一种多晶硅刻蚀工艺中使用的硅片收集装置的制造方法

文档序号:10300271阅读:358来源:国知局
一种多晶硅刻蚀工艺中使用的硅片收集装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型属于多晶硅太阳能电池片技术领域,具体涉及一种刻蚀下料处使用的硅片自动收集装置。
【背景技术】
[0002]现在多晶硅太阳能电池片的生产领域所用刻蚀机大多数是人为下料操作,不仅会污染片盒,而且速度较慢;同时在将片子插入片盒时经常会因用力过大而产生碎片,降低了生产的效率与质量。

【发明内容】

[0003]为解决现有技术存在的问题,本实用新型提供一种一种多晶硅刻蚀工艺中使用的硅片自动收集装置,该装置通过在硅片输送带的端侧下端安装收集装置实现硅片的自动收集,并且该装置可以根据硅片的重量自动下沉,从而可一次性收集多个硅片,并且收集的硅片不会因为碰撞产生碎片。
[0004]为实现上述目的,本实用新型采用以下技术方案:一种多晶硅刻蚀工艺中使用的硅片收集装置,包括硅片输送装置,硅片输送装置出料口侧端安装有硅片收集装置,所述硅片收集装置包括接料板、缓冲垫及缓冲垫支撑架,所述缓冲垫安装在缓冲垫支架上,所述接料板旋转安装在缓冲垫下方的缓冲垫支撑架上,接料板的另一端安装有升降杆,所述升降杆包括滑杆、弹簧及带有空腔的固定杆,所述弹簧套接在滑杆的外侧,所述滑杆的一端固定在接料板上,另一端插入固定杆的空腔内,所述固定杆的底端安装在基座上;
[0005]进一步,所述缓冲垫为海绵垫。
[0006]本实用新型有效提升了多晶硅太阳能电池片的刻蚀工艺生产效率,降低产品不良率与碎片率,节约成本,提高了企业效益。
【附图说明】
[0007]为对本实用新型做进一步说明,下面列举附图及【具体实施方式】。
[0008]图1为本实用新型的结构示意图。
【具体实施方式】
[0009]如图1所示,一种多晶硅刻蚀工艺中使用的硅片收集装置,包括硅片输送装置1,硅片输送装置I出料口侧端安装有硅片收集装置,所述硅片收集装置包括接料板2、缓冲垫3及缓冲垫支撑架4,所述缓冲垫3安装在缓冲垫支架4上,所述接料板2旋转安装在缓冲垫3下方的缓冲垫支撑架4上,接料板2的另一端安装有升降杆,所述升降杆包括滑杆5、弹簧6及带有空腔的固定杆7,所述弹簧6套接在滑杆5的外侧,所述滑杆5的一端固定在接料板2上,另一端插入固定杆7的空腔内,所述固定杆7的底端安装在基座8上;
[0010]进一步,所述缓冲垫3为海绵垫。
[0011]显而易见,上述实施方式仅仅为本实用新型的其中一个实施例,本实用新型可显而易见的得到其他实施方式,因此,任何在本实用新型所提供原理及结构的基础上做出的简单改进均属于本实用新型的保护范围。
【主权项】
1.一种多晶硅刻蚀工艺中使用的硅片收集装置,包括硅片输送装置,其特征在于硅片输送装置出料口侧端安装有硅片收集装置,所述硅片收集装置包括接料板、缓冲垫及缓冲垫支撑架,所述缓冲垫安装在缓冲垫支架上,所述接料板旋转安装在缓冲垫下方的缓冲垫支撑架上,接料板的另一端安装有升降杆,所述升降杆包括滑杆、弹簧及带有空腔的固定杆,所述弹簧套接在滑杆的外侧,所述滑杆的一端固定在接料板上,另一端插入固定杆的空腔内,所述固定杆的底端安装在基座上;2.根据权利要求1所述的一种多晶硅刻蚀工艺中使用的硅片收集装置,其特征在于所述缓冲垫为海绵垫。
【专利摘要】一种多晶硅刻蚀工艺中使用的硅片收集装置,包括硅片输送装置,硅片输送装置出料口侧端安装有硅片收集装置,所述硅片收集装置包括接料板、缓冲垫及缓冲垫支撑架,所述缓冲垫安装在缓冲垫支架上,所述接料板旋转安装在缓冲垫下方的缓冲垫支撑架上,接料板的另一端安装有升降杆,所述升降杆包括滑杆、弹簧及带有空腔的固定杆,所述弹簧套接在滑杆的外侧,所述滑杆的一端固定在接料板上,另一端插入固定杆的空腔内,所述固定杆的底端安装在基座上,本实用新型有效提升了多晶硅太阳能电池片的刻蚀工艺生产效率,降低产品不良率与碎片率,节约成本,提高了企业效益。
【IPC分类】H01L31/18
【公开号】CN205211783
【申请号】CN201520670459
【发明人】王曼, 史磊, 钱金梁
【申请人】润峰电力有限公司
【公开日】2016年5月4日
【申请日】2015年9月1日
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