一种多极永磁转子的充磁装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型属于磁体制备装置技术领域，具体涉及为一种多极永磁转子的充磁装置。
【背景技术】
[0002]目前，永磁转子凭借高性能化、高效节能等特点，占据了广泛的市场空间。随着永磁转子的应用不断深入生活，产生了对永磁转子轻型化、小型化的需求。
[0003]发明人未见小型化的多极永磁转子充磁设备的相关报道，因此，研发了充磁装置，以适用于多极永磁转子的充磁。
【实用新型内容】
[0004]本实用新型的目的在于克服上述提到的缺陷和不足，而提供一种多极永磁转子的充磁装置。
[0005]本实用新型实现其目的采用的技术方案如下。
[0006]—种多极永磁转子的充磁装置，包括基体，所述基体为中空的圆柱体，基体开设有轴向贯通的内孔，所述内孔与基体同轴设置;所述基体内壁均匀嵌设有轴向设置的磁体，相邻磁体的磁性相反设置。
[0007]所述磁体包括导线；所述基体内壁均匀开设有轴向设置的嵌孔;所述嵌孔通过过道与内孔相连通。
[0008]所述导线在嵌孔中卷绕形成线圈；相邻嵌孔中的导线相互串联且相邻嵌孔中的导线的卷绕方向相反;所述导线在嵌孔中至少卷绕一圈。
[0009]所述磁体还包括铁芯，所述铁芯轴向设置于嵌孔中央，所述导线卷绕于铁芯。
[0010]本装置通过磁体对待充磁工件施加一脉冲磁场，实现对工件的充磁目的。本装置可以对小极宽工件的充磁，例如小于2_，实现了对多极永磁转子的充磁。
【附图说明】
[0011]图1是本实用新型的结构示意图；
[0012]图2是本实用新型的半剖视图；
[00?3] 图中:1-内孔、2-基体、2a-嵌孔、2b-过道、3-磁体、3a-导线、3b-铁芯。
【具体实施方式】
[0014]下面结合附图，对本实用新型作进一步详细说明。
[0015]—种多极永磁转子的充磁装置，包括基体2，所述基体2为中空的圆柱体，基体2开设有轴向贯通的内孔I，所述内孔I与基体2同轴设置。磁场通过基体2完成磁路闭合，内孔I中穿设待充磁工件。
[0016]所述基体2内壁均匀嵌设有轴向设置的磁体3，相邻磁体3的磁性相反设置。
[0017]作为优选，所述磁体3包括导线3a;所述基体2内壁均匀开设有轴向设置的嵌孔2a;所述嵌孔2a通过过道2b与内孔I相连通。导线3a穿过过道2b与相邻磁体3的导线3a串联。
[0018]所述导线3a在嵌孔2a中卷绕形成线圈；相邻嵌孔2a中的导线3a相互串联且相邻嵌孔2a中的导线3a的卷绕方向相反。所述导线3a在嵌孔2a中至少卷绕一圈。
[0019]作为更优选，所述磁体3还包括铁芯3b，所述铁芯3b轴向设置于嵌孔2a中央，所述导线3a卷绕于铁芯3b。
[0020]工作时，往导线3a上加载脉冲电流，峰值为10KA，通电线圈产生磁场，通过基体2完成磁路闭合，对待充磁工件施加一脉冲磁场，实现对工件的充磁目的。本装置可以对小极宽工件的充磁，例如小于2_，实现了对多极永磁转子的充磁。
[0021]本实用新型按照实施例进行了说明，在不脱离本原理的前提下，本装置还可以作出若干变形和改进。应当指出，凡采用等同替换或等效变换等方式所获得的技术方案，均落在本实用新型的保护范围内。
【主权项】
1.一种多极永磁转子的充磁装置，其特征在于，包括基体(2)，所述基体(2)为中空的圆柱体，基体(2)开设有轴向贯通的内孔(I)，所述内孔(I)与基体(2)同轴设置;所述基体(2)内壁均匀嵌设有轴向设置的磁体(3)，相邻磁体(3)的磁性相反设置。2.如权利要求1所述的一种多极永磁转子的充磁装置，其特征在于，所述磁体(3)包括导线(3a);所述基体(2)内壁均匀开设有轴向设置的嵌孔(2a);所述嵌孔(2a)通过过道(2b)与内孔(I)相连通。3.如权利要求2所述的一种多极永磁转子的充磁装置，其特征在于，所述导线(3a)在嵌孔(2a)中卷绕形成线圈；相邻嵌孔(2a)中的导线(3a)相互串联且相邻嵌孔(2a)中的导线(3a)的卷绕方向相反;所述导线(3a)在嵌孔(2a)中至少卷绕一圈。4.如权利要求2所述的一种多极永磁转子的充磁装置，其特征在于，所述磁体(3)还包括铁芯(3b)，所述铁芯(3b)轴向设置于嵌孔(2a)中央，所述导线(3a)卷绕于铁芯(3b)。
【专利摘要】一种多极永磁转子的充磁装置，属于磁体制备装置技术领域，包括基体，所述基体为中空的圆柱体，基体开设有轴向贯通的内孔，所述内孔与基体同轴设置；所述基体内壁均匀嵌设有轴向设置的磁体，相邻磁体的磁性相反设置。本装置通过磁体对待充磁工件施加一脉冲磁场，实现对工件的充磁目的。本装置可以对小极宽工件的充磁，例如小于2mm，实现了对多极永磁转子的充磁。
【IPC分类】H02K15/03, H01F13/00
【公开号】CN205211519
【申请号】CN201521078588
【发明人】石康
【申请人】绍兴康健精密不锈钢有限公司
【公开日】2016年5月4日
【申请日】2015年12月22日