一种芯片的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及半导体芯片加工技术领域，具体涉及一种芯片。
【背景技术】
[0002]半导体芯片广泛用于各种电器，电源的整流，二极管、三极管、整流器及超快恢复线路都有使用，现有技术是，芯片制作工艺是在芯片上均匀的刻出沟道，边缘晶粒的沟道与中心位置晶粒沟道尺寸一致，在低电压测试时漏电小，当用1200V电压测试时，漏电远远大于工艺参数，这是现有技术的不足之处。
【发明内容】
[0003]本实用新型的目的在于，克服现有技术的不足，提供了一种通过改变芯片边沿晶粒沟道设置，大大提高了产品的合格率的一种芯片。
[0004]为解决上述技术问题，本实用新型的技术方案为:一种芯片，由纵横沟道间隔组成晶粒的芯片本体，其特征在于:在所述芯片本体的边沿沟道的外侧增加设置一条刻痕，并在所述刻痕里填充玻璃。
[0005]本实用新型的进一步改进有，所述刻痕设置在不完整的所述晶粒上面。这样保证芯片的所有晶粒都是完整的。
[0006]本实用新型的进一步改进还有，所述刻痕与所述芯片本体的边沿沟道间距为L，L为 250μηι-400μηιο
[0007]本实用新型的进一步改进还有，所述刻痕与所述沟道的尺寸一致。
[0008]说明书中没有描述的结构属于现有技术。
[0009]本方案的有益效果可根据对上述方案的叙述得知，做一次光刻时，通过改变光刻版的图形，在晶片边沿的沟道处外侧增加了一条沟道，并确保开沟时沟道与图形一致，然后沟道里填满玻璃，解决边缘漏电，保证边缘一周的晶粒符合工艺参数，提高良率，降低成本。由原来的90%提高到现在的97%，并在下一步工序中，节省时间50%，大大地提高了工作效率，并保证了合格率，由于良率和效率的提升在成本方面节约了8%。
【附图说明】
[0010]图1为本实用新型的结构示意图，图2为图1的A局部放大结构示意图。图中:1_芯片本体，2_晶粒，3_沟道，4_刻痕。
【具体实施方式】
[0011 ]下面结合附图和【具体实施方式】对本实用新型作进一步详细说明。
[0012]通过附图可以看出，一种芯片，由纵横沟道3间隔组成晶粒2的芯片本体I，其特征在于:在所述芯片本体I的边沿沟道3的外侧增加设置一条刻痕4，并在所述刻痕4里填充玻璃。所述刻痕4设置在不完整的所述晶粒2上面。所述刻痕4与所述芯片本体I的边沿沟道间距为L，L为250μηι-400μηι。所述刻痕4与所述沟道3的尺寸一致。
[0013]当然，上述说明并非对本实用新型的限制，本实用新型也不仅限于上述举例，本技术领域的普通技术人员在本实用新型的实质范围内所做出的变化、改型、添加或替换，也属于本实用新型的保护范围。
【主权项】
1.一种芯片，由纵横沟道间隔组成晶粒的芯片本体，其特征在于:在所述芯片本体的边沿沟道的外侧增加设置一条刻痕，并在所述刻痕里填充玻璃。2.根据权利要求1所述的一种芯片，其特征在于:所述刻痕设置在不完整的所述晶粒上面。3.根据权利要求1所述的一种芯片，其特征在于:所述刻痕与所述芯片本体的边沿沟道间距为 L，L 为 250μηι-400μηι。4.根据权利要求1所述的一种芯片，其特征在于:所述刻痕与所述沟道的尺寸一致。
【专利摘要】本实用新型公开了一种芯片，由纵横沟道间隔组成晶粒的芯片本体，其特征在于：在所述芯片本体的边沿沟道的外侧增加设置一条刻痕，并在所述刻痕里填充玻璃。本方案的有益效果是：做一次光刻时，通过改变光刻版的图形，在晶片边沿的沟道处外侧增加了一条沟道，并确保开沟时沟道与图形一致，然后沟道里填满玻璃，解决边缘漏电，保证边缘一周的晶粒符合工艺参数，提高良率，降低成本。由原来的90%提高到现在的97%，并在下一步工序中，节省时间50%，大大地提高了工作效率，并保证了合格率，由于良率和效率的提升在成本方面节约了8%。
【IPC分类】H01L23/31, H01L23/29
【公开号】CN205211726
【申请号】CN201520869113
【发明人】王大勇, 孙者利
【申请人】济南卓微电子有限公司
【公开日】2016年5月4日
【申请日】2015年11月3日