一种背抛光用清洗花篮的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种多晶硅片清洗装置，尤其是用于背抛光技术的清洗花篮。
【背景技术】
[0002]目前多晶硅电池刻蚀工艺多采用酸法刻蚀技术，该工艺容易出现过刻现象且背面刻蚀效果较差。为了使多晶电池达到更好的背面腐蚀与抛光效果，我公司进行了背抛光技术的研发与推广。背面抛光技术是将硅片制绒后凹凸不平的背面通过碱液腐蚀做成抛光效果，使光波在电池内部能够被多次反射吸收，增加电池对入射光线的利用率，从而提升电池片转化效率。
[0003]背抛光技术采用槽式碱法刻蚀工艺，即使用四甲基氢氧化铵对硅片进行选择性刻蚀，以达到背面抛光的效果。由于硅片和四甲基氢氧化铵反应时会有大量气泡产生，气泡粘附在硅片表面，导致硅片脱离承载盒浮出液面，从而产生大量不良品。
【实用新型内容】
[0004]本实用新型目的是提供一种背抛光用清洗花篮，以增强槽体溶液的流动性，使反应更充分，且能更好的固定硅片，防止硅片漂出液面。
[0005]为了达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是:
[0006]—种背抛光用清洗花篮，包括两片平行设置的挡板和连接两片挡板的支持杆，所述挡板上设有匀流孔，所述支持杆为上下平行的两排，每排3-4根，两片挡板的顶部还设有两根固定压条。
[0007]所述挡板的其中一片上设有花篮提手。
[0008]所述挡板的顶部设有卡槽，固定压条两端固定在卡槽内。
[0009]本实用新型花篮主体是由多孔状PVDF板材构成，具有较好的耐酸碱特性，且有利于槽体溶液的流动;增加两根压条，更好的固定硅片；的新式花篮能够有效防止背抛光工艺漂片显现的产出，而且操作简单方便，实用性强。
【附图说明】
[0010]图1为本实用新型的结构示意图。
【具体实施方式】
[0011]下面结合附图给出本实用新型较佳实施例，以详细说明本实用新型的技术方案。
[0012]实施例:
[0013]如图1所示的背抛光用清洗花篮，包括两片平行设置的PVDF材质的挡板100和连接两片挡板的支持杆200，二者形成花篮的主框架，挡板上设有匀流孔300，用于增加槽体溶液流动性，支持杆为上下平行的两排，上排3根，下排4根，为PP材质，用于固定承载盒，两片挡板的顶部设有卡槽110，固定压条12 O两端固定在卡槽内，挡板的其中一片上设有用于机械手臂抓取的花篮提手130。
[0014]以上显示和描述了本实用新型的基本原理、主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。
【主权项】
1.一种背抛光用清洗花篮，其特征在于，包括两片平行设置的挡板和连接两片挡板的支持杆，所述挡板上设有匀流孔，所述支持杆为上下平行的两排，每排3-4根，两片挡板的顶部还设有两根固定压条。2.根据权利要求1所述的背抛光用清洗花篮，其特征在于，所述挡板的其中一片上设有花篮提手。3.根据权利要求1所述的背抛光用清洗花篮，其特征在于，所述挡板的顶部设有卡槽，固定压条两端固定在卡槽内。
【专利摘要】本实用新型公开了一种背抛光用清洗花篮，包括两片平行设置的挡板和连接两片挡板的支持杆，所述挡板上设有匀流孔，所述支持杆为上下平行的两排，每排3-4根，两片挡板的顶部还设有两根固定压条。本实用新型花篮主体是由多孔状PVDF板材构成，具有较好的耐酸碱特性，且有利于槽体溶液的流动；增加两根压条，更好的固定硅片；的新式花篮能够有效防止背抛光工艺漂片显现的产出，而且操作简单方便，实用性强。
【IPC分类】H01L21/673
【公开号】CN205282458
【申请号】CN201620009577
【发明人】薛相龙, 陆敏
【申请人】上海艾力克新能源有限公司
【公开日】2016年6月1日
【申请日】2016年1月6日