一种低损耗高充放电性能薄膜电容器的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种电子元件的改进技术,尤其涉及电容器的改进技术。
【背景技术】
[0002]传统的金属化薄膜工艺方案有两种,一种是:采用锌铝两种金属元素做基质,通过蒸发方式蒸镀到薄膜表面,这种很薄的金属层作为电容器的电极,由于喷金层与芯子端面接触不牢靠,常常造成电释开路或容量大幅度下降,直接影响电容器的可靠性是它的致命缺陷,如果金属膜镀层全部使用锌元素时,镀层与外界接触面积大,易氧化变质,从而电容器在制程中需要做氧化的特别管控、,增加了成本,且存在质量隐患。
[0003]另一种是:金属化薄膜采用纯铝金属元素做基质,包封、分选工序制成电容器,不足之处是充放电性能差,并且喷金时要选用锡锌线做为喷金材料,成本较高。
【发明内容】
[0004]本实用新型公开了一种低损耗高充放电性能薄膜电容器,降低成品的损耗、提高充放电的能力,并降低喷金成本。
[0005]为了解决上述问题,本实用新型一种低损耗高充放电性能薄膜电容器,包括有基膜I,所述基膜I上面从上下依次镀有铝镀层11、锌镀层12和锌铝合金镀层13,铝镀层11、锌镀层12和锌铝合金镀层13分别都设有活动区21和加厚区22,加厚区22位于活动区21的前端,加厚区22的长度少不于活动区21的长度。
[0006]—部分是活动区,采用锌铝合金镀层13是先在基膜上镀铝,然后再在其上镀锌、在蒸镀过程中部分铝原子通过扩散运动渗析到锌层表面、加之锌、铝两蒸发源之间没有间隔,铝蒸发源中的铝原子可直接蒸镀到锌层表面,层与层之间并没有严格的界限,大多为混合物,这种特殊的结构充分融汇了镀铝金属化薄膜与镀锌金属化薄膜各自的优点。先镀锌铝合金镀层13保证各层之间与基膜有良好的附着力,锌镀层12是为保持锌层良好的电特性参数,至于表面的铝镀层11是起保护作用,以降低损耗。
[0007]加厚区采用锌铝合金镀层13,从数学角度来看,加厚区宽度相较厚度的尺寸要大得多,以提高充放电能力、并降低喷金成本,由于加厚部分与活动区为一个整体,降低成品的损耗、提高充放电的能力,并降低喷金成本。
【附图说明】
[0008]图1是本实用新型的不意图。
[0009]图1中符号说明:基膜1、铝镀层11、锌镀层12、锌铝合金镀层13、活动区21、加厚区22。
【具体实施方式】
[0010]如图1所示本实用新型一种低损耗高充放电性能薄膜电容器,包括有基膜I,所述基膜I上面从上到下依次镀有铝镀层11、锌镀层12和锌铝合金镀层13,铝镀层11、锌镀层12和锌铝合金镀层13分别都设有活动区21和加厚区22,加厚区22位于活动区21的前端,加厚区22的长度少不于活动区21的长度。
[0011]—部分是活动区,采用锌铝合金镀层13是先在基膜上镀铝,然后再在其上镀锌、在蒸镀过程中部分铝原子通过扩散运动渗析到锌层表面、加之锌、铝两蒸发源之间没有间隔,铝蒸发源中的铝原子可直接蒸镀到锌层表面,层与层之间并没有严格的界限,大多为混合物,这种特殊的结构充分融汇了镀铝金属化薄膜与镀锌金属化薄膜各自的优点。先镀锌铝合金镀层13保证各层之间与基膜有良好的附着力,锌镀层12是为保持锌层良好的电特性参数,至于表面的铝镀层11是起保护作用,以降低损耗。
[0012]加厚区采用锌铝合金镀层13,从数学角度来看,加厚区宽度相较厚度的尺寸要大得多,以提高充放电能力、并降低喷金成本,由于加厚部分与活动区为一个整体,降低成品的损耗、提高充放电的能力,并降低喷金成本。
[0013]最后应说明的是:显然,上述实施例仅仅是为清楚地说明本实用新型所作的举例,而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说,在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引申出的显而易见的变化或变动仍处于本实用新型的保护范围之中。
【主权项】
1.一种低损耗高充放电性能薄膜电容器,包括有基膜(I),其特征在于:所述基膜(I)上面从上下依次镀有铝镀层(11)、锌镀层(12)和锌铝合金镀层(13),铝镀层(11)、锌镀层(12)和锌铝合金镀层(13)分别都设有活动区(21)和加厚区(22),加厚区(22)位于活动区(21)的前端。
【专利摘要】本实用新型一种低损耗高充放电性能薄膜电容器,涉及一种电子元件的改进技术,尤其涉及电容器的改进技术,其特征在于:所述基膜上面从上下依次镀有铝镀层、锌镀层和锌铝合金镀层,铝镀层、锌镀层和锌铝合金镀层分别都设有活动区和加厚区,加厚区位于活动区的前端。本实用新型降低成品的损耗、提高充放电的能力,并降低喷金成本。
【IPC分类】H01G4/33, H01G4/008
【公开号】CN205264514
【申请号】CN201520994216
【发明人】谢志懋, 王占东
【申请人】佛山市南海区欣源电子有限公司, 广东欣源智能电子有限公司
【公开日】2016年5月25日
【申请日】2015年12月5日