影像传感芯片封装结构的制作方法_2

文档序号:10248463阅读:来源:国知局
需求,可以对影像传感区和焊垫的位置以及焊垫的数量做出调整,例如,可以将焊垫仅设置在影像传感区的一侧或者某两侧。
[0042]在本实用新型实施例中,还包括与影像传感区102对位压合的保护盖板200,保护盖板200为用于保护影像传感区102的部件,其具有容置影像传感区的空间,从而,在影像传感区上形成保护罩,在保护影像传感区不受破坏的同时,不影响光线进入影像传感区。在本实用新型的实施例中,所述保护盖板200为光学玻璃,光学玻璃上设置有支撑结构220,通过支撑结构220与影像传感区102对位压合,使得支撑结构220之间围成的空腔将影像传感区102容纳于其中,形成一个玻璃罩来保护影像传感区102。可以理解的是,保护盖板200也可以采用其他的结构,如采用不透光的基板来形成,而在基板与影像传感区对应的区域设置开口或具有遮挡的透光开口。
[0043]然而,对于光学玻璃的保护盖板,会存在镜面反射的缺陷,减少进入到影像传感区的光线,进而影响成像的品质,为此,参考图3所示,在本实用新型实施例中,在光学玻璃的保护盖板200的表面上设置有防反射层201,该防反射层201可以设置在光学玻璃朝向影像传感区102的表面上或与该表面相对的表面上,也可以在光学玻璃的两个表面上都设置该防反射层201,该防反射层至少与覆盖影像传感区102对应的区域,可以根据所选择的光学玻璃来选择合适的防反射涂层的材质。通过在光学玻璃的表面上设置防反射层,减少反射光,增加进入到影像传感区的光线,进而提高成像的品质。
[0044]在本实用新型中,通过通孔105实现焊垫104与外部电路的电连接,从而,将影像传感区102的电信号引出至外部电路。
[0045]在本实用新型的实施例中,如图2和图3所示,通过以下部件实现焊垫104与外部电路的电连接:从第二表面1002贯通至焊垫1004的通孔105 ;设置于通孔105侧壁以及第二表面1002上的钝化层106 ;设置于通孔105底面以及钝化层106上的电连线层108 ;电连接于电连线层108的焊接凸点122。此外,位于电连线层108与钝化层106之间设置缓冲层107,以缓解焊接凸点工艺中对钝化层的冲击力。
[0046]其中,通孔105贯穿影像传感芯片100至焊点104,使得通孔105暴露出焊垫104,通孔105可以贯穿至焊垫104的表面,也可以进一步贯穿至部分厚度的焊垫104中,所述通孔105可以为倒梯形或阶梯形孔,即通孔的截面为倒梯形或者阶梯形。
[0047]钝化层106为电连线层108的电绝缘层,在本实用新型实施例中,钝化层106为氧化物或氮化物等无机介质材料,如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅或他们的叠层等,钝化层作为电连线层的绝缘层,具有较好的阶梯覆盖性,在通孔的边角处也具有好的覆盖性,避免通孔边角处薄弱而导致的缺陷。
[0048]所述电连线层108覆盖上述通孔内壁,并延伸至通孔两侧的第二表面之上,便于与焊接凸点122连接,电连线层108的材料为导电材料,可以为金属材料,例如Al、Au和Cu等。
[0049]由于采用了钝化层106作为电绝缘层,在进行焊接凸点的加工工艺中,会对钝化层造成冲击,为此,在本实用新型中,在焊接凸点122下方的电连线层108与钝化层106之间设置缓冲层107,缓冲层107用于释放焊接凸点对钝化层造成的冲击力,所述缓冲层107的材料可以为有机高分子光刻胶,例如,环氧树脂或丙烯酸树脂等,缓冲层107的厚度可以为5-25微米。此外,更优选地,缓冲层107可以选择感光胶,这样,缓冲层除了缓解对钝化层的冲击力之外,还具有吸光作用,可以避免光线从第二表面进入影像传感区。
[0050]进一步的,在另一些实施例中,可以在第二表面上设置遮光层101,该遮光层101覆盖所述影像传感区102,如图3所示,遮光层101避免光线特别是红外光线透过晶片进入到影像传感区102,所述遮光层101可以为金属材料,金属材料例如可以为铝、铝合金或者其他适宜的金属材料,使得光线在其表面形成镜面反射,避免光线进入影像传感区,更优地,该金属材料可以经过黑化处理的金属A1,黑化处理的A1进一步具有好的吸光作用。
[0051]此外,在上述待影像传感芯片上形成有阻焊层120,阻焊层120覆盖电连线层108并填充通孔,阻焊层在焊接凸点工艺中对其他层起到绝缘保护层的作用,阻焊层例如可以为防焊感光油墨,阻焊层可以采用与缓冲层107相同的介质材料,以进一步释放焊接凸点对钝化层造成的冲击力并保护影像传感芯片。
[0052]所述焊接凸点122电连接于电连接层108,本实施例中,设置在通孔两侧第二表面1002上的电连线层108上,与电连线层接触连接,焊接凸点用于与外部电路的电连接,所述焊接凸点122可以为焊球、金属柱等连接结构,材料可以为铜、招、金、锡或铅等金属材料。
[0053]以上对本实用新型的影像传感芯片封装结构的实施例进行了详细的描述,此外,本实用新型还提供了上述封装结构的封装方法,以下将结合具体的实施例,对该封装方法进行详细的描述。
[0054]首先,提供晶圆1000,具有多颗阵列排布的影像传感芯片,其具有相对的第一表面1001和第二表面1002,影像传感芯片100具有影像传感区102以及位于影像传感区周围的焊垫104,所述影像传感区102以及焊垫104位于第一表面1002,参考图4和图4A所示,其中,图4A为晶圆1000的俯视结构不意图,图4及后续相关附图为一个影像传感芯片100单元沿AA1向的截面结构示意图。
[0055]本实施例中,所述晶圆1000为半导体衬底,所述半导体衬底可以为体衬底或包括半导体材料的叠层衬底,如Si衬底、Ge衬底、SiGe衬底或SOI等。
[0056]在本实用新型实施例中,在所述晶圆1000上形成有多个影像传感芯片100,这些影像传感芯片100呈阵列排布,在相邻的影像传感芯片100之间设置有切割道区域1100,用于后续工艺中对所述晶圆1000进行切割,从而形成独立的影像传感芯片封装结构。
[0057]在本实用新型实施例中,所述影像传感芯片具有影像传感区102以及位于影像传感区周围的焊垫104,所述影像传感区102以及焊垫104位于第一表面1002,所述影像传感区102用于接收外界光线并转换为电学信号,所述影像传感区102内至少形成有影像传感器单元,影像传感器单元例如可以由多个光电二极管阵列排布形成,还可以进一步形成有与影像传感器单元相连接的关联电路,如用于驱动芯片的驱动单元(图未示出)、获取感光区电流的读取单元(图未示出)和处理感光区电流的处理单元(图未示出)等。
[0058]接着,提供保护盖板200,并将保护盖板200与所述晶圆1000对位压合,参考图5-6所示。
[0059]本实施例中,如图5所示,所述保护盖板200为光学玻璃,光学玻璃上设置有支撑结构220,通过支撑结构220与影像传感区102对位压合,使得支撑结构220之间围成的空腔将影像传感区102容纳于其中,形成一个玻璃罩来保护影像传感区102。所述光学玻璃可以为无机玻璃、有机玻璃或者其他具有特定强度的透光材料,光学玻璃的厚度可以为300 μ m ?500 μ m。
[0060]所述支撑结构220通常为介质材料,例如可以为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或感光胶等。在一个具体的实施例中,支撑结构的材料为感光胶,首先,可以在光学玻璃的表面上旋涂感光胶,而后进行曝光显影工艺,从而,在感光玻璃上形成支撑结构220。
[0061]由于该保护盖板采用光学玻璃形成,会存在镜面反射的缺陷,减少进入到影像传感区的光线,进而影响成像的品质,为此,参考图5所示,在形成支撑结构之前,可以先在光学玻璃的表面上设置防反射层201,该防反射层201可以设置在光学玻璃朝向影像传感区102的表面上或与该表面相对的表面上,也可以在光学玻璃的两个表面上都设置该防反射层201,可以通过喷涂的方式在玻璃基板上形成防反射层,该防反射层至少覆盖影像传感区102对应的区域,可以根据所选择的玻璃基板来选
当前第2页1 2 3 
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1