晶片熔蜡装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种晶片生产装置，具体涉及一种晶片熔蜡装置，用于晶片安全尚效生广。
【背景技术】
[0002]自从居里兄弟发现了石英晶体具有压电效应，压电石英晶体技术迄今有100年的历史。在40?50年代，广泛应用于军事、通讯方面，早期都是用天然石英加工，较多用于低频。50年代，开始用于人造晶体加工。70年代，出现了高频单片晶体滤波器，广泛应用于无线、微波、数字通讯、通讯导航及宇航技术。近年来，由于人工石英晶体合成技术，生产工艺的迅速发展，生产成本大幅度下降，使晶体的应用深入每个家庭。
[0003]水晶频率片，具有很高的频率稳定性，广泛用于数字电路，计算机、通讯等领域。石英晶体谐振器可以产生稳定频率。它的作用就是在电子线路中作为频率源或频率基准，是一个压电元件，能量在电能和机械能状态下每秒转换数百万次。现有的石英晶体频率片的制造工艺制造的产品，其厚度研磨时不容易控制，研磨后的晶体就已经决定了晶体的频率，有些厚度较薄的晶片，难以进行调节，甚至直接报废，大大浪费了原材料，导致成本的上升。
[0004]晶片很薄，无法一片片倒角加工，通过蜡可以将每一片薄如蝉翼的晶片粘接，形成块状的晶片组块，可以很方便的机械加工，而不损坏晶片。加工完成的晶片组块需要经过处理重新分离出一片片的晶片，目前基本采用烘箱热熔法、溶剂清洗法等工艺剥离晶片;但是存在剥离困难、易损坏晶片，特别是操作不安全、手法繁琐等问题。因此，很有必要研发一台新的设备，可以方便的将晶片从蜡接晶片组块中分离出来。
【发明内容】
[0005]本实用新型的目的是提供一种晶片熔蜡装置，可以均匀有效的熔化晶片组块中的錯O
[0006]为达到上述发明目的，本实用新型采用的技术方案是:一种晶片熔蜡装置，包括支架、加热平台、温控设备、排风设备、晶片承载盒以及晶片镊;所述加热平台安装在支架上；所述加热平台与支架之间设置隔热棉;所述加热平台四周设有挡板;所述挡板安装在支架上;所述温控设备与加热平台连接;所述排风设备安装在加热平台上方;所述晶片承载盒为长方体形结构;所述晶片承载盒对称设置两个把手;所述晶片镊的开口的端部内侧设有聚四氟乙烯层。
[0007]本实用新型中，温控设备控制加热平台的加热温度;可以将温控设备安装在加热平台下方，节省空间，而且不易被触碰。
[0008]本实用新型中，根据实际操作状态，排风装置位于支架上方，安装在加热平台上方，排风设备为吸风罩。在蜡熔化过程中会产生一些挥发物质，利用排风设备可以有效排除挥发物质，保证操作人员安全。
[0009]熔化蜡需要较高的温度，设置挡板可以有效避免工人烫伤，而且还可以防止晶片承载盒滑落;挡板高度为I?1.5厘米，可以达到保护目的，并且不妨碍操作。
[0010]本实用新型中，晶片镊用于夹持晶片，与常规镊子结构类似，一端开口；开口用于夹持晶片，开口端部内侧与晶片接触;通过在开口端部内侧设置聚四氟乙烯层可以防止晶片损伤，还有效避免夹持运输过程中蜡的再次凝固；优选聚四氟乙烯层厚度为500?600微米。
[0011]挡板安装在支架上，有隔热棉存在，不与加热平台接触，从而不会传递加热平台的热量，起到避免烫伤的效果;优选挡板可拆卸的安装在支架上。在加热平台与支架之间设置隔热棉，可以有效阻止热量在加热平台与支架之间的传递;加热平台可以选用常规加热板或者内嵌加热条的金属块。
[0012]由于上述技术方案运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点:
[0013]1.本实用新型首次提供了一种适合于晶片熔蜡的装置，在晶片组块完成倒角磨边后即可使用，将晶片组块中的蜡熔化，从而分离出一片片的晶片;是一种加热均匀、安全的
目.ο
[0014]2.本实用新型将晶片组块置于晶片承载盒中，再利用加热平台熔化蜡；晶片承载盒便于晶片运输，还可以盛放熔化的蜡液，并且使得晶片受热均匀，防止加热造成晶片内部应力不均；同时在晶片承载盒上设有对称的两个把手，方便操作。
【附图说明】
[0015]图1是实施例一晶片熔蜡装置的结构示意图；
[0016]其中:支架1、加热平台2、温控设备3、排风设备4、晶片承载盒5、晶片镊6、挡板7、把手8、聚四氟乙烯层9、隔热棉10。
【具体实施方式】
[0017]下面结合附图及实施例对本实用新型作进一步描述:
[0018]实施例一:参见图1所示，一种晶片熔蜡装置，包括支架1、加热平台2、温控设备3、排风设备4、晶片承载盒5以及晶片镊6;加热平台安装在支架上;温控设备位于加热平台下方;排风设备为吸风罩，安装在加热平台上方;加热平台四周设有高度为I.5厘米的挡板7 ；挡板可拆卸的安装在支架上，并不与加热平台接触;温控设备与加热平台连接，加热平台与支架之间设置隔热棉10。
[0019]晶片承载盒5为长方体形结构，对称设置两个把手8;晶片镊6开口的端部内侧设有厚度为500微米的聚四氟乙烯层9。加热熔蜡时，晶片承载盒位于加热平台上，内部放置蜡粘的晶片，晶片镊在操作人员手中或者工具放置处;不加热时，晶片承载盒与晶片镊放在工具放置处。附图为了清楚表现本实用新型的总体结构，将晶片承载盒以及晶片镊共同呈现在加热平台上。
[0020]实施例二:一种晶片熔蜡装置，由支架、加热平台、温控设备、排风设备、晶片承载盒以及晶片镊组成;加热平台安装在支架上;温控设备位于加热平台下方;排风设备为吸风罩，安装在加热平台上方;加热平台四周设有高度为I厘米的挡板;挡板焊接安装在支架上，并不与加热平台接触;温控设备与加热平台连接。晶片承载盒为长方体形结构，对称设置两个把手;晶片镊开口的端部内侧设有厚度为600微米的聚四氟乙烯层。
[0021]实际生产时，将由蜡粘合的晶片组块放入晶片承载盒中；然后将晶片承载盒放在加热平台上;开启温控，随着温度的上升，蜡开始融化;当蜡全部熔化后，将晶片承载盒移离加热平台；利用晶片镊夹出一片片晶片。
【主权项】
1.一种晶片熔蜡装置，其特征在于:所述晶片熔蜡装置包括支架、加热平台、温控设备、排风设备、晶片承载盒以及晶片镊;所述加热平台安装在支架上;所述加热平台与支架之间设置隔热棉;所述加热平台四周设有挡板;所述挡板安装在支架上;所述温控设备与加热平台连接;所述排风设备安装在加热平台上方;所述晶片承载盒为长方体形结构;所述晶片承载盒对称设置两个把手;所述晶片镊开口的端部内侧设有聚四氟乙烯层。2.根据权利要求1所述晶片熔蜡装置，其特征在于:所述温控设备位于加热平台下方。3.根据权利要求1所述晶片熔蜡装置，其特征在于:所述排风设备为吸风罩。4.根据权利要求1所述晶片熔蜡装置，其特征在于:所述挡板高度为I?1.5厘米;所述聚四氟乙稀层厚度为500?600微米。5.根据权利要求1所述晶片熔蜡装置，其特征在于:所述挡板可拆卸的安装在支架上。
【专利摘要】本实用新型公开了一种晶片熔蜡装置，包括支架、加热平台、温控设备、排风设备、晶片承载盒以及晶片镊；加热平台安装在支架上，其四周设有挡板；挡板安装在支架上，并不与加热平台接触；温控设备与加热平台连接；排风设备安装在加热平台上方；晶片承载盒为长方体形结构；晶片承载盒对称设置两个把手；晶片镊的开口的端部内侧设有聚四氟乙烯层。在晶片组块完成倒角磨边后即可使用，将晶片组块中的蜡熔化，从而分离出一片片的晶片；是一种加热均匀、安全的装置。
【IPC分类】H01L21/67
【公开号】CN205248244
【申请号】CN201521111743
【发明人】徐亮
【申请人】苏州普锐晶科技有限公司
【公开日】2016年5月18日
【申请日】2015年12月25日