一种等离子体刻蚀设备的制造方法

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一种等离子体刻蚀设备的制造方法
【技术领域】
[0001 ]本实用新型涉及一种等离子体刻蚀设备。
【背景技术】
[0002]半导体元件加工过程中,常采用等离子体刻蚀法对衬底进行刻蚀以制备图形化衬底,或者对晶圆进行刻蚀,以制备所需图案的晶圆。等离子体刻蚀法通常采用等离子体刻蚀设备进行刻蚀。
[0003]目前,常见的等离子刻蚀设备通常包括3个腔体:放置载盘的第一腔体,传送载盘的第二腔体和刻蚀载盘上基片的第三腔体。在设备运作过程中,第一腔体为非真空环境,而第三腔体必须通过抽真空系统形成真空环境,因此当第二腔体作为传送腔时,需要在真空环境和非真空环境下进行切换。当第二腔体由真空环境向非真空环境切换时,气体通过进气孔进入第二腔体内进行破气,目前破气时等离子体刻蚀设备的进气孔靠近载盘位置,破气时造成气流扰动,产生扬尘,易对载盘上的基片污染;同时载盘上方无任何保护装置,气体中的颗粒等杂质掉落基片上也易对其造成污染。

【发明内容】

[0004]为解决现有等离子体刻蚀设备的不足,本实用新型提供一种改进的等离子体刻蚀设备,通过在第二腔体内增加遮罩装置对载盘上的基片进行保护,防止载盘上的基片在第二腔体破气时气体中脏污对其的污染,提高基片的刻蚀良率。具体技术方案如下:
[0005]—种等离子体刻蚀设备,用于对基片进行等离子体刻蚀,至少包括:承载复数个基片的载盘、放置复数个载盘的第一腔体、传送所述载盘的第二腔体、以及刻蚀所述基片的第三腔体,所述第一腔体、第二腔体和第三腔体分别通过自由开关的隔板连接,通过控制所述隔板开关状态,实现所述第一腔体、第二腔体和第三腔体的连通或隔离;所述第二腔体内设置有传送装置,用于在第一腔体和第三腔体之间传送所述载盘;第一腔体为非真空腔体、第三腔体为真空腔体、而第二腔体在真空腔体和非真空腔体之间切换;其特征在于:所述第二腔体内于所述载盘上方还设置一遮罩装置,当所述遮罩装置罩于所述载盘上时,保护所述载盘上的基片免受污染。
[0006]优选的,所述遮罩装置包括一驱动机构、一伸缩连杆、一遮罩,所述驱动机构和遮罩连接于所述伸缩连杆的两端,所述驱动机构通过所述伸缩连杆驱动所述遮罩的升降。
[0007]优选的,所述遮罩包括遮板和沿所述遮板周边向下延伸的侧板。
[0008]优选的,所述侧板上具有复数个供气体进出以平衡所述遮罩内外压强的筛孔。
[0009]优选的,所述筛孔均匀分布或者不均匀分布。
[0010]优选的,所述遮罩的大小与所述载盘匹配。
[0011]优选的,所述第二腔体内具有供气体进出的进气孔和出气孔。
[0012]优选的,所述气孔远离所述载盘位置,并且所述进气孔上方具有栅网。
[0013]优选的,所述第一腔体内设置复数个用于放置所述载盘的载盘架。
[0014]优选的,所述传送装置为机械手。
[0015]本实用新型至少具有以下有益效果:
[0016]通过在第二腔体内增设遮罩装置,当第二腔体由真空环境向非真空环境切换破气时,遮罩装置中的遮罩下降并恰好罩于载盘上,保护载盘上的基片,防止破气时进入腔体的气体以及腔体中的脏污对载盘上基片的污染;另外,将第二腔体的进气孔设置于远离载盘的位置,并在进气孔上方增设栅网,同样防止扬尘产生,避免破气时对基片的污染。
【附图说明】
[0017]图1为本实用新型之等离子体刻蚀设备俯视结构示意图。
[0018]图2为本实用新型之第一腔体侧视结构示意图。
[0019]图3为本实用新型之第二腔体侧示结构意视图。
[0020]图4为本实用新型之遮罩立体结构示意图。
[0021]附图标注:
[0022]10.第一腔体;11.载盘;12.载盘架;20.第二腔体;21.传送装置;22.遮罩装置;221.驱动机构;222.伸缩连杆;223.遮罩;2231.遮板;2232.侧板;22320.筛孔;23.进气孔;231.栅网;24.出气孔;25.真空系统;30.第三腔体;40.挡板。
【具体实施方式】
[0023]以下结合附图和具体实施例对本实用新型进行详细说明。需说明的是,本实用新型的附图均采用非常简化的非精准比例,仅用以方便、明晰的辅助说明本实用新型。
[0024]参看附图1,本实用新型提供一种等离子体刻蚀设备,用于对基片进行等离子体刻蚀,至少包括:第一腔体10、第二腔体20和第三腔体30,其中第一腔体10和第二腔体20、以及第二腔体20和第三腔体30分别通过自由开关的隔板40连接,通过控制隔板40的开关状态使第一腔体10、第二腔体20和第三腔体30连通或者隔离。第一腔体10内放置复数个承载基片的载盘11,第二腔体20内设置有传送装置21,用于在第一腔体10和第三腔体30之间传送载盘11,本实施例中优选传送装置21为机械手,第三腔体30则对基片进行刻蚀。其中第一腔体10为非真空腔体,第三腔体30为真空腔体,而第二腔体20在真空腔体和非真空腔体之间切换,即当第一腔体10和第二腔体20之间的隔板40打开时,第二腔体20为非真空腔体,而当第二腔体20和第三腔体30之间的隔板40打开时,第二腔体20则切换为真空腔体。
[0025]参看附图2,第一腔体10内设置复数个用于放置载盘11的载盘架12,载盘架12平行排列,每一载盘架12上放置一个载盘11。本实施例中,优选设置5个载盘架21,并且从上至下分别编号为A、B、C、D和E,以便识别。
[0026]参看附图3,在第二腔体20内于载盘11上方还设置一遮罩装置22,当第二腔体20由真空腔体向非真空腔体切换时,遮罩装置22罩于载盘11上,防止气体及腔体中的脏污掉落到基片表面,保护基片免受脏污污染。遮罩装置22包括一驱动机构221、一伸缩连杆222、一遮罩223,驱动机构221和遮罩223连接于伸缩连杆222的两端,驱动机构221通过伸缩连杆222驱动遮罩223的升降。遮罩223与载盘11匹配,便于恰好罩于载盘11上,本实施例中载盘11和遮罩223的形状可为圆形、方形或其他不规则形,本实施例中两者均优选为圆形;遮罩223的材料可选用金属、塑料等。为了实现第二腔体20在真空腔体和非真空腔体之间的切换,第二腔体20的底部具有供气体进出的进气孔23和出气孔24,进气孔23与氮气等气体供应系统(图中未示出)连接,出气孔24与真空系统25连接。当第二腔体20需真空环境时,真空系统25将第二腔体20内气体抽走,使第二腔体20形成真空腔体;而当第二腔体20需非真空环境时,气体供应系统将氮气等(如图3中箭头所示)通过进气孔23注入第二腔体20内,使第二腔体20破气,由真空环境向非真空环境切换,形成非真空腔体。由于传统的进气孔23靠近载盘11,当第二腔体20破气时,气体直接吹向载盘11,产生较强的气流,进而产生扬尘,使扬尘中的脏污污染基片。因此,本实施例中,将进气孔23设置于远离载盘11的位置,并且在进气孔23的上方增设栅网231,从而实现在破气时减小气流,防止扬尘,保护基片的目的。
[0027]参看附图4,遮罩223包括遮板2231和沿遮板2231周边向下延伸的侧板2232。侧板2232上具有复数个供气体进出以平衡遮罩223内外压强的筛孔22320。筛孔22320均匀分布或者不均匀分布,本实施例中优选筛孔22320均匀分布于侧板2232上。筛孔22320的直径尽可能小,防止较大颗粒的脏污进入。气体通过筛孔22320进入遮罩223内,使遮罩223内外的气压平衡,防止随后遮罩223无法移动。
[0028]本实用新型通过在第二腔体内增设遮罩装置,当第二腔体由真空环境向非真空环境切换破气时,遮罩装置中的遮罩下降并恰好罩于载盘上,保护载盘上的基片,防止破气时进入腔体的气体中的脏污对载盘上基片的污染;另外,将第二腔体的进气孔设置于远离载盘的位置,并在进气孔上方增设栅网,同样防止扬尘产生,避免破气时对基片的污染。
[0029]应当理解的是,上述具体实施方案为本实用新型的优选实施例,本实用新型的范围不限于该实施例,凡依本实用新型所做的任何变更,皆属本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.一种等离子体刻蚀设备,用于对基片进行等离子体刻蚀,至少包括:承载复数个基片的载盘、放置复数个载盘的第一腔体、传送所述载盘的第二腔体、以及刻蚀所述基片的第三腔体,所述第一腔体、第二腔体和第三腔体分别通过自由开关的隔板连接,通过控制所述隔板开关状态,实现所述第一腔体、第二腔体和第三腔体的连通或隔离;所述第二腔体内设置有传送装置,用于在第一腔体和第三腔体之间传送所述载盘;第一腔体为非真空腔体、第三腔体为真空腔体、而第二腔体在真空腔体和非真空腔体之间切换;其特征在于:所述第二腔体内于所述载盘上方还设置一遮罩装置,当所述遮罩装置罩于所述载盘上时,保护所述载盘上的基片免受污染。2.根据权利要求1所述的一种等离子体刻蚀设备,其特征在于:所述遮罩装置包括一驱动机构、一伸缩连杆、一遮罩,所述驱动机构和遮罩连接于所述伸缩连杆的两端,所述驱动机构通过所述伸缩连杆驱动所述遮罩的升降。3.根据权利要求2所述的一种等离子体刻蚀设备,其特征在于:所述遮罩包括遮板和沿所述遮板周边向下延伸的侧板。4.根据权利要求3所述的一种等离子体刻蚀设备,其特征在于:所述侧板上具有复数个供气体进出以平衡所述遮罩内外压强的筛孔。5.根据权利要求4所述的一种等离子体刻蚀设备,其特征在于:所述筛孔均匀分布或者不均匀分布。6.根据权利要求2所述的一种等离子体刻蚀设备,其特征在于:所述遮罩的大小与所述载盘匹配。7.根据权利要求1所述的一种等离子体刻蚀设备,其特征在于:所述第二腔体内具有供气体进出的进气孔和出气孔。8.根据权利要求7所述的一种等离子体刻蚀设备,其特征在于:所述进气孔远离所述载盘位置,并且所述进气孔上方具有栅网。9.根据权利要求1所述的一种等离子体刻蚀设备,其特征在于:所述第一腔体内设置复数个用于放置所述载盘的载盘架。10.根据权利要求1所述的一种等离子体刻蚀设备,其特征在于:所述传送装置为机械手。
【专利摘要】一种等离子体刻蚀设备,用于对基片进行等离子体刻蚀,至少包括:放置载盘的非真空第一腔体、传送载盘的第二腔体、刻蚀载盘上基片的真空第三腔体,本实用新型通过在第二腔体内增设遮罩装置,当第二腔体由真空环境向非真空环境切换破气时,遮罩装置中的遮罩下降并恰好罩于载盘上,保护载盘上的基片,防止破气时进入腔体的气体中的脏污对载盘上基片的污染;另外,将第二腔体的进气孔设置于远离载盘的位置,并在进气孔上方增设栅网,同样防止扬尘产生,避免破气时对基片的污染。
【IPC分类】H01J37/32
【公开号】CN205248232
【申请号】CN201521101500
【发明人】魏永吉, 徐翊翔, 刘加云, 刘超超
【申请人】安徽三安光电有限公司
【公开日】2016年5月18日
【申请日】2015年12月28日
再多了解一些
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