一种硅片承载基座及原子层沉积设备的制造方法

文档序号:10159158阅读:653来源:国知局
一种硅片承载基座及原子层沉积设备的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型属于半导体集成电路制造设备技术领域,涉及一种硅片承载基座及原子层沉积设备。
【背景技术】
[0002]在半导体集成电路工业中,随着半导体器件集成度的持续增加以及与这些器件相关的临界尺寸的持续减小,很多新的材料和工艺被运用到器件制造工艺中。例如,传统的CVD沉积技术已很难有效地精确控制薄膜特性及满足日益严苛的工艺技术要求,原子层沉积技术(Atomic Layer Deposit1n ;ALD)被广泛运用,原子层沉积是一种可以将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面的方法,可以通过控制反应周期数简单精确地控制薄膜的厚度,形成达到原子层厚度精度的薄膜;其生长的薄膜没有针孔、均匀、且对薄膜图形的保形性极好。
[0003]然而,采用原子层沉积技术淀积薄膜时,由于原子层沉积设备本身的缺陷,反应气体会从硅片的上表面流动至硅片的背面,从而导致在硅片背面也会淀积一层薄膜(例如二氧化硅等),而且硅片背面的薄膜均匀性较差,硅片背面存在的不均匀薄膜会导致后续的光刻工艺无法对准,从而影响光刻工艺的进行。
[0004]当前,为了解决该问题,通常做法是在硅片背面形成不均匀薄膜后,增加一道背清洗工艺,把硅片背面的多余薄膜去除。但由于硅片背面生长的薄膜的厚度无法控制,从而导致背清洗的工艺时间也无法控制,背清洗工艺时间过长,会把硅片表面的介质膜也清洗掉;背清洗时间过短,又不能把硅片背面多余的薄膜去除干净,无法达到理想的清洗效果,而且,后续增加的背清洗工艺同时会导致生产成本的增加以及流片周期的延长。
[0005]因此,本领域技术人员亟需提供一种防止硅片背面生长薄膜的硅片承载基座及原子层沉积设备。
【实用新型内容】
[0006]本实用新型所要解决的技术问题是提供一种防止硅片背面生长薄膜的硅片承载基座及原子层沉积设备。
[0007]为了解决上述技术问题,本实用新型提供了一种硅片承载基座,用于将硅片固定于原子层沉积设备的淀积腔中,包括:基座本体,设于硅片下方,所述基座本体上具有多个用于承载硅片的支撑件,所述硅片的下表面与基座本体的上表面具有预设间距;气体供应管道,所述气体供应管道为多个,自底部贯通所述基座本体向硅片背面与基座本体上表面之间吹送气体,以阻止反应气体流动至硅片背面,所述气体供应管道上具有用于控制所述气体供应管道启闭的控制阀;以及气体供应源,与所述气体供应管道连接,用于向所述气体供应管道输送气体。
[0008]优选的,所述气体供应管道上具有气体流量调节器,用于调节所述气体供应管道输送的气体流量大小。
[0009]优选的,所述气体供应管道至少为四根,且均匀分布于所述基座本体的圆周方向。
[0010]优选的,所述气体供应管道的供应口与所述基座本体的上表面在同一平面。
[0011]优选的,所述气体供应管道距所述基座本体的边缘3?15mm。
[0012]优选的,所述气体供应管道的直径为3?5mm。
[0013]优选的,所述气体供应管道的横截面为圆形、椭圆形、矩形或不规则形。
[0014]优选的,所述气体供应管道的材质为不锈钢或钛。
[0015]优选的,所述气体供应管道与基座本体为一体成型结构。
[0016]本实用新型还提供一种原子层沉积设备,包括淀积腔,所述淀积腔中设有上述所述的硅片承载基座,用于将晶片固定于所述淀积腔中进行沉积工艺。
[0017]与现有的方案相比,本实用新型提供了一种硅片承载基座及原子层沉积设备,通过在原子层沉积设备的基座本体上增设气体供应管道,从而向硅片背面与基座本体之间吹送气体,以阻止反应气体流动至硅片背面,进而防止硅片背面薄膜的生成;本实用新型省略了现有的背清洗工艺,避免由于背清洗工艺导带来的潜在的工艺风险,降低了生产成本,同时提尚了广能。
【附图说明】
[0018]为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0019]图1是本实用新型中硅片承载基座的平面结构示意图;
[0020]图2是本实用新型中硅片承载基座的剖面结构示意图。
【具体实施方式】
[0021]为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本实用新型的实施方式作进一步地详细描述。本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本实用新型的其他优点与功效。本实用新型还可以通过另外不同的【具体实施方式】加以实施或应用,本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用,在没有背离本实用新型的精神下进行各种修饰或改变。
[0022]上述及其它技术特征和有益效果,将结合实施例及附图对本实用新型的硅片承载基座及原子层沉积设备进行详细说明。图1是本实用新型中硅片承载基座的平面结构示意图;图2是本实用新型中硅片承载基座的剖面结构示意图。
[0023]如图1、2所示,本实用新型提供了一种硅片承载基座,用于将硅片60固定于原子层沉积设备的淀积腔中,包括基座本体10、气体供应管道20以及气体供应源30,其中,基座本体10设于硅片60下方,基座本体10上具有多个用于承载硅片的支撑件11,硅片60的下表面与基座本体10的上表面具有预设间距;气体供应管道20为多个,自底部贯通基座本体10向硅片60背面与基座本体10上表面之间吹送气体,以阻止反应气体流动至硅片6
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