基于纳米表面处理封装贴片发光二极管的制作方法

文档序号:10159222阅读:390来源:国知局
基于纳米表面处理封装贴片发光二极管的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及涉及LED发光芯片领域,尤其涉及一种基于纳米表面处理封装贴片发光二极管。
【背景技术】
[0002]贴片发光二极管由于低能耗、发光效率高、绿色环保,在照明产业和显示领域广泛使用。目前市场上出现的LED芯片主要是技术参数由有芯片制造商提供,用户采购芯片一般直接使用,在封装前对LED芯片不进行任何处理,直接把芯片封装,而在封装后通光学、散热等物理技术处理来提高发光效率,由于封装后在采用物理技术提高发光效率的同时,也造成LED光污染,产生色差及发光一致性变异,而且封装后提高发光光效,成本较高。其传统的封装后对光效提高模式已经不能满足在高效节能而且应用成本低的市场需求。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型的目的在于提供一种基于纳米表面处理封装贴片发光二极管,以解决上述技术问题。
[0004]本实用新型所要解决的技术问题采用以下技术方案来实现:
[0005]—种基于纳米表面处理封装贴片发光二极管,其特征在于:由荧光粉芯片、BT板、硅胶三部分构成,荧光粉芯片固定在BT板上,在BT板和荧光粉芯片之间填充硅胶进行封装,所述荧光粉芯片为规格为35*35mm的蓝光芯片,所述荧光粉芯片的上表面涂覆有纳米金属颗粒层,所述荧光粉芯片连接有第一组引脚和第二组引脚,其中第一组引脚作为各行芯片的公共正电压控制脚,第二组引脚作为负极控制引脚。
[0006]所述荧光粉芯片与BT板之间通过硅胶间隔压模成型包括。
[0007]所述荧光粉芯片与BT板之间的硅胶间隔填充,填充的硅胶固化后成S型。
[0008]本实用新型的有益效果是:
[0009]本实用新型大大提高了发光效率,可以达到由目前的每瓦120流明提高到每瓦210流明,芯片上表面涂覆的纳米金属颗粒层,可使发光一致性高、减少封装后处理材料成本,一次性封装成型,增加产品的可靠性,硅胶封装采用间隔式S型分布设计,热变化系数小,延长发光二极管使用寿命,进一步提搞了发光二极管发光效率。
【附图说明】
[0010]图1为本实用新型的结构示意图。
【具体实施方式】
[0011]为了使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解,下面结合具体实施例和附图,进一步阐述本实用新型,但下述实施例仅仅为本实用新型的优选实施例,并非全部。基于实施方式中的实施例,本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得其它实施例,都属于本发明的保护范围。
[0012]如图1所示,一种基于纳米表面处理封装贴片发光二极管,由荧光粉芯片1、BT板4、硅胶三部分构成,荧光粉芯1片固定在BT板4上,在BT板4和荧光粉芯片1之间填充硅胶进行封装,荧光粉芯片1为规格为35*35mm的蓝光芯片,荧光粉芯片1的上表面涂覆有纳米金属颗粒层5,荧光粉芯片1连接有第一组引脚3和第二组引脚2,其中第一组引脚3作为各行芯片的公共正电压控制脚,第二组引脚2作为负极控制引脚。
[0013]以上显示和描述了本实用新型的基本原理、主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解,本实用新型不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的仅为本实用新型的优选例,并不用来限制本实用新型,在不脱离本实用新型精神和范围的前提下,本实用新型还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
【主权项】
1.一种基于纳米表面处理封装贴片发光二极管,其特征在于:由荧光粉芯片、BT板、硅胶三部分构成,荧光粉芯片固定在BT板上,在BT板和荧光粉芯片之间填充硅胶进行封装,所述荧光粉芯片为规格为35*35mm的蓝光芯片,所述荧光粉芯片的上表面涂覆有纳米金属颗粒层,所述荧光粉芯片连接有第一组引脚和第二组引脚,其中第一组引脚作为各行芯片的公共正电压控制脚,第二组引脚作为负极控制引脚;所述荧光粉芯片与BT板之间的硅胶间隔填充,填充的硅胶固化后成S型。2.根据权利要求1所述的基于纳米表面处理封装贴片发光二极管,其特征在于:所述荧光粉芯片与BT板之间通过硅胶间隔压模成型包括。
【专利摘要】本实用新型提供一种基于纳米表面处理封装贴片发光二极管,涉及LED发光芯片领域,由荧光粉芯片、BT板、硅胶三部分构成,荧光粉芯片固定在BT板上,在BT板和荧光粉芯片之间填充硅胶进行封装,荧光粉芯片的上表面涂覆有纳米金属颗粒层,荧光粉芯片连接有第一组引脚和第二组引脚,其中第一组引脚作为各行芯片的公共正电压控制脚,第二组引脚作为负极控制引脚。本实用新型大大提高了发光效率,可以达到由目前的每瓦120流明提高到每瓦210流明,芯片上表面涂覆的纳米金属颗粒层,可使发光一致性高、减少封装后处理材料成本,一次性封装成型,增加产品的可靠性,硅胶封装采用间隔式S型分布设计,热变化系数小,延长发光二极管使用寿命。
【IPC分类】H01L33/48, H01L33/54, H01L33/44
【公开号】CN205069672
【申请号】CN201520674072
【发明人】杨振声
【申请人】安徽格锐特光电科技有限公司
【公开日】2016年3月2日
【申请日】2015年8月31日
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