一种pn型二极管的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种半导体器件，尤其涉及一种PN型二极管。
【背景技术】
[0002]二极管又称晶体二极管，简称二极管(d1de)，另外，还有早期的真空电子二极管；它是一种具有单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子，这种电子器件按照外加电压的方向，具备单向电流的转导性。一般来讲，晶体二极管是一个由P型半导体和η型半导体烧结形成的p-n结界面。在其界面的两侧形成空间电荷层，构成自建电场。当外加电压等于零时，由于p-n结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态，这也是常态下的二极管特性。
[0003]目前，二极管制造技术已经相当成熟，但仍然存在结构复杂、成本高、封装难、容易被击穿等问题。
【实用新型内容】
[0004]本实用新型所要解决的技术问题是提供一种结构简单、易封装、制造成本低廉，所承载的整流电流、反响电压较大，不易被击穿的PN型二极管。
[0005]本实用新型解决上述技术问题的技术方案如下:
[0006]—种PN型二极管，包括金属外壳以及设置在金属外壳内的工作腔，所述工作腔中设置有P型半导体、N型半导体，所述P型半导体、N型半导体通过触丝连接，所述N型半导体设置在晶片上，所述晶片设置在支架上，所述支架与阴极导通，所述P型半导体与阳极导通。
[0007]所述半导体二极管是一个由P型半导体和η型半导体烧结形成的PN结界面。在其界面的两侧形成空间电荷层，构成自建电场。当外加电压等于零时，由于PN结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态，所述支架与PN结导通用于载流子的传输，所述触丝用于半导体之间的导通。
[0008]所述外壳为金属外壳，所述二极管PN结自建电场极容易受到外界温度、湿度、干扰信号的影响，所述金属外壳可以有效屏蔽外界干扰信号，以及其他影响因素，保证二极管的正常工作所述半导体为硅半导体，所述硅半导体可通过掺杂改变其导电性，以此来控制二极管的整流电流大小。
[0009]在上述技术方案的基础上，本实用新型还可以做如下改进。
[0010]进一步，所述P型半导体为硅半导体，所述硅半导体电子激发效率高，并且为P型半导体。
[0011 ]进一步，所述金属外壳内层设置有隔热层，用于隔热使用，防止二极管在使用过程中发生烫伤。
[0012]进一步，所述工作腔内壁设置有加热带，用于加速PN结中电子、空穴的分离，提高二极管的发光强度。
[0013]本实用新型的有益效果是:结构简单、易封装、制造成本低廉，所承载的整流电流、反响电压较大，不易被击穿。
【附图说明】
[0014]图1为本实用新型一种PN型二极管结构示意图；
[0015]附图中，各标号所代表的部件列表如下:1、金属外壳，2、隔热层，3、半导体，4、工作腔，5、P型半导体，6、N型半导体，7、触丝，8、晶片，9、支架，10、阳极，11、阴极。
【具体实施方式】
[0016]以下结合附图对本实用新型的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本实用新型，并非用于限定本实用新型的范围。
[0017]如图1所示，一种结构简单、易封装、制造成本低廉，所承载的整流电流、反响电压较大，不易被击穿的PN型二极管。
[0018]一种PN型二极管，包括金属外壳I以及设置在金属外壳I内的工作腔4，所述工作腔4中设置有P型半导体5、N型半导体6，所述P型半导体5、N型半导体6通过触丝7连接，所述N型半导体6设置在晶片8上，所述晶片8设置在支架9上，所述支架9与阴极11导通，所述P型半导体5与阳极12导通。
[0019]所述半导体二极管是一个由P型半导体5和η型半导体6烧结形成的PN结界面。在其界面的两侧形成空间电荷层，构成自建电场。当外加电压等于零时，由于PN结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态，所述支架9与PN结导通用于载流子的传输，所述触丝7用于半导体之间的导通。
[0020]所述外壳为金属外壳I，所述二极管PN结自建电场极容易受到外界温度、湿度、干扰信号的影响，所述金属外壳I可以有效屏蔽外界干扰信号，以及其他影响因素，保证二极管的正常工作所述半导体为硅半导体，所述硅半导体可通过掺杂改变其导电性，以此来控制二极管的整流电流大小。
[0021]所述P型半导体5为硅半导体，所述硅半导体电子激发效率高，并且为P型半导体5。所述金属外壳I内层设置有隔热层3，用于隔热使用，防止二极管在使用过程中发生烫伤。所述工作腔4内壁设置有加热带2，用于加速PN结中电子、空穴的分离，提高二极管的发光强度。
[0022]以上所述仅为本实用新型的较佳实施例，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.一种PN型二极管，其特征在于，包括金属外壳以及设置在金属外壳内的工作腔，所述工作腔中设置有P型半导体、N型半导体，所述P型半导体、N型半导体通过触丝连接，所述N型半导体设置在晶片上，所述晶片设置在支架上，所述支架与阴极导通，所述P型半导体与阳极导通。2.根据权利要求1所述一种PN型二极管，其特征在于，所述P型半导体为硅半导体。3.根据权利要求1所述一种PN型二极管，其特征在于，所述金属外壳内层设置有隔热层。4.根据权利要求1所述一种PN型二极管，其特征在于，所述工作腔内壁设置有加热带。
【专利摘要】本实用新型涉及一种PN型二极管，包括金属外壳以及设置在金属外壳内的工作腔，所述工作腔中设置有P型半导体、N型半导体，所述P型半导体、N型半导体通过触丝连接，所述N型半导体设置在晶片上，所述晶片设置在支架上，所述支架与阴极导通，所述P型半导体与阳极导通。本实用新型结构简单、易封装、制造成本低廉，所承载的整流电流、反响电压较大，不易被击穿。
【IPC分类】H01L29/861
【公开号】CN205355056
【申请号】CN201620020932
【发明人】不公告发明人
【申请人】重庆三零三科技有限公司
【公开日】2016年6月29日
【申请日】2016年1月12日