电子器件的制作方法
【技术领域】
[0001 ] 本实用新型涉及电子器件，并且更具体地涉及包括集成电路的电子器件。
【背景技术】
[0002]随着电子器件变得相对较小，封装可能变得让人特别感兴趣。例如，低k夹层电介质(ILD)材料可以用于代替例如Si02ILD以减小互连延迟。
[0003]将低K ILD材料引入到硅中可能对高接线密度封装施加新的挑战。具体地，低k互连中固有的弱粘合使得硅更易发生通常可以称为ILD开裂或分层的故障。ILD开裂或分层引起电子器件的故障，例如，故障经常发生在温度循环试验期间。由特伦(Tran)等人在EPTC 2010中发表的题为“带有温度增强的球栅阵列(TE-PBGA)的低k硅中的封装挑占戈(Packaging Challenges in Low_k Silicon with Thermally Enhanced Ball GridArray (TE-PBGA)) ”的技术论文突出强调了低K ILD材料的问题。
[0004]如在特伦等人的技术论文中所描述的，已经确定了低k故障的一个原因是模具复合填充物在与模具浇口相对的裸片拐角中的不均匀分布。插入的散热器在传递模塑过程期间阻碍了模具复合物流动，这导致了在此拐角中更大的填充物损失。
【实用新型内容】
[0005]本公开的实施方式的目的是提供一种电子器件，以至少部分地解决现有技术中的上述问题。
[0006]一种制造电子器件的方法可以包括将集成电路(1C)裸片定位于在其下表面上具有多个连接的格栅阵列衬底的上表面上并且用多条键合接线将该1C裸片的多个对应的键合焊盘耦接至该格栅阵列。该方法还可以包括在该1C裸片和这些键合接线之上形成第一包封层并且在形成该第一包封层之后将散热器定位在该衬底上在该第一包封层上方。该方法可以进一步包括在该第一包封层之上形成第二包封层并且将该散热器嵌入在该第二包封层中。因而，该方法可以减少电子器件的故障，例如通过可以减少ILD开裂和分层的两步包封。
[0007]例如，该1C裸片可以是矩形形状的。形成该第一包封层可以包括将该第一包封层形成为延伸跨过并且覆盖在该矩形形状的1C裸片的每个拐角。
[0008]该第一和第二包封层可以各自包括相同的包封材料。在其他实施例中，该第一和第二包封层可以各自包括不同的包封材料。该1C裸片可以包括低k夹层电介质。
[0009]例如，形成该第一包封层可以包括将第一模具定位至该格栅阵列衬底上、用第一包封材料填充该第一模具、固化该第一包封材料、以及移除该第一模具。形成该第二包封层可以包括将第二模具定位至该格栅阵列衬底上、用第二包封材料填充该第二模具、固化该第二包封材料、以及移除该第二模具。例如，形成该第一包封层可以包括在该1C之上施加包封材料本体、以及固化该包封材料本体。
[0010]器件方面涉及一种可以包括格栅阵列衬底和集成电路(1C)裸片的电子器件，该格栅阵列衬底在其下表面上具有多个连接，该集成电路裸片在该格栅阵列衬底的上表面上并且具有多个键合焊盘。该电子器件还可以包括分别将这些键合焊盘耦接至该格栅阵列的多条键合接线、在该1C裸片和这些键合接线之上的具有第一包封材料的第一包封层、以及由该格栅阵列衬底承载于该第一包封层上方并且与该第一包封层间隔开的散热器。该电子器件可以进一步包括第二包封层，该第二包封层在该第一包封层之上具有不同于该第一包封材料的第二包封材料并且将该散热器嵌入在该第二包封层中。
[0011]根据实施例，所述集成电路裸片是矩形形状的，并且其中，所述第一包封层被形成为延伸跨过并且覆盖所述矩形形状的集成电路裸片的每个拐角
[0012]根据实施例，所述集成电路裸片包括低k夹层电介质。
[0013]在本公开的实施例中，第一和第二包封层的形成有利地可以提供包封材料在裸片的与模具浇口相对的那些拐角中的更均匀分布。
【附图说明】
[0014]图1A至图1I是在根据一个实施例的制造电子器件的方法制造电子器件时该电子器件的示意性截面视图。
[0015]图2A至图2G是在根据另一个实施例的制造电子器件的方法制造电子器件时该电子器件的示意性截面视图。
[0016]图3是根据一个实施例的电子器件的透视剖切视图。
【具体实施方式】
[0017]现在下文将参照这些附图对本实用新型进行更全面地描述，在附图中示出了本实用新型的优选实施例。然而，本实用新型可以用许多不同的形式体现，并且不应当被解释为受到在此所列出的实施例的限制。相反，提供这些实施例以便本披露将是彻底和完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达本实用新型的范围。贯穿全文相似的数字指代相似的元件，并且上撇号符号用于指示在替代实施例中的类似元件。
[0018]最初参考图1A至图1I，描述了一种制造电子器件20的方法。该方法包括将集成电路(1C)裸片21定位在格栅阵列衬底22的上表面23上。1C裸片21可以包括低k夹层电介质28并且说明性地具有矩形形状(图1A)。当然，1C裸片21可以具有相同或不同材料的其他和/或附加夹层，并且还可以具有不同的形状。
[0019]格栅阵列衬底22在其下表面24上具有多个连接25。格栅阵列衬底22说明性地是球栅阵列(BGA)衬底，并且更具体地是塑料球栅阵列衬底(PBGA)。当然，如本领域技术人员将认识到的那样，格栅阵列衬底22可以是另一种类型的衬底。
[0020]该方法包括用多条键合接线27将该1C裸片21的多个对应的键合焊盘26耦接至该格栅阵列衬底22 (图1B)。该方法还包括在该1C裸片21和这些键合接线27之上形成第一包封层30。将该第一包封层30形成为延伸跨过并覆盖该矩形形状的1C裸片21的每个拐角。
[0021]为了形成该第一包封层30，将第一模具31定位至该格栅阵列衬