影像传感芯片封装结构的制作方法

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影像传感芯片封装结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及半导体技术领域,尤其涉及一种影像传感芯片封装结构。
【背景技术】
[0002]目前,晶圆级封装(Wafer Level Packaging)技术是对整片晶圆进行测试封装后再进行切割,得到单个成品芯片的技术,其逐渐取代引线键合封装技术,成为封装的主流技术。
[0003]在影像传感器的封装中,也多采用晶圆级封装技术,如图1所示,如图1所示,为现有传统的影像传感器封装结构,该结构包括影像传感芯片10和保护盖板20,影像传感芯片的第一表面上设置有影像传感区12和焊垫14,保护盖板20设置在影像传感区12上方,用于保护影像传感区,通常的,保护盖板20由玻璃基板22和玻璃基板22上的支撑结构24组成,支撑结构24围成空腔,在支撑结构24键合到影像传感区所在的第一表面后,将影像传感区12罩在空腔中,起到保护影像传感区的作用。在第二表面上设置有贯通至焊垫14的导孔以及与导孔电连接的焊接凸点22,从而,实现与外部的电连接,导孔包括通孔中及通孔侧面的第二表面上的绝缘层16、电连线层18和阻焊层22,焊接凸点22形成在导孔侧面的电连线层18上,从而实现外部与焊垫的电连接。
[0004]然而,在该结构中,电连线层18设置在阻焊层20和绝缘层16之间,绝缘层16多采用有机材料形成,由于阻焊层20和绝缘层16的热膨胀系数较大,在后续的可靠度测试中会有温度的变化,阻焊层20和绝缘层16膨胀后,电连线层受到挤压,使其容易产生虚接甚至断裂的缺陷。
【实用新型内容】
[0005]有鉴于此,本实用新型提供了一种影像传感芯片封装结构,以降低影像传感芯片电连线层的缺陷。
[0006]为解决上述问题,本实用新型实施例提供了一种影像传感芯片封装结构,包括:
[0007]影像传感芯片,其具有相对的第一表面和第二表面,在第一表面上设置有影像传感区以及位于影像传感区周围的焊垫;
[0008]从第二表面贯通至焊垫的通孔;
[0009]沿通孔内壁设置并延伸至第二表面的电连线层,所述电连线层与所述焊垫电连接;
[0010]填充通孔并覆盖电连线层的阻焊层,阻焊层中形成有开口,所述开口底部暴露出所述电连线层;
[0011]覆盖所述开口内壁和开口底部并延伸至阻焊层上的导引焊垫,所述导引焊垫与所述电连线层电连接;
[0012]位于导引焊垫上的焊接凸点,所述焊接凸点与所述导引焊垫电连接。
[0013]可选的,所述导引焊垫的形状为圆形。
[0014]可选的,还包括电连线之下通孔侧壁以及第二表面上的钝化层。
[0015]可选的,所述阻焊层的材质为阻焊感光油墨。
[0016]可选的,还包括:遮光层,位于第二表面上且覆盖所述影像传感区。
[0017]可选的,还包括:与所述影像传感器芯片对位压合的保护盖板,所述保护盖板对位压合至所述影像传感芯片的第一表面。
[0018]可选的,所述保护盖板为光学玻璃,光学玻璃的至少一个表面上设置有防反射层。
[0019]本实用新型实施例提供的影像传感芯片封装结构,不直接将焊接凸点设置于电连线层上,而是在焊接凸点下表面与电连线层之间形成有导引焊垫,避免在后续焊接凸点工艺以及其他测试中,对电连线层的热冲击,对电连线层起到保护的作用,防止电连线层产生虚接甚至断裂的缺陷。此外,导引焊垫形成在阻焊层的开口内壁和开口底部及开口外的阻焊层表面上,仅开口底部的导引焊垫与电连线层连接,而焊接凸点通过导引焊垫与电连线层电连接,这样,导引焊垫与焊接凸点匹配,在与焊接凸点的连接处,电连线层无需设置与焊接凸点匹配的端部,使得电连线层可以更密集的设置,大大提高器件的集成度,实现器件进一步的小型化。
[0020]进一步的,电连线层下设置钝化层,来作为电连线层的绝缘层,钝化层具有小的膨胀系数,使得电连线层由于热膨胀受到的挤压力大大减小,进一步降低影像传感芯片电连线层的缺陷。
【附图说明】
[0021]图1示出了现有技术的影像传感芯片封装结构的剖面结构示意图;
[0022]图2示出了根据本实用新型一实施例的影像传感芯片封装结构的剖面结构示意图;
[0023]图3示出了根据本实用新型另一实施例的影像传感芯片封装结构的剖面结构示意图;
[0024]图4A至图14示出了本实用新型实施例的影像传感芯片的封装方法中所形成的中间结构的结构示意图。
【具体实施方式】
[0025]为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图对本实用新型的【具体实施方式】做详细的说明。
[0026]在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本实用新型,但是本实用新型还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施,本领域技术人员可以在不违背本实用新型内涵的情况下做类似推广,因此本实用新型不受下面公开的具体实施例的限制。
[0027]其次,本实用新型结合示意图进行详细描述,在详述本实用新型实施例时,为便于说明,表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大,而且所述示意图只是示例,其在此不应限制本实用新型保护的范围。此外,在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。另外,以下描述的第一特征在第二特征之“上”的结构可以包括第一和第二特征形成为直接接触的实施例,也可以包括另外的特征形成在第一和第二特征之间的实施例,这样第一和第二特征可能不是直接接触。
[0028]为了降低影像传感芯片的缺陷,尤其是电连线层的缺陷,本实用新型提出了一种影像传感芯片封装结构,参考图2和图3所示,其包括:
[0029]影像传感芯片100,其具有相对的第一表面1001和第二表面1002,在第一表面上设置有影像传感区102以及位于影像传感区周围的焊垫104 ;
[0030]从第二表面1002贯通至焊垫104的通孔105 ;
[0031]沿通孔105内壁设置并延伸至第二表面1002的电连线层108,所述电连线层108与所述焊垫104电连接;
[0032]填充通孔105并覆盖电连线层108的阻焊层120,阻焊层120中形成有开口,所述开口底部暴露出所述电连线层108 ;
[0033]覆盖所述开口内壁和开口底部并延伸至阻焊层上的导引焊垫107,所述导引焊垫107与所述电连线层108电连接;
[0034]位于导引焊垫107上的焊接凸点122,所述焊接凸点122与所述导引焊垫107电连接。
[0035]在本实用新型中,不直接将焊接凸点设置于电连线层上,而是在两者之间增设导引焊垫,避免在后续焊接凸点工艺以及其他测试中,对电连线层的热冲击,对电连线层起到保护的作用,防止电连线层产生虚接甚至断裂的缺陷。此外,导引焊垫形成在阻焊层的开口内壁和开口底部及开口外的阻焊层表面上,仅开口底部的导引焊垫与电连线层连接,而焊接凸点通过导引焊垫与电连线层电连接,这样,导引焊垫与焊接凸点匹配,在与焊接凸点的连接处,电连线层无需设置与焊接凸点匹配的端部,使得电连线层可以更密集的设置,大大提高器件的集成度,实现器件进一步的小型化。
[0036]在本实用新型实施例中,该影像传感芯片封装结构可以为形成在完成电连线层和焊接凸点加工而尚未进行切割的结构,也可以为经过切割之后的单个成品芯片的结构。
[0037]对于影像传感芯片,该芯片至少形成有影像传感区和焊垫,在本实用新型实施例中,在影像传感芯片的第一表面上设置有影像传感区102和位于影像传感区102周围的焊垫104,所述影像传感区102用于接收外界光线并转换为电学信号,所述影像传感区102内至少形成有影像传感芯片单元,还可以进一步形成有与影像传感芯片单元相连接的关联电路,如用于驱动芯片的驱动单元(图未示出)、获取感光区电流的读取单元(图未示出)和处理感光区电流的处理单元(图未示出)等。
[0038]当然,根据具体的设计需求,在该影像传感芯片上还可以设置有其他的部件,由于这些部件与本实用新型的实用新型点并不密切相关,在此不做进一步的详细描述。
[0039]通常地,为了便于布线,影像传感区102位于单个芯片单元的中间位置,焊垫104呈矩形分布,位于影像传感区102的四周且位于单个芯片单元单元的边缘位置,每一个侧边上可以形成有若干个焊垫104,焊垫104为影像传感区内器件与外部电路的输入输出端口,可以将影像传感区102的电学信号传出到外部电路,焊垫的材料
再多了解一些
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