部的机械冲击发生破坏的问题。
[0021]进一步地，可以在围堰中成型光学透镜，实现一次光学元件，实现配光。
【附图说明】
[0022]图1是倒装型LED芯片的结构示意图；
[0023]图2是芯片级LED光源的第一种实施例的结构示意图；
[0024]图3是将图2中的芯片级LED光源焊接在PCB电路板上后的结构示意图；
[0025]图4是在图3的基础上成型围堰后的结构示意图；
[0026]图5是在图4的基础上成型一次光学元件后的结构示意图，也即芯片级LED光源模组的第一种实施例的结构示意图；
[0027]图6是芯片级LED光源模组的第二种实施例的结构示意图；
[0028]图7是芯片级LED光源模组的第三种实施例的结构示意图；
[0029]图8是芯片级LED光源的第二种实施例的结构示意图；
[0030]图9是芯片级LED光源模组的第四种实施例的结构示意图。
【具体实施方式】
[0031]为了充分地了解本实用新型的目的、特征和效果，以下将结合附图对本实用新型的构思、具体结构及产生的技术效果作进一步说明。
[0032]实施例1
[0033]如图5所示，为本实施例提供一种芯片级LED光源模组1，包括一 PCB电路板10、至少一个芯片级LED光源20、围堰30和一次光学元件40 ;所述芯片级LED光源20设置在所述PCB电路板10上，与所述PCB电路板10电性连接；所述围堰30设置在所述PCB电路板10上，与所述芯片级LED光源20的侧壁连接，用以围住所述芯片级LED光源20的侧壁；所述一次光学元件40设置在所述围堰30上。
[0034]其中，所述PCB电路板10包括铝基印刷电路、陶瓷基电路板、高分子柔性电路板等中的一种或复合型电路板。
[0035]如图2所示，为本实施例芯片级LED光源20的结构示意图。所述芯片级LED光源20包括有倒装型LED芯片21、设置在所述倒装型LED芯片21上的光转换层22。
[0036]其中，如图1所示(下文中所称的“上表面”均以图1所示为准)，所述倒装型LED芯片21包括外延衬底层201、生长于所述外延衬底层201上表面的N型氮化镓层202、生长于N型氮化镓层202部分上表面的发光层203、及生长于N型氮化镓层202部分上表面的N型欧姆接触层207，还包括生长于发光层203上表面的P型氮化镓层204、生长于P型氮化镓层204部分上表面的P型欧姆接触层205，在P型氮化镓层204、P型欧姆接触层205、N型氮化镓层202和N型欧姆接触层207上表面设置有绝缘层206，在对应于P型欧姆接触层205上表面的绝缘层206上开设有第一通孔210，在对应于N型欧姆接触层207上表面的绝缘层206上开设有第二通孔211，在绝缘层206上表面设有互相分离的P电极键合层208和N电极键合层209，所述P电极键合层408贯穿第一通孔210与P型欧姆接触层205电连接，所述N电极键合层209贯穿第二通孔211与N型欧姆接触层207电连接。
[0037]所述光转换层22设置在所述倒装LED芯片21的上方和侧壁，具体地，所述光转换层22设置在所述外延衬底层201的上方和倒装LED芯片21的侧壁(所称的“上方”均以图2所示为准)。
[0038]如图4所示，所述围堰30包括有侧围部301、与所述侧围部301连接的延伸部302 ；所述延伸部302设置在所述芯片级LED光源20与所述PCB电路板10的底部连接处，其位置如图3所示，在倒装LED芯片21侧壁处的光转换层22下方，与PCB电路板10之间的间隙。所述侧围部301与