一种led封装器件及照明装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及半导体照明领域，具体为一种LED封装体及照明装置。
【背景技术】
[0002]传统白光LED器件的封装方式一般将LED芯片通过固晶胶粘接或共晶焊接的方式固定在支架上的碗杯中，采用金线将晶片的正、负极连接于支架的正、负极，再向碗杯中填充符合目标色区的荧光胶。由于支架、荧光胶、用于粘接晶片的胶体的热膨胀系数不同，LED封装器件容易在支架、荧光胶、金线、胶体等方面出现可靠性问题。
【发明内容】
[0003]本实用新型提供了一种LED封装器件，其无支架结构，只有顶部一个发光面，光的一致性和指向性良好且出光效率高。
[0004]本实用新型的技术方案为:一种LED封装器件，包括LED芯片、光转换层和保护层，所述LED芯片具有相对的上表面和下表面及连接所述上、下表面的侧壁，所述光转换层设置于所述LED芯片的上表面之上，所述保护层设置于所述LED芯片的侧壁之上，所述LED芯片仅有上表面出光，其上、下表面之间的厚度h为0.25mm以下。
[0005]优选地，所述LED芯片上、下表面之间的厚度h为150?250μπι。
[0006]优选地，所述LED芯片具有透明衬底，其厚度为ΙΟΟμπι以下。
[0007]优选地，所述光转换层的厚度为40?150μπι。
[0008]优选地，所述光转换层向下延伸，覆盖所述LED芯片的侧壁，所述保护层覆盖在所述光转换层的侧壁上。
[0009]优选地，所述保护层为白漆或DRB结构。
[0010]优选地，所述透明硅胶层的顶部与底部之间的高度差d为所述芯片的厚度h的0.5?100 倍。
[0011]优选地，所述透明硅胶的厚度为25?2500μπι。
[0012]本实用新型还提供了一种照明装置，包括所述的LED封装器件。
[0013]本实用新型至少具有以下有益效果:I)所述LED封装器件因无支架结构，故体积小，灵活度高，应用范围广泛;2)所述LED封装器件的侧壁由保护层覆盖，只有顶部出光，光的一致性和指向性良好;3)通过减薄所述LED芯片的厚度，从而减少所述LED芯片发出的光受到所述保护层的遮挡，提升了单面出光LED封装器件的出光效率。
[0014]本实用新型的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。
【附图说明】
[0015]附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。
[0016]图1为一种无支架的LED封装器件的结构示意图。
[0017]图2?5为根据本实用新型实施的四种LED封装器件的结构示意图。
【具体实施方式】
[0018]下面结合示意图对本实用新型的LED器件进行详细的描述，借此对本实用新型如何应用技术手段来解决技术问题，并达成技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。
[0019]图1显示了一种无基板的LED封装器件，包括LED芯片、光转换层130和保护层120。该LED芯片具有相对的上表面和下表面及连接上、下表面的侧壁，光转换层130设置于LED芯片的上表面上，保护层120设置于LED芯片的侧壁上。具体的，该LED芯片为倒装芯片，具有透明衬底111、发光外延薄膜112、第一电极113a和第二电极113b。
[0020]在该LED封装器件中由于无支架结构，其体积可以做到很小，接近芯片的尺寸或与芯片的尺寸一致，因此业界称之为芯片级封装器件(Chip Scale Package，简称CSP)。
[0021]该LED封装器件只有顶部一个出光面，其发光角度约120°，便以进行二次透镜设计，因此光的一致性和指向性均很好。但是一般LED芯片的厚度一般为0.35mm以上，该芯片周边由保护层覆盖造成了亮度衰减，与正常五面发光的LED封装器件相比，亮度差异约15?20%。
[0022]下面各实施例解决了单面出光的封装器件中亮度衰减的问题。
[0023]参看图2，本实用新型的一种较佳的LED封装器件，包括LED芯片、光转换层130和保护层120。在本实施例中，减少LED芯片的厚度h，从而减少LED芯片侧壁保护层120的阻挡。具体的，LED芯片的厚度h可为50?250μπι，光转换层130的厚度b为40?150μπι，其中透明衬底111的厚度为10ym以下。光转换层130可为荧光粉层，保护层120可采用白漆，如二氧化钛等。为了进一步提高出光效率，可将保护层120制作成DBR反射层结构。
[0024]作为本实施例的一个变形，可增加第一、第二电极的厚度使其足够支撑发光外延薄膜112，如此可完全去除透明衬底。
[0025]参看图3，本实用新型之另一较佳的LED封装器件。在该实施例中，光转换层130覆盖LED芯片的上表面和侧壁，保护层120覆盖光转换层130的侧壁。
[0026]参看图4，本实用新型之再一较佳的LED封装器件。该LED封装器件在图2所示的结构上增加透明硅胶层140。该透明硅胶层140完全覆盖光转换层130，并向下延伸，其底部与LED芯片的底部齐平。其中透明硅胶层140的顶部与底部之间的高度差d为LED芯片的厚度h的0.5?100倍。
[0027]参看图5，本实用新型之再一较佳的LED封装器件。该LED封装器件在图3所示的结构上增加透明硅胶层140，用于进一步提升亮度。该透明硅胶层140的厚度c为25?2500μπι。
[0028]前述各种LED封装器件适用于各种照明装置中，包括该LED封装体的照明装置也在本实用新型的保护范围内。
[0029]以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.一种LED封装器件，包括LED芯片、光转换层和保护层，所述LED芯片具有相对的上表面和下表面及连接所述上、下表面的侧壁，所述光转换层设置于所述LED芯片的上表面之上，所述保护层设置于所述LED芯片的侧壁之上，其特征在于:所述LED芯片仅有上表面出光，其上、下表面之间的厚度h为0.25mm以下。2.根据权利要求1所述的LED封装器件，其特征在于:所述LED芯片上、下表面之间的厚度h 为 50-250μηι。3.根据权利要求1所述的LED封装器件，其特征在于:所述LED芯片具有透明衬底，其厚度为ΙΟΟμπι以下。4.根据权利要求1所述的LED封装器件，其特征在于:所述光转换层的厚度为40?150μπι。5.根据权利要求1所述的LED封装器件，其特征在于:所述光转换层向下延伸，覆盖所述LED芯片的侧壁，所述保护层覆盖在所述光转换层的侧壁上。6.根据权利要求1所述的LED封装器件，其特征在于:所述保护层为白漆或DRB结构。7.根据权利要求1所述的LED封装器件，其特征在于:还包括一设置于所述光转换层上的透明硅胶层。8.根据权利要求7所述的LED封装器件，其特征在于:所述透明硅胶层的顶部与底部之间的高度差d为所述芯片的厚度h的0.5?100倍。9.根据权利要求7所述的LED封装器件，其特征在于:所述透明硅胶的厚度为25?2500μmD10.—种照明装置，其特征在于，包括权利要求1至9任一项所述的LED封装器件。
【专利摘要】本实用新型提供了<b>一种</b><b>LED</b><b>封装器件及照明装置，</b>LED封装器件为无支架结构，只有顶部一个发光面，光的一致性和指向性良好且出光效率高。该LED封装器件包括LED芯片、光转换层和保护层，所述LED芯片具有相对的上表面和下表面及连接所述上、下表面的侧壁，所述光转换层设置于所述LED芯片的上表面之上，所述保护层设置于所述LED芯片的侧壁之上，所述LED芯片仅有上表面出光，其上、下表面之间的厚度h为0.25mm以下。该LED封装器件适用于各种照明装置中。
【IPC分类】H01L33/58, H01L33/48
【公开号】CN205248303
【申请号】CN201521100984
【发明人】黄苡叡, 詹佳达, 黄昊, 赵志伟, 徐宸科
【申请人】厦门市三安光电科技有限公司
【公开日】2016年5月18日
【申请日】2015年12月28日