区102的表面上或与该表面相对的表面上，也可以在光学玻璃的两个表面上都设置该防反射层201，可以通过喷涂的方式在玻璃基板上形成防反射层，该防反射层至少覆盖影像传感区102对应的区域，可以根据所选择的玻璃基板来选择合适的防反射涂层的材质。
[0061]在该实施例中，如图6所示，将该保护盖板200与晶圆1000的第一表面相结合，使得支撑结构220与影像传感区102对位压合，可以通过在支撑结构220和/或晶圆1000的第一表面之间设置粘合层(图未示出)，来实现保护盖板200与晶圆1000的对位压合，例如，可以在支撑结构220的表面和/或晶圆1000的第一表面的相应位置处，通过喷涂、旋涂或者黏贴的工艺设置粘合层，再将二者进行压合，通过所述粘合层实现相结合。所述粘合层既可以实现粘接作用，又可以起到绝缘和密封作用。所述粘合层可以为高分子粘接材料，例如硅胶、环氧树脂、苯并环丁烯等聚合物材料。
[0062]而后，在步骤S103，从第二表面1002形成贯通至焊垫1004的通孔105，参考图8所示。
[0063]在进行该步骤之前，首先，从而第二表面1002对晶圆1000进行减薄，以便于后续通孔的刻蚀，可以采用机械化学研磨、化学机械研磨工艺或二者的结合进行减薄。
[0064]而后，更优地，为了避免或者减少光线特别是红外光线从第二表面进入到影像传感区102，如图7所示，可以至少在第二表面对应影像传感区102的设置遮光层101。所述遮光层101可以为金属材料，例如可以为铝、铝合金或者其他适宜的金属材料。在一个优选的实施例中，首先，可以通过溅射工艺在晶圆1000的第二表面上形成金属层，如铝金属；接着，对该金属层进行黑化处理，可以通过酸碱药水对所述金属层进行黑化，例如，可以采用含硫的碱溶液对所述铝金属层进行处理，黑化后的金属层的厚度可以为1 ym?ΙΟμπι，优选地，可以为5 μ m，6 μ m等在所述铝金属层上形成黑色的硫化物膜层，提高所述铝材料层的遮光效果；而后，对金属材料层进行图形化，仅在第二表面上影像传感区102对应的位置形成遮光层101，该遮光层也可以较影像传感区102具有更大的面积，以完全遮盖影像传感区，起到更好的遮光效果。
[0065]而后，从第二表面1002形成贯通至焊垫104的通孔105，如图8所示。具体的，可以利用刻蚀技术，如反应离子刻蚀或感应耦等离子体刻蚀等，对晶圆1000进行刻蚀，直至暴露出焊垫104，也可以进一步对焊垫104进行过刻蚀，即刻蚀掉部分厚度的焊垫，从而，形成暴露焊垫的通孔105。
[0066]接着，在通孔105侧壁以及通孔105两侧的第二表面1002上形成钝化层的电绝缘层106，如图9所示。所述钝化层106可以为氧化物或氮化物的介质材料，如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅或他们的叠层等。具体的，首先，沉积钝化材料层，如氧化硅，可以采用化学气相沉积的方法进行沉积。接着，进行掩膜工艺，在掩膜的掩蔽下进行刻蚀，将焊垫104之上的钝化材料层去除，从而，仅在通孔105侧壁以及通孔105两侧的第二表面1002上形成钝化层106。采用钝化层形成的电绝缘层具有更好的覆盖性，同时，可以采用刻蚀工艺选择性去除焊垫上的钝化层，从而，保证后续行程的电连线层与焊垫呈面接触，保证二者之间更好的接触和结合力。
[0067]接着，在步骤S104，在通孔105内壁及第二表面上形成电连线层108，参考图10所不ο
[0068]所述电连线层的材料为导电材料，可以为金属材料薄膜，例如Al、Au和Cu等，可以通过RDL (重布线层)技术来形成电连线层或其他合适的沉积工艺，例如可以采用RDL技术进行Cu的电镀，并溅射Ti进行打底，形成电连线层108，RDL技术使得焊区位置重新布局，可以更好地满足焊区对焊接凸点最小间距的要求。
[0069]而后，在步骤S105，形成导引焊垫107以及焊接凸点122，参考图14所示。
[0070]在本实施例中，具体的，首先，形成阻焊层120，以填充通孔105并在电连线层108上形成阻焊层120，如图11所示。阻焊层120在焊接凸点工艺中对其他层起到绝缘保护层的作用，阻焊层例如可以为防焊感光油墨，可以通过旋涂工艺，来形成填充通孔105并覆盖连线层108的阻焊层120，如图11所示。接着，在阻焊层120中形成开口 109，开口 109底部暴露第二表面1002上的电连线层108，如图12所示。通过曝光显影，在电连线层108上的阻焊层120开口，开口底部暴露出电连线层108。
[0071]在本实用新型的实施例中，在对应焊接区的电连线层之上，可以并不形成与焊接区相对应的图案或形成较焊接区更小的图案，通过导引焊垫与电连线层接触形成电连接，并进一步在导引焊垫上形成焊接区的图案，这样，使得电连线层可以更密集的设置，大大提高器件的集成度，实现器件进一步的小型化。
[0072]而后，在开口 109内壁和开口底部及开口外的阻焊层120表面上形成导引焊垫107，如图13所示。所述导引焊垫的材料为导电材料，可以为金属材料薄膜，例如Al、Au和Cu等，可以通过RDL (重布线层)技术或其他合适的沉积工艺来形成，如采用RDL技术进行Cu的电镀，并溅射Ti进行打底，来形成导引焊垫107，再次利用RDL技术，可以使得焊接区位置重新布局，进一步满足焊区对焊接凸点最小间距的要求。
[0073]最后，在导引焊垫107上形成焊接凸点122，如图14所示。可以先形成UBM(UnderBump Metal,球下金属层)，而后进行植球工艺，通过掩膜版将焊料球放置于UBM上，而后采用回流焊工艺，在开孔中形成焊接凸点122，焊接凸点可以为焊球、金属柱等连接结构，材料可以为铜、铝、金、锡或铅等金属材料或他们的合金材料。
[0074]至此，形成了本实用新型实施例的封装结构。更进一步的，可以继续进行切割工艺，沿切割道区域将上述封装结构切割为单个独立的芯片，从而获得独立芯片的封装结构。
[0075]虽然本实用新型披露如上，但本实用新型并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本实用新型的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本实用新型的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
【主权项】
1.一种影像传感芯片封装结构，其特征在于，包括: 影像传感芯片，其具有相对的第一表面和第二表面，在第一表面上设置有影像传感区以及位于影像传感区周围的焊垫； 从第二表面贯通至焊垫的通孔； 沿通孔内壁设置并延伸至第二表面的电连线层，所述电连线层与所述焊垫电连接； 填充通孔并覆盖电连线层的阻焊层，阻焊层中形成有开口，所述开口底部暴露出所述电连线层； 覆盖所述开口内壁和开口底部并延伸至阻焊层上的导引焊垫，所述导引焊垫与所述电连线层电连接； 位于导引焊垫上的焊接凸点，所述焊接凸点与所述导引焊垫电连接。2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述导引焊垫的形状为圆形。3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括电连线之下通孔侧壁以及第二表面上的钝化层。4.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，所述阻焊层的材质为阻焊感光油墨。5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括:遮光层，位于第二表面上且覆盖所述影像传感区。6.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括:与所述影像传感器芯片对位压合的保护盖板，所述保护盖板对位压合至所述影像传感芯片的第一表面。7.根据权利要求6所述的封装结构，其特征在于，所述保护盖板为光学玻璃，光学玻璃的至少一个表面上设置有防反射层。
【专利摘要】本实用新型提供了一种影像传感芯片封装结构，包括：影像传感芯片，其具有相对的第一表面和第二表面，在第一表面上设置有影像传感区以及位于影像传感区周围的焊垫；从第二表面贯通至焊垫的通孔；沿通孔内壁设置并延伸至第二表面的电连线层，所述电连线层与所述焊垫电连接；填充通孔并覆盖电连线层的阻焊层，阻焊层中形成有开口，所述开口底部暴露出所述电连线层；覆盖所述开口内壁和开口底部并延伸至阻焊层上的导引焊垫，所述导引焊垫与所述电连线层电连接；位于导引焊垫上的焊接凸点，所述焊接凸点与所述导引焊垫电连接。该结构降低影像传感芯片电连线层的缺陷。
【IPC分类】H01L27/146
【公开号】CN205159326
【申请号】CN201520848168
【发明人】王之奇, 王卓伟, 谢国梁
【申请人】苏州晶方半导体科技股份有限公司
【公开日】2016年4月13日
【申请日】2015年10月28日