一种石墨烯导电薄膜的制作方法

文档序号:10140698阅读:474来源:国知局
一种石墨烯导电薄膜的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及导电材料技术领域,具体为一种可应用于触摸式屏幕的透明导电膜。
【背景技术】
[0002]ΙΤ0 (铟锡氧化物)透明导电膜是用途很广的一种半导体功能薄膜材料,广泛应用于触摸屏、平板显示、光伏器件、电磁屏蔽等领域,特别在电容式触摸屏领域的应用快速增长,触摸屏作为目前最简单、方便、自然的一种人机交互方式赋予了信息交互崭新的面貌,是极富吸引力的全新信息交互设备。
[0003]然而,现有技术中,其导电膜结构过于简单,其在常温或低温(20°C以下)条件下沉积的ΙΤ0膜是非晶结构,沉积的ΙΤ0导电膜可见光透过低,设置于触摸屏下时画面通常偏暗,同时,锡(Sn)掺杂效果差,导致电阻率高,影响触屏的操纵感,同时,热稳定性和耐化学性能也欠佳,在长时间使用后导电层容易断裂引起电阻值变化,从而导致触点飘逸或者操作无反应。
【实用新型内容】
[0004]本实用新型所解决的技术问题在于提供一种石墨烯导电薄膜,以解决上述【背景技术】中的缺点。
[0005]本实用新型所解决的技术问题采用以下技术方案来实现:
[0006]—种石墨烯导电薄膜,包括基材层、保护层和石墨烯层,所述石墨烯层成型在基材层表面上,而功能层则成型在石墨烯层表面并在上部通过保护层封闭保护,所述功能层整体为菱形网格纹结构,包括ΙΤ0膜,ΙΤ0膜上依次成型有一层折射率为2.5-3.0的高折射率无机介质膜和一层折射率小于1.5的低折射率无机介质膜。
[0007]在本实用新型中,基材层是玻璃或高透型PET材料。
[0008]在本实用新型中,所述石墨烯层采用单原子石墨烯层或者双原子石墨烯层直接成型。
[0009]在本实用新型中,所述功能层菱形网格纹的长对角线与短对角线的长度之比为2:1 ?2.5:1ο
[0010]在本实用新型中,所述高折射率无机介质膜的厚度为20~30nm,而低折射率无机介质膜的厚度为50~70nmo
[0011]有益效果:本实用新型的石墨烯导电薄膜在常温20°C下沉积的膜电阻率较之常规ΙΤ0膜降低40%以上,可见光透过率提高约5%,热稳定性和耐化学性都有明显提高,阻抗明显变小,其在应用于中小型触摸屏时表现得尤为明显,而石墨烯构成的导电层显著减小了导电薄膜的厚度,增加了导电薄膜的透光性和柔韧性。
【附图说明】
[0012]图1为本实用新型较佳实施例的切面示意图。
[0013]图2为本实用新型较佳实施例去掉保护层后的立体图。
[0014]其中:1、基材层;2、石墨稀层;3、ΙΤ0膜;4、高折射率无机介质膜;5、低折射率无机介质膜;6、保护层。
【具体实施方式】
[0015]为了使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解,下面结合具体图示,进一步阐述本实用新型。
[0016]参见图1和图2的一种石墨烯导电薄膜的较佳实施例,在本实施例中,包括基材层1,在本实施例中,基材层1为高透型PET材料成型,其上成型有一层单原子的石墨烯层2,而在石墨烯层2上成型有功能层,功能层在石墨烯层2上呈菱形网格纹,此菱形网格纹的长对角线与短对角线的长度之比为2:1,功能层整体为多层结构,自下而上依次为ΙΤ0膜3、高折射率无机介质膜4以及低折射率无机介质膜5,保护层6成型在低折射率无机介质膜5外表面上,为铜镍合金,其厚度为lOOnm。
[0017]在本实施例中,高折射率无机介质膜4的折射率为2.8,厚度为30nm,而低折射率无机介质膜5的低折射率为1.2,厚度为50nm。
[0018]以上显示和描述了本实用新型的基本原理、主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解,本实用新型不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理,在不脱离本实用新型精神和范围的前提下,本实用新型还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
【主权项】
1.一种石墨烯导电薄膜,其特征在于,包括基材层、保护层和石墨烯层,所述石墨烯层成型在基材层表面上,功能层成型在石墨烯层表面并在上部通过保护层封闭保护,所述功能层整体为菱形网格纹结构,包括ITO膜,ITO膜上依次成型有一层折射率为2.5-3.0的高折射率无机介质膜和一层折射率小于1.5的低折射率无机介质膜。2.根据权利要求1所述的一种石墨烯导电薄膜,其特征在于,所述石墨烯层采用单原子石墨烯层或者双原子石墨烯层直接成型。3.根据权利要求1所述的一种石墨烯导电薄膜,其特征在于,所述功能层菱形网格纹的长对角线与短对角线的长度之比为2:1-2.5:1。4.根据权利要求1所述的一种石墨烯导电薄膜,其特征在于,所述高折射率无机介质膜的厚度为20~30nmo5.根据权利要求1所述的一种石墨烯导电薄膜,其特征在于,所述低折射率无机介质膜的厚度为50~70nmo
【专利摘要】一种石墨烯导电薄膜,包括基材层、保护层和石墨烯层,所述石墨烯层成型在基材层表面上,功能层成型在石墨烯层表面并在上部通过保护层封闭保护,所述功能层整体为菱形网格纹结构,包括ITO膜,ITO膜上依次成型有一层折射率为2.5~3.0的高折射率无机介质膜和一层折射率小于1.5的低折射率无机介质膜。本实用新型具有高灵敏度、轻薄、高透光率以及高电导率等优点,且热稳定性和耐化学性相对于传统ITO膜都有明显提高。
【IPC分类】H01B5/14
【公开号】CN205050571
【申请号】CN201520823780
【发明人】夏燎原
【申请人】中南林业科技大学
【公开日】2016年2月24日
【申请日】2015年10月23日
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1