一种功率模块的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及电力电子领域，具体涉及一种功率模块。
【背景技术】
[0002]功率模块是功率电子电力器件如M0S管(金属氧化物半导体)、IGBT(绝缘栅型场效应晶体管)，FRD(快恢复二极管)按一定的功能组合封装成的电力开关模块，其主要用于电动汽车，光伏发电，风力发电，工业变频等各种场合下的功率转换。
[0003]然而随着模块中的功率开关被重复地切换，由其结构配置所产生的电感会降低功率模块的可靠性。传统的功率模块由于续流回路面积较大，导致大电流情况下，模块的续流回路电感很大，使模块的开关损耗大，可靠性低。
【实用新型内容】
[0004]实用新型目的:针对上述问题，本实用新型旨在提供一种杂散电感低、开关损耗小、可靠性高的功率模块。
[0005]技术方案:一种功率模块，包括底板、正电极、负电极、输出电极和设置在底板上的绝缘基板，正电极、负电极和输出电极与底板之间均设有绝缘层，绝缘基板包括第一导热绝缘层以及形成于第一导热绝缘层两侧的第一铜层和底铜层，第一铜层上设有上桥臂芯片单元，所述第一铜层在靠近正电极的一端设有正接线区，第一铜层在正接线区与上桥臂芯片单元之间设有第二导热绝缘层，第二导热绝缘层上设有第二铜层，第二铜层上设有下桥臂芯片单元，第二导热绝缘层靠近负电极的一端设有负接线区；由正电极流出的工作电流通过第一铜层流入上桥臂芯片单元，最后流至输出电极；由负电极流出的续流电流通过负接线区流入下桥臂芯片单元，然后通过第二铜层流至输出电极。
[0006]进一步的，所述正电极与负电极在平行于底板的方向上叠层设置，且正电极与负电极之间也设有绝缘层。
[0007]进一步的，所述正电极与正接线区连接，所述负电极与负接线区连接。
[0008]进一步的，所述上桥臂芯片单元包括多个并联的上桥臂芯片组，所述上桥臂芯片组包括集成于一体的上桥臂功率开关和上桥臂内部二极管，且上桥臂功率开关和上桥臂内部二极管并联;下桥臂芯片单元包括多个并联的下桥臂芯片组，下桥臂芯片组包括集成于一体的下桥臂功率开关和下桥臂内部二极管，且下桥臂功率开关和下桥臂内部二极管并联；由负电极流出的续流电流流经下桥臂内部二极管的正极、下桥臂内部二极管的负极，然后经第二铜层传输至输出电极。
[0009]进一步的，所述上桥臂芯片单元包括多个并联的上桥臂芯片组，所述上桥臂芯片组包括上桥臂功率开关和与之并联的上桥臂外部二极管，下桥臂芯片单元包括多个并联的下桥臂芯片组，下桥臂芯片组包括下桥臂功率开关和与之并联的下桥臂外部二极管；由负电极流出的续流电流流经下桥臂外部二极管的正极、下桥臂外部二极管的负极、然后经第二铜层传输至输出电极。
[0010]进一步的，所述上桥臂芯片单元包括多个并联的上桥臂芯片组，所述上桥臂芯片组包括并联的上桥臂功率开关、上桥臂内部二极管和上桥臂外部二极管，且上桥臂功率开关和上桥臂内部二极管集成于一体;下桥臂芯片单元包括多个并联的下桥臂芯片组，下桥臂芯片组包括并联的下桥臂功率开关、下桥臂内部二极管和下桥臂外部二极管，且下桥臂功率开关和下桥臂内部二极管集成于一体；由负电极流出的续流电流流经下桥臂内部二极管的正极和下桥臂外部二极管的正极、下桥臂内部二极管的负极和下桥臂外部二极管的负极、然后经第二铜层传输至输出电极。
[0011]进一步的，所述上桥臂功率开关和下桥臂功率开关均为M0S管，由正电极流出的工作电流流经第一铜层和上桥臂功率开关的漏极，然后经上桥臂功率开关的源极传输至输出电极。
[0012]进一步的，所述上桥臂功率开关和下桥臂功率开关均为IGBT，正电极流出的工作电流流经第一铜层和上桥臂功率开关的集电极，然后经上桥臂功率开关的发射极传输至输出电极。
[0013]进一步的，所述上桥臂功率开关为M0S管，下桥臂功率开关为IGBT，由正电极流出的工作电流流经第一铜层和上桥臂功率开关的漏极，然后经上桥臂功率开关的源极传输至输出电极。
[0014]进一步的，所述上桥臂功率开关为IGBT，下桥臂功率开关为M0S管，正电极流出的工作电流流经第一铜层和上桥臂功率开关的集电极，然后经上桥臂功率开关的发射极传输至输出电极。
[0015]有益效果:本实用新型通过增加铜层和绝缘层的方式来改变电流路径。相比现有模块正电极流出的工作电流的单一路径形式，采用了电流分层形式，正电极流出的工作电流流经第一铜层，负电极流出的续流电流流经第二铜层，两者路径仅间隔了一个第二导热绝缘层的厚度，减小了续流回路面积，增大了功率模块的过流能力，具有更小的杂散电感和开关损耗。
【附图说明】
[0016]图1是本实用新型的结构不意图；
[0017]图2是本实用新型的电流不意图；
[0018]图3(a)、3(b)本实用新型的电路示意图；
[0019]图4是本实用新型的立体结构图。
【具体实施方式】
[0020]如图1所示，一种功率模块，包括底板1、正电极2、负电极3、输出电极4和设置在底板1上的绝缘基板，正电极2、负电极3和输出电极4与底板1之间均设有绝缘层，本实施例中该绝缘层即图4中所示的绝缘外壳15，绝缘基板包括第一导热绝缘层以及形成于第一导热绝缘层两侧的第一铜层5和底铜层，第一铜层5上设有上桥臂芯片单元，第一铜层5在靠近正电极2的一端设有正接线区6，第一铜层5在正接线区6与上桥臂芯片单元之间设有第二导热绝缘层7，第二导热绝缘层7上设有第二铜层8，第二铜层8上设有下桥臂芯片单元，第二铜层8靠近负电极3的一端设有负接线区9。
[0021]如图2所示，本实施例中上桥臂芯片单元包括5个并联的上桥臂芯片组，下桥臂芯片单元包括5个并联的下桥臂芯片组。
[0022]上桥臂芯片组包括上桥臂功率开关10和与之并联的上桥臂外部二极管，下桥臂芯片组包括下桥臂功率开关11和与之并联的下桥臂外部二极管；由负电极3流出的续流电流31流经下桥臂外部二极管的正极、下桥臂外部二极管的负极、然后经第二铜层8传输至输出电极4。
[0023]上桥臂芯片组与下桥臂芯片组的结构还可以为:所述上桥臂芯片组包括集成于一体的上桥臂功率开关10和上桥臂内部二极管，且上桥臂功率开关10和上桥臂内部二极管并联;下桥臂芯片单元包括多个并联的下桥臂芯片组，下桥臂芯片组包括集成于一体的下桥臂功率开关11和下桥臂内部二极管，且下桥臂功率开关11和下桥臂内部二极管并联；由负电极3流出的续流电流31流经下桥臂内部二极管的正极、下桥臂内部二极管的负极，然后经第二铜层8传输至输出电极4。
[0024]上桥臂芯片组与下桥臂芯片组的结构还可以为:所述上桥臂芯片组包括并联的上桥臂功率开关10、上桥臂内部二极管和上桥臂外部二极管，且上桥臂功率开关10和上桥臂内部二极管集成于一体;下桥臂芯片单元包括多个并联的下桥臂芯片组，下桥臂芯片组包括并联的下桥臂功率开关11、下桥臂内部二极管和下桥臂外部二极管，且下桥臂功率开关11和下桥臂内部二极管集成于一体；由负电极3流出的续流电流31流经下桥臂内部二极管的正极和下桥臂外部二极管的正极、下桥臂内部二极管的负极和桥臂外部二极管的负极，然后经第二铜层8传输至输出电极4。
[0025]上桥臂功率开关10和下桥臂功率开关11可以为M0S管，也可以为IGBT(绝缘栅型场效应晶体管):当上桥臂功率开关10和下桥臂功率开关11均为M0S管，其电路示意图如图3(a)所示。由正电极2流出的工作电流21流经第一铜层5和上桥臂功率开关10的漏极，然后经上桥臂功率开关10的源极传输至输出电极4。
[0026]当上桥臂功率开关10和下桥臂功率开关11均为IGBT，其电路示意图如图3(b)所示。正电极2流出的工作电流21流经第一铜层5和上桥臂功率开关10的集电极，然后经上桥臂功率开关10的发射极传输至输出电极4。当上桥臂功率开关10为M0S管，下桥臂功率开关11为IGBT时，由正电极2流出的工作电流21流经第一铜层5和上桥臂功率开关10的漏极，然后经上桥臂功率开关10的源极传输至输出电极4