一种高效发光二极管芯片的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及发光二极管的技术领域，特别提供一种高效发光二极管芯片。
【背景技术】
[0002]发光二极管具有低功耗、尺寸小和可靠性高等优点，作为主要的光源得到较快发展，近年来发光二极管的利用领域迅速扩展。随着LED行业竞争越来越激烈，提高发光二极管的亮度及降低成本成为其重要方向。
[0003]为了使得芯片的亮度及可靠性更好，目前传统的芯片包括在P型电极下面的电流阻挡层(Current Blocking Layer)，N、P电极，以及制作芯片保护层(PV)。然而，传统的芯片不仅所需的工艺流程时间较长，而且芯片的成本和不良率均较高。
【实用新型内容】
[0004]本实用新型为解决上述问题，提供了一种高效发光二极管芯片。
[0005]为了实现上述目的，本实用新型采用的技术方案为:
[0006]—种高效发光二极管芯片，其特征在于:包括
[0007]—衬底；
[0008]—缓冲层，设置于所述衬底上表面；
[0009]—非故意掺杂层，设置于所述缓冲层上表面；
[0010]一 N型导电层，设置于所述非故意掺杂层上表面；
[0011]—有源区，设置于所述N型导电层的左侧部分上表面；
[0012]—电子阻挡层，设置于所述有源区上表面；
[0013]— P型导电层，设置于所述电子阻挡层上表面；
[0014]—P型接触层，设置于所述P型导电层上表面；
[0015]—电流阻挡层，设置于所述P型接触层的左侧部分上表面；
[0016]— ITO导电层，设置于所述P型接触层的右侧部分上表面，且与所述电流阻挡层完全覆盖所述P型接触层；
[0017]— P电极，设置于所述电流阻挡层上表面；
[0018]— N电极，设置于所述N型导电层的右侧部分，且深入到所述N型导电层的高掺部分；以及
[0019]—电极隔离层，设置于所述N电极与所述有源区、电子阻挡层、P型导电层、P型接触层和ITO导电层的右侧表面之间。
[0020]优选的，还包括一芯片保护层，设置于所述高效发光二极管芯片除P电极和N电极之外的上表面和侧面。
[0021]优选的，所述的电流阻挡层为非导电性材料层。
[0022]采用上述结构，本实用新型无需复杂的工艺流程，能够降低高效发光二极管芯片的制造成本和不良率，提高了发光二极管芯片的性价比，优化了发光二极管芯片的质量。
【附图说明】
[0023]此处所说明的附图用来提供对本实用新型的进一步理解，构成本实用新型的一部分，本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中:
[0024]图1为本实用新型结构不意图。
[0025]标号说明
[0026]衬底I，缓冲层2，非故意掺杂层3，N型导电层4，N电极41，有源区5，电子阻挡层6，P型导电层7，P型接触层8，电流阻挡层9，P电极91，IT0导电层10，电极隔离层101，芯片保护层 102。
【具体实施方式】
[0027]为了使本实用新型所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚、明白，以下结合附图和实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
[0028]如图1所示，本实用新型提供一种高效发光二极管芯片，包括
[0029]—衬底 I;
[0030]一缓冲层2，设置于所述衬底I上表面；
[0031 ] —非故意掺杂层3，设置于所述缓冲层2上表面；
[0032]— N型导电层4，设置于所述非故意掺杂层3上表面；
[0033]—有源区5，设置于所述N型导电层4的左侧部分上表面；
[0034]—电子阻挡层6，设置于所述有源区5上表面；
[0035]— P型导电层7，设置于所述电子阻挡层6上表面；
[0036]— P型接触层8，设置于所述P型导电层7上表面；
[0037]—电流阻挡层9，设置于所述P型接触层8的左侧部分上表面；
[0038]— ITO导电层10，设置于所述P型接触层8的右侧部分上表面，且与所述电流阻挡层9完全覆盖所述P型接触层8;
[0039]一 P电极91，设置于所述电流阻挡层9上表面；
[0040]一N电极41，设置于所述N型导电层4的右侧部分，且深入到所述N型导电层4的高掺部分；以及
[0041]一电极隔离层101，设置于所述N电极41与所述有源区5、电子阻挡层6、Ρ型导电层
7、Ρ型接触层8和ITO导电层10的右侧表面之间。
[0042]优选的，该高效发光二极管芯片还包括一芯片保护层102，设置于所述高效发光二极管芯片除P电极91和N电极41之外的上表面和侧面，以对芯片起到保护作用。
[0043]在本实施例中，电流阻挡层9材料为非导电性材料层，非导电性材料层优选包括SiNJi2O3和Al2O3等非导电性材料，采用非导电性材料隔阻P电极91的电流方向，有效提高电流扩展效果。
[0044]本实用新型无需复杂的工艺流程，能够降低高效发光二极管芯片的制造成本和不良率，提高了发光二极管芯片的性价比，优化了发光二极管芯片的质量。
[0045]上述说明示出并描述了本实用新型的优选实施例，如前所述，应当理解本实用新型并非局限于本文所披露的形式，不应看作是对其他实施例的排除，而可用于各种其他组合、修改和环境，并能够在本文所述实用新型构想范围内，通过上述教导或相关领域的技术或知识进行改动。而本领域人员所进行的改动和变化不脱离本实用新型的精神和范围，则都应在本实用新型所附权利要求的保护范围内。
【主权项】
1.一种高效发光二极管芯片，其特征在于:包括 一衬底； 一缓冲层，设置于所述衬底上表面； 一非故意掺杂层，设置于所述缓冲层上表面； 一N型导电层，设置于所述非故意掺杂层上表面； 一有源区，设置于所述N型导电层的左侧部分上表面； 一电子阻挡层，设置于所述有源区上表面； 一P型导电层，设置于所述电子阻挡层上表面； 一 P型接触层，设置于所述P型导电层上表面； 一电流阻挡层，设置于所述P型接触层的左侧部分上表面； 一 ITO导电层，设置于所述P型接触层的右侧部分上表面，且与所述电流阻挡层完全覆盖所述P型接触层； 一P电极，设置于所述电流阻挡层上表面； 一N电极，设置于所述N型导电层的右侧部分，且深入到所述N型导电层的高掺部分；以及 一电极隔离层，设置于所述N电极与所述有源区、电子阻挡层、P型导电层、P型接触层和ITO导电层的右侧表面之间。2.根据权利要求1所述的一种高效发光二极管芯片，其特征在于:还包括一芯片保护层，设置于所述高效发光二极管芯片除P电极和N电极之外的上表面和侧面。3.根据权利要求1所述的一种高效发光二极管芯片，其特征在于:所述的电流阻挡层材料为非导电性材料层。
【专利摘要】本实用新型涉及发光二极管的技术领域，特别是公开一种高效发光二极管芯片，包括一衬底，一缓冲层，一非故意掺杂层，一N型导电层，一有源区，一电子阻挡层，一P型导电层，一P型接触层，一电流阻挡层，一ITO导电层，一P电极，一N电极以及一电极隔离层。本实用新型无需复杂的工艺流程，能够降低高效发光二极管芯片的制造成本和不良率，提高了发光二极管芯片的性价比，优化了发光二极管芯片的质量。
【IPC分类】H01L33/36, H01L33/14
【公开号】CN205282496
【申请号】CN201521027641
【发明人】林志伟, 陈凯轩, 张永, 卓祥景, 姜伟, 方天足, 陈亮
【申请人】厦门乾照光电股份有限公司
【公开日】2016年6月1日
【申请日】2015年12月10日