一种降低带制冷型光发射组件功耗的装置的制造方法
【技术领域】
[0001] 本实用新型设及一种降低功耗的装置，尤其设及一种降低带制冷型光发射组件功 耗的装置。
【背景技术】
[0002] 随着光通讯向小型化和高密度方向的发展，符合lOGb/s小型器件多源协议 (Multi-Source Agreement of 10(ib/s Minia1:ure Device,简称XMD)的BOX封装的光发射 组件应用越来越广泛，即带致冷型BOX封装激光二极管的发射组件，在本专利申请文件中， 该带致冷型BOX封装激光二极管的发射组件简称带制冷型光发射组件。
[0003] 带制冷型光发射组件，即带致冷型BOX封装激光二极管发射组件有W下优势：良好 的射频性能，BOX的空间较大，有足够的产品设计空间，但是功耗较大。功耗主要包括:有源 功耗和无源功耗，有源功耗包括激光二极管忍片和半导体制冷器等的功耗，无源功耗包括 导电金属线等的功耗，由于激光二极管忍片和半导体制冷器等器件本身功耗大，工艺复杂， 所W对光发射组件内部热设计提出更高的要求，即会对带致冷型BOX封装激光二极管的发 射组件的内部热设计提出更高的要求。
[0004] 现有技术的带制冷型光发射组件常用的设计方法中，多根导电金属线用于连接封 装外壳和COC载体，COC载体即化ip on Carrier载体，简称COC载体;基于射频性能的考虑， 要求多根导电金属线长度较短，导电金属线的导热系数达到380W/(m . K)，根据傅里叶公式 可知，多根导电金属线热阻很小，运样导致封装外壳溫度随环境溫度变化过程中，尤其是环 境溫度为高溫时，封装外壳会通过导电金属线将热量传递到COC上，进而导致半导体致冷器 负载加大，最终导致整个光发射组件的功耗急剧增大。
【发明内容】
[0005] 本实用新型所要解决的技术问题是需要提供一种能够改善并降低带制冷型光发 射组件功耗的装置。
[0006] 对此，本实用新型提供一种降低带制冷型光发射组件功耗的装置，包括：信号陶 瓷、跳垫载体支柱构件、跳垫载体、半导体致冷器和激光二极管忍片载体，所述信号陶瓷与 所述跳垫载体相连接，所述跳垫载体与所述激光二极管忍片载体相连接，跳垫载体支柱构 件设置于所述跳垫载体的下方，所述半导体致冷器设置于所述激光二极管忍片载体的下 方。
[0007] 本实用新型的进一步改进在于，所述跳垫载体支柱构件包括第一跳垫载体支柱和 第二跳垫载体支柱，所述第一跳垫载体支柱和第二跳垫载体支柱对称设置于所述跳垫载体 两端的下方。
[000引本实用新型的进一步改进在于，还包括第一导电金属线，所述信号陶瓷通过第一 导电金属线与所述跳垫载体相连接。
[0009]本实用新型的进一步改进在于，还包括第二导电金属线，所述跳垫载体通过第二 导电金属线与所述激光二极管忍片载体相连接。
[0010] 本实用新型的进一步改进在于，所述激光二极管忍片载体包括激光二极管忍片和 导热忍片载体，所述激光二极管忍片贴装在所述导热忍片载体上。
[0011] 本实用新型的进一步改进在于，所述跳垫载体为导热跳垫载体，所述跳垫载体的 导热系数比导热忍片载体的导热系数小。
[0012] 本实用新型的进一步改进在于，所述半导体致冷器包括半导体致冷器冷端和半导 体致冷器热端，所述半导体致冷器冷端设置于所述导热忍片载体的下方，所述半导体致冷 器热端设置于所述半导体致冷器远离所述导热忍片载体的一端。
[0013] 本实用新型的进一步改进在于，还包括封装外壳底部，所述跳垫载体支柱构件和 半导体致冷器热端分别设置于所述封装外壳底部上。
[0014] 本实用新型的进一步改进在于，还包括封装外壳、封装外壳盖和封装外壳引线管 脚;所述封装外壳盖设置于所述封装外壳上，所述封装外壳引线管脚与所述封装外壳的一 端相连接。
[0015] 本实用新型的进一步改进在于，还包括封装外壳光口，所述封装外壳光口设置于 所述封装外壳远离所述封装外壳引线管脚的一端。
[0016] 本实用新型的进一步改进在于，还包括封装外壳光窗，所述封装外壳光窗设置于 所述封装外壳光口内。
[0017] 与现有技术相比，本实用新型的有益效果在于:通过跳垫载体支柱构件和跳垫载 体的设置，进而与其他构件相互配合W增大了跳垫载体本身W及跳垫载体与外部热传递的 热阻，进而降低跳垫载体的溫度，能够大大改善光发射组件的功耗问题，降低了其功耗，有 效减小半导体致冷器的负载。
【附图说明】
[0018] 图1是本实用新型一种实施例的剖面结构示意图；
[0019] 图2是本实用新型一种实施例组装后的整体结构示意图；
[0020] 图3是本实用新型一种实施例的跳垫载体与跳垫载体支柱构件的组装结构示意 图。
【具体实施方式】
[0021] 下面结合附图，对本实用新型的较优的实施例作进一步的详细说明。
[0022] 如图1至图3所示，本例提供一种降低带制冷型光发射组件功耗的装置，包括:信号 陶瓷105、跳垫载体支柱构件200、跳垫载体300、半导体致冷器500和激光二极管忍片载体 600,所述信号陶瓷105与所述跳垫载体300相连接，所述跳垫载体300与所述激光二极管忍 片载体600相连接，跳垫载体支柱构件200设置于所述跳垫载体300的下方，所述半导体致冷 器500设置于所述激光二极管忍片载体600的下方。所述激光二极管忍片载体600即为COC载 体;所述跳垫载体300为低导热系数的跳垫载体。
[0023] 如图1和图2所示，本例所述跳垫载体支柱构件200包括第一跳垫载体支柱201和第 二跳垫载体支柱202,所述第一跳垫载体支柱201和第二跳垫载体支柱202对称设置于所述 跳垫载体300两端的下方。
[0024]如图I所示，本例还包括第一导电金属线400、第二导电金属线700、封装外壳底部 106、封装外壳100、封装外壳盖101、封装外壳引线管脚102、封装外壳光口 103和封装外壳光 窗104;所述信号陶瓷105通过第一导电金属线400与所述跳垫载体300相连接，所述跳垫载 体300通过第二导电金属线700与所述激光二极管忍片载体600相连接;所述跳垫载体支柱 构件200和半导体致冷器热端502分别设置于所述封装外壳底部106上;所述封装外壳盖101 设置于所述封装外壳100上，进而与所述封装外壳底部106共同形成内部带空腔的封装结 构，所述信号陶瓷105、跳垫载体支柱构件200、跳垫载体300、半导体致冷器500和激光二极 管忍片载体600均设置于所述空腔内；所述封装外壳引线管脚102与所述封装外壳100的一 端相连接;所述封装外壳光口 103设置于所述封装外壳100远离所述封装外壳引线管脚102 的一端，所述封装外壳光窗104设置于所述封装外壳光口 103内。
[00巧]如图1所示，本例所述激光二极管忍片载体600包括激光二极管忍片601和导热忍 片载体602，所述激光二极管忍片601贴装在所述导热忍片载体602上;所述跳垫载体300为 导热跳垫载体，所述跳垫载体300的导热系数比导热忍片载体602的导热系数小;所述半导 体致冷器500包括半导体致冷器冷端501和半导体致冷器热端502,所述半导体致冷器冷端 501设置于所述导热忍片载体602的下方，所述半导体致冷器热端502设置于所述半导体致 冷器500远离所述导热忍片载体602的一端。所述导热忍片载体602为高导热材料的CO