一种减小大功率电阻寄生电容的装置的制造方法
【技术领域】
[0001 ]本实用新型涉及一种减小大功率电阻寄生电容的装置。
【背景技术】
[0002]寄生电容一般是指电感，电阻，芯片引脚等在高频情况下表现出来的电容特性，在很多时候，大功率电阻和地之间都会存在寄生电容，这种寄生电容在低频情况下表现不是很明显，但是在高频情况下，大功率电阻和地之间的寄生电容会对电路造成很大影响，因此，减小大功率电阻与地之间产生的寄生电容就非常重要了。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型的目的在于克服现有技术的不足，提供一种减小大功率电阻寄生电容的装置，从根源上减小了大功率电阻与地之间的寄生电容。
[0004]本实用新型的目的是通过以下技术方案来实现的:一种减小大功率电阻寄生电容的装置，包括壳体、陶瓷基片和大功率电阻;壳体的上表面设置有第一型腔，第一型腔的底部设置有第二型腔，第二型腔的底部设置有通槽;所述的陶瓷基片固定于第二型腔中；大功率电阻固定于陶瓷基片上且大功率电阻位于通槽正上方。
[0005]所述的陶瓷基片通过环氧树脂胶固定于第二型腔中。
[0006]所述的大功率电阻通过环氧树脂胶固定于陶瓷基片上。
[0007]所述的第二型腔尺寸与陶瓷基片尺寸相同。
[0008]所述的通槽的尺寸大于大功率电阻的尺寸。
[0009]所述的第二型腔的中心位于通槽中心的正上方。
[0010]所述的陶瓷基片平行固定于第二型腔中。
[0011]本实用新型的有益效果是:(I)第二型腔底部设置通槽，大功率电阻位于通槽正上方，大功率电阻正下方与地之间相隔有通槽，能够从根源上有效减小大功率电阻与地之间的寄生电容。
[0012](2)第二型腔中设置有陶瓷基片，大功率电阻设置于陶瓷基片上，解决了大功率电阻正下方与地之间悬空后的散热问题，从而能够保证大功率电阻的功率。
[0013](3)通过环氧树脂胶实现大功率电阻和陶瓷基片的固定，环氧树脂胶粘性强，稳定性高，固定效果好，能够使装置在使用过程中更加稳定。
[0014](4)第二型腔与陶瓷基片尺寸相同，使陶瓷基片能够嵌入第二型腔中，进一步保证了装置的稳定性。
[0015](5)通槽的尺寸大于大功率电阻的尺寸，能够使大功率电阻正下方与地之间完全悬空，减小寄生电容的效果更好。
[0016](6)结构简单、使用方便，不需要额外的器件来降低寄生电容，成本低廉。
【附图说明】
[0017]图1为本实用新型的结构不意图。
[0018]图中，1-壳体，2-第一型腔，3-第二型腔，4-通槽，5-陶瓷基片，6_大功率电阻。
【具体实施方式】
[0019]下面结合附图进一步详细描述本实用新型的技术方案，但本实用新型的保护范围不局限于以下所述。
[0020]如图1所示，一种减小大功率电阻寄生电容的装置，包括壳体1、陶瓷基片5和大功率电阻6;壳体I的上表面设置有第一型腔2，第一型腔2的底部设置有第二型腔3，第二型腔3的底部设置有通槽4;所述的陶瓷基片5固定于第二型腔3中；大功率电阻6固定于陶瓷基片5上且大功率电阻6位于通槽4正上方。
[0021]进一步地，第二型腔3的尺寸小于第一型腔2的尺寸，通槽4的尺寸小于第二型腔3的尺寸。
[0022]所述的陶瓷基片5通过环氧树脂胶固定于第二型腔3中。
[0023]所述的大功率电阻6通过环氧树脂胶固定于陶瓷基片5上。
[0024]所述的第二型腔3尺寸与陶瓷基片5尺寸相同。
[0025]所述的通槽4的尺寸大于大功率电阻6的尺寸。
[0026]所述的第二型腔3的中心位于通槽4中心的正上方，在此基础上，由于第二型腔3尺寸与陶瓷基片5尺寸相同，陶瓷基片5通过环氧树脂胶固定于第二型腔3中，所以能够保证陶瓷基片5的中心位于通槽4中心的正上方;进一步地，将大功率电阻6的中心固定于陶瓷基片5的中心;从而严格保证了大功率电阻6中心位于通槽4中心的正上方。
[0027]进一步地，第二型腔3可以位于第一型腔2底部的任何位置，不作具体限制。
[0028]所述的陶瓷基片5平行固定于第二型腔3中。
[0029]在进行设计时，考虑到大功率电阻6与地之间寄生电容的问题，故在大功率电阻6的正下方给壳体掏槽，形成通槽4，从根源上减小大功率电阻6与地之间产生的寄生电容。
[0030]考虑到大功率电阻6悬空后产生散热不良的问题，故在大功率电阻6和通槽4之间设置陶瓷基片5，此时，大功率电阻6正下方与地之间依然相隔一个通槽4，是悬空的，同时大功率电阻6通过陶瓷基片5能够迅速散热。
[0031]在对本装置进行应用时，只需要将电路的印制板安装在本申请的第一型腔2中，再将电路印制板与本申请中的大功率电阻6连接，就能够进行工作，保证大功率电阻的散热，减小大功率电阻与地之间的寄生电容。
【主权项】
1.一种减小大功率电阻寄生电容的装置，其特征在于:包括壳体(I)、陶瓷基片(5)和大功率电阻(6);壳体(I)的上表面设置有第一型腔(2)，第一型腔(2)的底部设置有第二型腔(3)，第二型腔(3)的底部设置有通槽(4);所述的陶瓷基片(5)固定于第二型腔(3)中；大功率电阻(6)固定于陶瓷基片(5)上且大功率电阻(6)位于通槽(4)正上方。2.根据权利要求1所述的一种减小大功率电阻寄生电容的装置，其特征在于:所述的陶瓷基片(5)通过环氧树脂胶固定于第二型腔(3)中。3.根据权利要求1所述的一种减小大功率电阻寄生电容的装置，其特征在于:所述的大功率电阻(6)通过环氧树脂胶固定于陶瓷基片(5)上。4.根据权利要求1所述的一种减小大功率电阻寄生电容的装置，其特征在于:所述的第二型腔(3)的尺寸与陶瓷基片(5)尺寸相同。5.根据权利要求1所述的一种减小大功率电阻寄生电容的装置，其特征在于:所述的通槽(4)的尺寸大于大功率电阻(6)的尺寸。6.根据权利要求1所述的一种减小大功率电阻寄生电容的装置，其特征在于:所述的第二型腔(3)的中心位于通槽(4)中心的正上方。7.根据权利要求1所述的一种减小大功率电阻寄生电容的装置，其特征在于:所述的陶瓷基片(5)平行固定于第二型腔(3)中。
【专利摘要】本实用新型公开了一种减小大功率电阻寄生电容的装置，包括壳体(1)、陶瓷基片（5）和大功率电阻（6）；壳体（1）的上表面设置有第一型腔（2），第一型腔（2）的底部设置有第二型腔（3），第二型腔（3）的底部设置有通槽（4）；所述的陶瓷基片（5）固定于第二型腔（3）中；大功率电阻（6）固定于陶瓷基片（5）上且大功率电阻（6）位于通槽(4)正上方。本实用新型提供一种减小大功率电阻寄生电容的装置，从根源上减小了大功率电阻与地之间的寄生电容。
【IPC分类】H01C1/084, H01C1/01
【公开号】CN205177520
【申请号】CN201521032556
【发明人】王芳
【申请人】成都市金天之微波技术有限公司
【公开日】2016年4月20日
【申请日】2015年12月14日