一种金属陶瓷表贴封装二极管阵列板的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型属于半导体技术领域，具体的是一种金属陶瓷表贴封装二极管阵列板。
[0002]
【背景技术】
[0003]在需要处理多路逻辑信号或进行多路电流保护的电路中，一般需要在电路版上安装一排独立封装的二极管器件，每个二极管作为逻辑开关或整流与续流使用，在这种多通路信号传输电路中占用电路的整体空间过多，而各路之间的电性能一致性不好，影响了电路板的集成化与稳定性。采用进口的塑封集成器件时，工作的温度范围、湿度范围等环境条件受到限制。
[0004]本实用新型要解决的技术问题是提供一种可实现独立的八通路逻辑开关、半波整流、脉冲续流的功能，各通路开关性能良，结构紧凑、占用空间小、散热性好，可靠性高，可在恶劣环境下工作，的八路整流二极管阵列。
[0005]本实用新型涉及的八路整流二极管阵列，包括陶瓷金属化管底座、金属盖板，其中金属盖板与陶瓷金属化外壳封装构成管壳，在管壳上设置扁平外引线，其特殊之处是:在陶瓷金属化管底座上均设有八部分独立且平行排列的金属化区域，将八个硅整流二极管芯片通过导电胶分别粘接在对应的金属化区域上，用硅铝丝将硅整流二极管芯片与外引线的管壳腔体内部部分进行电气连接，管壳腔体内部采用AB胶进行填充。
[0006]本实用新型的有益效果是:
[0007]外壳内设有八部分独立的平行排列金属化区域，通过将八个硅整流二极管芯片封装在一个表贴式陶瓷金属化全密封外壳结构中，构成了八通路的二极管阵列，结构紧凑、占用空间小，散热性好，实现了独立的八通路逻辑开关、半波整流、脉冲续流的功能，在电路中可进行逻辑开关，或进行多路半波整流，或对电路进行续流保护;其中的硅整流二极管芯片具有耐压高、导通压降小、电流能力强的特点，产品的一致性与可靠性水平得到了进一步提高。可对国外的塑封器件进行功能替代，从而在高温、高湿、强震动的恶劣条件下正常工作；
[0008]芯片与管壳腔体采用导电胶进行粘接，保证芯片的高频开关特性一致性强。在完成内部电气连接后用AB胶填充管壳腔体，提高了产品内部的绝缘强度与耐压能力，灌封后的陶瓷金属化密封外壳保证了产品在恶劣环境下正常工作。
[0009]目前二极管封装外壳多为小电流或单芯片组低功率外壳，难以满足市场对二极管小型化、集成度、大电流、大功率及高可靠性的发展趋势。陶瓷-金属封装组件很好的糅合了这些趋势因素，因其结构可小型化、高可靠性以及优异的电、热性能的优点使其在二极管封装行业中获得了越来越多的应用，是二极管封装组件发展趋势之一。
[0010]传统的基于陶瓷-金属封装的二极管芯片外壳主要采用单芯片封装的方式，也就是说在一个陶瓷-金属外壳内只封装一个芯片。即使采用一个外壳内封装多个芯片，也存在成本高、可靠性低、灵活度低的问题。
【实用新型内容】
[0011]本实用新型的目的是为了解决上述问题，提出一种金属陶瓷表贴封装二极管阵列板。
[0012]—种金属陶瓷表贴封装二极管阵列板，所述阵列板包括，陶瓷框，框体内穿置微带线，框内侧设第一键合区，框外侧设引线；基板，设置在所述陶瓷框内侧底部，具有陶瓷基体，以及所述将所述陶瓷基体金属化的上侧表面和下侧表面，所述上侧表面形成多个隔离区以及第二键合区，所述隔离区用于容纳所述芯片;还包括热沉，用于放置所述陶瓷框与所述基板，其中，所述热沉与所述基板的所述下侧表面直接接触;所述基板的基体为高热导率的陶瓷基体，其下侧表面以及所述陶瓷框通过钎焊与所述热沉连接;还包括可伐焊环，所述可伐焊环通过钎焊固定在所述陶瓷框的上表面;所述微带线层厚度范围为15微米?20微米;所述陶瓷框以及所述基板的所述陶瓷基体为基于高温共烧陶瓷工艺一体成型。
[0013]将多个芯片与封装组件进行电连接包括用金丝将所述第一键合区与所述第二键合区进行电连接、用金丝将第二键合区与所述芯片封装组件的隔离区进行电连接中的一种或多种，通过金丝电连接所述第一键合区、二键合区或所述隔离区至所述微带线，通过所述微带线电连接至所述引线。
[0014]还包括将多个芯片进行电连接，具体为，用引线将多个所述第二键合区与多个所述第一键合区进行电连接，再用金丝将多个所述第二封装组件的键合区进行电连接。
[0015]在陶瓷基体上均设有八部分独立且平行排列的金属化区域，将八个硅整流二极管芯片通过导电胶分别粘接在对应的金属化区域上，用硅铝丝将硅整流二极管芯片与外引线的管壳腔体内部部分进行电气连接，管壳腔体内部采用AB胶进行填充。
[0016]所述陶瓷基板由碳、碳化硅、氮化硅、氧化铝和硅复合而成，所述基板由外而内共有5层，分别是硅层、氮化硅层、碳化硅层、碳层和氧化铝基体层，每层的厚度为0.5-3_。
【附图说明】
[0017]图1是基板的结构示意图。
[0018]其中，11是娃层、12是氣化娃层、13是碳化娃层、14是碳层、15是氧化招基体层。
【具体实施方式】
[0019]—种金属陶瓷表贴封装二极管阵列板，所述阵列板包括，陶瓷框，框体内穿置微带线，框内侧设第一键合区，框外侧设引线；基板，设置在所述陶瓷框内侧底部，具有陶瓷基体，以及所述将所述陶瓷基体金属化的上侧表面和下侧表面，所述上侧表面形成多个隔离区以及第二键合区，所述隔离区用于容纳所述芯片;还包括热沉，用于放置所述陶瓷框与所述基板，其中，所述热沉与所述基板的所述下侧表面直接接触;所述基板的基体为高热导率的陶瓷基体，其下侧表面以及所述陶瓷框通过钎焊与所述热沉连接;还包括可伐焊环，所述可伐焊环通过钎焊固定在所述陶瓷框的上表面;所述微带线层厚度范围为15微米?20微米;所述陶瓷框以及所述基板的所述陶瓷基体为基于高温共烧陶瓷工艺一体成型。
[0020]将多个芯片与封装组件进行电连接包括用金丝将所述第一键合区与所述第二键合区进行电连接、用金丝将第二键合区与所述芯片封装组件的隔离区进行电连接中的一种或多种，通过金丝电连接所述第一键合区、二键合区或所述隔离区至所述微带线，通过所述微带线电连接至所述引线。
[0021]还包括将多个芯片进行电连接，具体为，用引线将多个所述第二键合区与多个所述第一键合区进行电连接，再用金丝将多个所述第二封装组件的键合区进行电连接。
[0022]在陶瓷基体上均设有八部分独立且平行排列的金属化区域，将八个硅整流二极管芯片通过导电胶分别粘接在对应的金属化区域上，用硅铝丝将硅整流二极管芯片与外引线的管壳腔体内部部分进行电气连接，管壳腔体内部采用AB胶进行填充。
[0023]所述陶瓷基板由碳、碳化硅、氮化硅、氧化铝和硅复合而成，所述基板由外而内共有5层，分别是硅层、氮化硅层、碳化硅层、碳层和氧化铝基体层，每层的厚度为0.5-3_。
[0024]最后应说明的是:显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明本实用新型所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本实用新型的保护范围之中。
【主权项】
1.一种金属陶瓷表贴封装二极管阵列板，其特征在于:所述阵列板包括，陶瓷框，框体内穿置微带线，框内侧设第一键合区，框外侧设引线;基板，设置在所述陶瓷框内侧底部，具有陶瓷基体，以及将所述陶瓷基体金属化的上侧表面和下侧表面，所述上侧表面形成多个隔离区以及第二键合区，所述隔离区用于容纳芯片;还包括热沉，用于放置所述陶瓷框与所述基板，其中，所述热沉与所述基板的所述下侧表面直接接触;所述基板的基体为高热导率的陶瓷基体，其下侧表面以及所述陶瓷框通过钎焊与所述热沉连接;还包括可伐焊环，所述可伐焊环通过钎焊固定在所述陶瓷框的上表面;所述微带线层厚度范围为15微米20微米；所述陶瓷框以及所述基板的所述陶瓷基体为基于高温共烧陶瓷工艺一体成型。2.根据权利要求1所述的阵列板，其特征在于:将多个芯片与封装组件进行电连接包括用金丝将所述第一键合区与所述第二键合区进行电连接、用金丝将第二键合区与所述芯片封装组件的隔离区进行电连接中的一种或多种，通过金丝电连接所述第一键合区、二键合区或所述隔离区至所述微带线，通过所述微带线电连接至所述引线。3.根据权利要求2所述的阵列板，其特征在于:还包括将多个芯片进行电连接，具体为，用引线将多个所述第二键合区与多个所述第一键合区进行电连接，再用金丝将多个第二封装组件的键合区进行电连接。4.根据权利要求3所述的阵列板，其特征在于:在陶瓷基体上均设有八部分独立且平行排列的金属化区域，将八个硅整流二极管芯片通过导电胶分别粘接在对应的金属化区域上，用硅铝丝将硅整流二极管芯片与外引线的管壳腔体内部部分进行电气连接，管壳腔体内部采用AB胶进行填充。5.根据权利要求4所述的阵列板，其特征在于:所述陶瓷基板由碳、碳化硅、氮化硅、氧化铝和硅复合而成，所述基板由外而内共有5层，分别是硅层、氮化硅层、碳化硅层、碳层和氧化铝基体层，每层的厚度为0.5-3mm。
【专利摘要】本实用新型涉及一种金属陶瓷表贴封装二极管阵列板，所述阵列板包括，陶瓷框，框体内穿置微带线，框内侧设第一键合区，框外侧设引线；基板，设置在所述陶瓷框内侧底部，具有陶瓷基体，以及所述将所述陶瓷基体金属化的上侧表面和下侧表面，所述上侧表面形成多个隔离区以及第二键合区，所述隔离区用于容纳所述芯片；还包括热沉，用于放置所述陶瓷框与所述基板，其中，所述热沉与所述基板的所述下侧表面直接接触；所述基板的基体为高热导率的陶瓷基体，其下侧表面以及所述陶瓷框通过钎焊与所述热沉连接；还包括可伐焊环，所述可伐焊环通过钎焊固定在所述陶瓷框的上表面；所述微带线层厚度范围为15微米？20微米。
【IPC分类】H01L25/07, H01L23/18, H01L23/06, H01L23/488
【公开号】CN205140966
【申请号】CN201520957298
【发明人】吴炳刚, 李纪, 郭伟
【申请人】沈阳飞达电子有限公司
【公开日】2016年4月6日
【申请日】2015年11月26日