凹面电容器的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种电容器，具体而言，涉及一种凹面电容器。
【背景技术】
[0002]电容器是电子设备中被广泛应用的一种电子元件，根据材料的不同，目前所使用的电容器又包括了瓷质电容器、云母电容器、有机电容器和电解电容器等等。这其中，特别对于瓷质电容器，为了抑制电磁的干扰，安规标准对于电容器的爬电距离(即引脚间的距离)作出了规定，需要至少为10.0mm。
[0003]目前的电容器受限于其结构，芯片部的体积占用较大，无法进一步地将爬电距离做大，从而使得电容器的耐压性能受到影响。
【实用新型内容】
[0004]鉴于此，本实用新型提供了一种凹面电容器，旨在解决现有技术中因体积大而造成爬电距离小的问题，从而消除爬电距离偏小对电容器的耐压性能所造成的影响。
[0005]本实用新型提供了一种凹面电容器，包括芯片部、第一引脚部和第二引脚部，该芯片部的顶面设置有第一凹槽部，芯片部的底面设置有第二凹槽部，第一引脚部的一端部固定连接于第一凹槽部内、相对的另一端部向第一凹槽部外延伸并在第一凹槽部的边缘形成第一拱起部，第二引脚部的一端部固定连接于第二凹槽部内、相对的另一端部向第二凹槽部外延伸并在第二凹槽部的边缘形成第二拱起部。
[0006]进一步地，上述第一凹槽部和第二凹槽部呈圆形凹槽。
[0007]进一步地，上述芯片部呈圆柱体。
[0008]进一步地，上述第一凹槽部和第二凹槽部的内壁呈斜坡。
[0009]进一步地，上述第一拱起部和第二拱起部呈三角形拱起。
[0010]进一步地，上述芯片部内设置有铜电极，第一引脚部和第二引脚部为铜材质。
[0011]本实用新型提供的凹面电容器，通过在芯片部的顶面和底面分别设置第一凹槽部和第二凹槽部，并将第一引脚部以具有第一拱起部的方式安装连接第一凹槽部、将第二引脚部以具有第二拱起部的方式安装连接第二凹槽部，第一凹槽部和第二凹槽部的设置使得芯片部的整体体积得以缩小，并且使得第一引脚部和第二引脚部分别形成第一拱起部和第二拱起部，使得两个引脚部之间的间距得以扩大，从而使得电容器的爬电距离得以扩大，消除爬电距离偏小对电容器的耐压性能所造成的影响。
【附图说明】
[0012]通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本实用新型的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中:
[0013]图1为本实用新型实施例提供的凹面电容器的立体图；
[0014]图2为本实用新型实施例提供的凹面电容器的结构剖视图。
【具体实施方式】
[0015]下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施例。虽然附图中显示了本公开的示例性实施例，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施例所限制。相反，提供这些实施例是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。
[0016]参见图1至图2，图中示出了本实用新型实施例提供的凹面电容器的优选结构。该凹面电容器包括芯片部1、第一引脚部2和第二引脚部3，芯片部I可以具体包括芯片13、电极14和包封皮15，第一引脚部2和第二引脚部3则可以具体通过锡料焊接于芯片部I的电极14上;作为改进之处，芯片部I的顶面设置有第一凹槽部U，芯片部I的底面设置有第二凹槽部12，第一引脚部2的一端部固定连接于第一凹槽部11内、相对的另一端部向第一凹槽部11外延伸并在第一凹槽部11的边缘形成第一拱起部21，第二引脚部3的一端部固定连接于第二凹槽部12内、相对的另一端部向第二凹槽部12外延伸并在第二凹槽部12的边缘形成第二拱起部31。
[0017]本实施例所提供的凹面电容器，通过在芯片部的顶面和底面分别设置第一凹槽部和第二凹槽部，并将第一引脚部以具有第一拱起部的方式安装连接第一凹槽部、将第二引脚部以具有第二拱起部的方式安装连接第二凹槽部，第一凹槽部和第二凹槽部的设置使得芯片部的整体体积得以缩小，并且使得第一引脚部和第二引脚部分别形成第一拱起部和第二拱起部，使得两个引脚部之间的间距得以扩大，从而使得电容器的爬电距离得以扩大，消除爬电距离偏小对电容器的耐压性能所造成的影响。
[0018]其中，为了保证第一引脚部2和第二引脚部3与第一凹槽部11、第二凹槽部12的稳固连接，还可以选择性地在第一凹槽部11和第二凹槽部12的底部设置一层粘接层(未示出)。
[0019]参见图1，第一凹槽部11和第二凹槽部12呈圆形凹槽，以便于适应圆形芯片和圆形电极的安装要求，保证引脚与电极之间更为稳固的连接。而为了适应整体的圆形的结构，芯片部I也可以进一步地以圆柱体的形状加工形成。
[0020]参见图1至图2，第一凹槽部11和第二凹槽部12的内壁呈斜坡，可以适应第一拱起部21和第二拱起部31的走向，便于第一拱起部21和第二拱起部31之间形成更佳的爬电距离。
[0021]继续参见图1至图2，为了在上述的基础上使得第一拱起部21和第二拱起部31之间获得更佳的爬电距离，第一拱起部21和第二拱起部31还可以优选地设置为三角形的拱起。
[0022]为了解决传统中采用银材质作为电极使用所造成的成本高的问题，芯片部I内的电极14、以及第一引脚部2和第二引脚部3还可以采用铜材质，以降低整体的制造成本。
[0023]显然，本领域的技术人员可以对本实用新型进行各种改动和变型而不脱离本实用新型的精神和范围。这样，倘若本实用新型的这些修改和变型属于本实用新型权利要求及其等同技术的范围之内，则本实用新型也意图包含这些改动和变型在内。
【主权项】
1.凹面电容器，包括芯片部(I)、第一引脚部(2)和第二引脚部(3)，其特征在于，所述芯片部(I)的顶面设置有第一凹槽部(11)，所述芯片部(I)的底面设置有第二凹槽部(12)，所述第一引脚部(2)的一端部固定连接于所述第一凹槽部(11)内、相对的另一端部向所述第一凹槽部(11)外延伸并在所述第一凹槽部(11)的边缘形成第一拱起部(21)，所述第二引脚部(3)的一端部固定连接于所述第二凹槽部(12)内、相对的另一端部向所述第二凹槽部(12)外延伸并在所述第二凹槽部(12)的边缘形成第二拱起部(31)。2.根据权利要求1所述的凹面电容器，其特征在于，所述第一凹槽部(11)和所述第二凹槽部(12)呈圆形凹槽。3.根据权利要求1或2所述的凹面电容器，其特征在于，所述芯片部(I)呈圆柱体。4.根据权利要求1或2所述的凹面电容器，其特征在于，所述第一凹槽部(11)和所述第二凹槽部(12)的内壁呈斜坡。5.根据权利要求1所述的凹面电容器，其特征在于，所述第一拱起部(21)和所述第二拱起部(31)呈三角形拱起。6.根据权利要求1所述的凹面电容器，其特征在于，所述芯片部(I)内设置有铜电极，所述第一引脚部(2)和所述第二引脚部(3)为铜材质。
【专利摘要】本实用新型提供了一种凹面电容器，包括芯片部、第一引脚部和第二引脚部，该芯片部的顶面设置有第一凹槽部，芯片部的底面设置有第二凹槽部，第一引脚部的一端部固定连接于第一凹槽部内、相对的另一端部向第一凹槽部外延伸并在第一凹槽部的边缘形成第一拱起部，第二引脚部的一端部固定连接于第二凹槽部内、相对的另一端部向第二凹槽部外延伸并在第二凹槽部的边缘形成第二拱起部。本实用新型解决了现有技术中因体积大而造成爬电距离小的问题，从而消除了爬电距离偏小对电容器的耐压性能所造成的影响。
【IPC分类】H01G4/224, H01G4/228
【公开号】CN205354879
【申请号】CN201521069465
【发明人】石怡, 程传波, 吴伟, 胡鹏, 杨必祥
【申请人】昆山万盛电子有限公司
【公开日】2016年6月29日
【申请日】2015年12月21日