一种tft基板和显示屏的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及显示面板技术领域，尤其涉及一种TFT基板和显示屏。
【背景技术】
[0002]随着显示技术的发展，显示面板已经进入了人们生活的方方面面。目前，市场上的主流显示面板主要有两种:液晶显示面板(Liquid Crystal Display，IXD)和有机发光二极管(Organic Light-Emitting D1de，0LED)显不面板。薄膜场效应晶体管(Thin FilmTransistor，TFT)基板可以作为上述两种显示面板的驱动，其性能对显示面板的性能有重要的影响。
[0003]显示面板中每个像素由对应的单个TFT单元进行控制，并配合外围驱动电路，最终实现图像的显示。其中，单个TFT单元主要由栅极、栅极绝缘层、源漏极、有源层构成，工作原理是通过改变栅极电压改变半导体薄膜的表面势，从而能够控制源漏电极之间的电流/或电压，从而实现对显示面板的控制。
[0004]在现有技术中，由于同一TFT单元中的栅极绝缘层厚度差较大，从而导致TFT基板可靠性较低。
【实用新型内容】
[0005]本实用新型实施例提供一种TFT基板，用以解决现有的TFT基板可靠性低的问题。
[0006]本实用新型实施例还提供一种显示屏。
[0007]本实用新型实施例采用下述技术方案:
[0008]一种TFT基板，包括:基片，依次层叠于所述基片一侧表面上的缓冲层、有源层、栅极绝缘层和栅极，所述有源层正上表面栅极绝缘层与有源层斜侧表面栅极绝缘层厚度相同，或所述有源层正上表面栅极绝缘层与有源层斜侧表面栅极绝缘层的厚度差小于预设厚度差。
[0009]可选的，所述栅极绝缘层包括第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层；
[0010]所述第一栅极绝缘层，位于所述有源层斜侧表面；
[0011 ]所述第二栅极绝缘层，位于所述有源层正上表面。
[0012]可选的，所述栅极绝缘层包括第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层；
[0013]所述第一栅极绝缘层，位于所述有源层斜侧表面；
[0014]所述第二栅极绝缘层，位于所述有源层正上表面和第一栅极绝缘层表面。
[0015]可选的，所述栅极绝缘层包括第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层；
[0016]所述第一栅极绝缘层，位于所述有源层正上表面和斜侧表面；
[0017]所述第二栅极绝缘层，位于所述第一栅极绝缘层斜侧表面。
[0018]可选的，所述第一栅极绝缘层和所述第二栅极绝缘层的材料相同或不同。
[0019]一种显示屏，包括上述TFT基板。
[0020]本实用新型实施例采用的上述至少一个技术方案能够达到以下有益效果:
[0021]本实用新型提供的TFT基板，位于有源层正上表面的栅极绝缘层和位于有源层斜侧表面的栅极绝缘层厚度相同或厚度差小于预设厚度差，在开启TFT时，有源层各处达到饱和电流的时间相同或小于预设时间差，从而有效的改善了由栅极绝缘层厚度不均匀引起的“驻峰效应”，提高了器件的开启速度。
【附图说明】
[0022]此处所说明的附图用来提供对本实用新型的进一步理解，构成本实用新型的一部分，本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中:
[0023]图1为现有技术中TFT基板的基本结构的示意性截面图；
[0024]图2为本实用新型实施例的第一示例性实施方案的TFT基板的基本结构图的示意性截图；
[0025]图3为本实用新型实施例的第二示例性实施方案的TFT基板的基本结构图的示意性截图。
[0026]图4为本实用新型实施例的第三示例性实施方案的TFT基板的基本结构图的示意性截图。
【具体实施方式】
[0027]为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型具体实施例及相应的附图对本实用新型技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
[0028]以下结合附图，详细说明本实用新型各实施例提供的技术方案。
[0029]现有技术中，由于TFT栅极绝缘层的厚度差太大导致TFT的可靠性较差。现有技术中TFT基板的基本结构的示意性截面图如图1所示，从基板至栅极依次为基片101、缓冲层102、有源层103、栅极绝缘层104和栅极层105。该结构中，有源层103的边缘为斜面，有源层103斜面上的栅极绝缘层104的厚度比有源层103上表面的栅极绝缘层104的厚度小。
[0030]本实施例中，图1中I所示表面称为水平上表面，II所示表面称为斜侧表面。需要说明的是，与图1中I平行的其它层的表面均可称为水平上表面，与图1中II平行的其它层的表面均可称为斜侧表面，对于其它图中示意结构的表面的描述和图1中示意结构的表面的描述类似，在此不再赘述。
[0031]在器件开启时，有源层103斜面区域首先达到饱和电流，但这只能开启有源层边缘区域，有源层主体主沟道区域的电流仍在上升，直到达到饱和电流才会开启，从而产生驼峰效应，延迟了器件的开启速度，使器件的可靠性降低。所述器件包括但不限于:TFT器件、0LED器件、IXD器件。
[0032]基于上述结构所产生的技术问题，本实用新型提供了一种TFT基板和显示屏，包括:基片，依次层叠于所述基片一侧表面上的缓冲层、有源层、栅极绝缘层和栅极，所述栅极绝缘层包括位于所述有源层正上表面的栅极绝缘层和位于所述有源层斜侧表面的栅极绝缘层，所述栅极绝缘层各处的厚度相同；或，厚度不同但厚度差小于预设厚度差。
[0033]基于上述TFT基板，由于有源层正上表面和斜侧表面栅极绝缘层的厚度差小于预定厚度差，使得有源层正上表面绝缘层和有源层斜侧表面绝缘层单位面积的等效电容值相等或单位面积的等效电容值差值小于预设单位面积的等效电容值差，减轻了栅极绝缘层厚度不均匀引起的“驼峰效应(Hump Effect)”不良，提高了器件的开启速度，使器件的可靠性提尚Ο
[0034]以上是本实用新型的核心思想，为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本实用新型的【具体实施方式】做详细的说明。
[0035]实施例1
[0036]本实施例提供一种TFT基板，其结构如图2所示，包括:
[0037]基片201;
[0038]依次层叠于所述基片201—侧表面上的缓冲层202、有源层203、栅极绝缘层204和栅极205。所述栅极绝缘层包括第一栅极绝缘层204A和第二栅极绝缘层204B。
[0039 ]所述第一栅极绝缘层，位于所述有源层斜侧表面。所述第二栅极绝缘层，位于所述有源层正上表面和第一栅极绝缘层表面；
[0040]本实用新型实施例中，所述有源层203上表面第二栅极绝缘层204B厚度与有源层203斜侧表面栅极绝缘层204厚度(该厚度等于有源层斜侧表面第一栅极绝缘层204A厚度和第一栅极绝缘层斜侧表面第二栅极绝缘层204B厚度的和)相同，或所述有源层203上表面第二栅极绝缘层204B的厚度与有源层203斜侧表面栅极绝缘层204厚度的差小于预设厚度差。
[0041]本实用新型实施例中，所述预设厚度差为预先设定的厚度值，当所述有源层203上表面第二栅极绝缘层204B的厚度与有源层203斜侧表面栅极绝缘层204厚度的差小于此预设厚度差时，可以有效减轻TFT基板的“驼峰效应”不良。所述预设厚度差可以通过理论计算得到，也可以通过实验得到。
[0042]本实用新型实施例中，所述第一栅极绝缘层204A可以是单层膜结构，也可以是多层膜层构成的叠层结构，所述第一栅极绝缘层204A的形成材料可以是氧化硅和/或氮化硅，所述第二栅极绝缘层204B可以是单层膜结构，也可以是多层膜层构成的叠层结构，所述第二栅极绝缘层204B的形成材料可以是氧化硅和/或氮化硅。在实际应用中，为了提高TFT的制作效率，第一栅极绝缘层204A和第二栅极绝缘层204B的形成材料可以相同。
[0043]需要说明的是，当第一栅极绝缘层204A和第二栅极绝缘层204B采用不同形成材料时，则可以根据第一栅极绝缘层204A和第二栅极绝缘层204B的形成材料的介电常数，通过计算获得第一栅极绝缘层204A和第二栅极绝缘层204B的厚度，使得有源层正上表面绝缘层和有源层斜侧表面绝缘层单位面积的等效电容值相等或单位面积的等效电容值差值小于预设单位面积的等效电容值差。
[0044]在实际应用中，所述基片201可以是玻璃。
[0045]所述缓冲层202可以为单层膜层结构，也可以为多层膜层构成的叠层结构，所述缓冲层202的形成材料可以是氧化硅和/或氮化硅。
[0046]根据TFT基板的类型不同，所述有源层203的形成材料可以不同。例如:当所述TFT为低温多晶娃(Low Temperature Po 1 y_s i 1 i con，LTPS) TFT或高温多晶娃(Hi ghTemperature Poly_Silicon，HTPS)TFT时，所述有源层203的形成材料可以是多晶娃；当所述TFT为非晶硅TFT时，所述有源层203的形成材料可以是非晶硅；当所述TFT为氧化物TFT时，所述有