一种超薄形sod123fl封装二极管用料片的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种超薄形S0D123FL封装二极管用料片，属于半导体贴片二极管封装技术领域。
【背景技术】
[0002]新型电子元器件的封装正向片式化、微型化、薄性化、低功耗化发展，S0D123FL封装形式是这一趋势最典型的代表，将逐步取代轴向二极管和SMA封装形式。
[0003]S0D123FL大多选用条状料片，采用手工刮板刮锡膏，手工吸盘倒填装芯片，手工阻焊的工艺进行阻焊，其效率低、精度差、良品率低等缺点。因此，需要一种新的技术方案来解决上述问题。
【实用新型内容】
[0004]本实用新型提供一种超薄形S0D123FL封装二极管用料片，其采用矩阵两片式结构，利用其生产的S0D123FL产品具有超薄的特点，可设计在线路正反两面，便于线路板的小型化；同时，利用其生产S0D123FL产品的工作效率高、能够节约铜的用量和节约用工成本。
[0005]本实用新型采用的技术方案是:
[0006]一种超薄形S0D123FL封装二极管用料片，其包括上框架和下框架，所述上框架和下框架组成矩阵型两片式料片结构，所述上框架包括两个平行设置的上框架纵向筋料和若干个上框架横向筋料，若干个上框架横向筋料相互平行设置在两个上框架纵向筋料之间，每个所述上框架横向筋料上均对称设置有若干个上载片，所述上载片包括GPP芯片P极接触面和二极管P极引线；所述下框架包括两个平行设置的下框架纵向筋料和个数与上框架横向筋料相同的下框架横向筋料，所述下框架横向筋料相互平行设置在两个下框架纵向筋料之间，所述下框架横向筋料上设置有与每个上载片相对应的下载片，所述下载片包括GPP芯片N极接触面和二极管N极引线。
[0007]进一步的，其中一个上框架纵向筋料以及与其相对应的下框架纵向筋料上均交错设置有定位销圆孔和定位销椭圆孔，另一个上框架纵向筋料以及与其相对应的下框架纵向筋料上均设置有防呆定位销圆孔。
[0008]进一步的，所述上框架横向筋料有12个。
[0009]本实用新型的优点是:采用矩阵两片式结构，利用其生产的S0D123FL产品具有超薄的特点，可设计在线路正反两面，便于线路板的小型化；同时，利用其生产S0D123FL产品的工作效率高、能够节约铜的用量和节约用工成本。
【附图说明】
[0010]图1为上框架的结构示意图。
[0011]图2为下框架的结构示意图。
[0012]其中:1、上框架纵向筋料，2、上框架横向筋料，3、上载片，4、GPP芯片P极接触面，5、二极管P极引线，6、下框架纵向筋料，7、下框架横向筋料，8、下载片，9、GPP芯片N极接触面，10、二极管N极引线，11、定位销圆孔，12、定位销椭圆孔，13、防呆定位销圆孔。
【具体实施方式】
[0013]如图1和图2所示，一种超薄形S0D123FL封装二极管用料片，其包括上框架和下框架，上框架和下框架组成矩阵型两片式料片结构，上框架包括两个平行设置的上框架纵向筋料1和12个上框架横向筋料2，12个上框架横向筋料2相互平行设置在两个上框架纵向筋料1之间，每个上框架横向筋料2上均对称设置有24个上载片3，上载片3包括GPP芯片P极接触面4和二极管P极引线5 ;下框架包括两个平行设置的下框架纵向筋料6和个数与上框架横向筋料相同的下框架横向筋料7，下框架横向筋料7相互平行设置在两个下框架纵向筋料6之间，在下框架横向筋料7上设置有与每个上载片相对应的下载片8，下载片8包括GPP芯片N极接触面9和二极管N极引线10。在其中一个上框架纵向筋料1以及与其相对应的下框架纵向筋料6上均交错设置有定位销圆孔11和定位销椭圆孔12，在另一个上框架纵向筋料1以及与其相对应的下框架纵向筋料6上均设置有防呆定位销圆孔13。
【主权项】
1.一种超薄形S0D123FL封装二极管用料片，其包括上框架和下框架，其特征在于:所述上框架和下框架组成矩阵型两片式料片结构，所述上框架包括两个平行设置的上框架纵向筋料和若干个上框架横向筋料，若干个上框架横向筋料相互平行设置在两个上框架纵向筋料之间，每个所述上框架横向筋料上均对称设置有若干个上载片，所述上载片包括GPP芯片P极接触面和二极管P极引线；所述下框架包括两个平行设置的下框架纵向筋料和个数与上框架横向筋料相同的下框架横向筋料，所述下框架横向筋料相互平行设置在两个下框架纵向筋料之间，所述下框架横向筋料上设置有与每个上载片相对应的下载片，所述下载片包括GPP芯片N极接触面和二极管N极引线。2.根据权利要求1所述的一种超薄形S0D123FL封装二极管用料片，其特征在于:其中一个上框架纵向筋料以及与其相对应的下框架纵向筋料上均交错设置有定位销圆孔和定位销椭圆孔，另一个上框架纵向筋料以及与其相对应的下框架纵向筋料上均设置有防呆定位销圆孔。3.根据权利要求1所述的一种超薄形S0D123FL封装二极管用料片，其特征在于:所述上框架横向筋料有12个。
【专利摘要】本实用新型公开了一种超薄形SOD123FL封装二极管用料片，其包括上框架和下框架，所述上框架和下框架组成矩阵型两片式料片结构，所述上框架包括两个平行设置的上框架纵向筋料和若干个上框架横向筋料，若干个上框架横向筋料相互平行设置在两个上框架纵向筋料之间，每个所述上框架横向筋料上均对称设置有若干个上载片，所述上载片包括GPP芯片P极接触面和二极管P极引线；所述下框架包括两个平行设置的下框架纵向筋料和个数与上框架横向筋料相同的下框架横向筋料，所述下框架横向筋料相互平行设置在两个下框架纵向筋料之间，所述下框架横向筋料上设置有与每个上载片相对应的下载片，所述下载片包括GPP芯片N极接触面和二极管N极引线。
【IPC分类】H01L23/495
【公开号】CN205050831
【申请号】CN201520844884
【发明人】杨海林, 葛正林, 张飞
【申请人】杨海林
【公开日】2016年2月24日
【申请日】2015年10月26日