一种能密集型排布的发光二极管引线框架的制作方法

文档序号:10442923阅读:209来源:国知局
一种能密集型排布的发光二极管引线框架的制作方法
【技术领域】
[0001 ] 本实用新型涉及一种LED领域的发光二极管引线框架(LED Leadframe),尤其涉及一种能密集型排布的发光二极管引线框架。
【背景技术】
[0002]发光二极管引线框架(LED Leadframe)如传统型结构SMD 7020D产品,如图1所示,每颗7020D 4a在上下宽度方向上分别靠一个大卡点3a固定在整片半导体支架5a上,大卡点3a占用空间较大,评估至少长方向至少10.000ΜΜ以上,宽度方向至少5.000ΜΜ以上,浪费半导体支架5a的空间。每颗7020D4a包括金属件2a、填充在金属件2a的若干端子间的塑胶件la。同时因为如此设计的卡点3a,导致塑胶件Ia处于相应7020D 4a的两头部分必须要大尺寸,这样才能稳固的将每颗7020D 4a固定在整片半导体支架5a上。因此,每颗7020D 4a的原材料比较费,而且同一片半导体支架5a能排布的7020D 4a的数量无法进一步提升。
【实用新型内容】
[0003]为了解决以上不足,本实用新型提出一种能密集型排布的发光二极管引线框架,以解决现有产品生产效率低下、成本较高的技术问题。
[0004]本实用新型的解决方案是:一种能密集型排布的发光二极管引线框架,在60mm宽度的铜材上能排布22颗发光二极管引线框架;在铜材的宽度方向上,22颗发光二极管引线框架为横向排布结构,且左右两颗发光二极管引线框架之间的中心距小于8.42mm,上下两颗发光二极管引线框架之间的中心距小于2.83_。
[0005]作为上述方案的进一步改进,发光二极管引线框架的上、下宽度方向上分别设置有至少2个卡点。
[0006]作为上述方案的进一步改进,发光二极管引线框架包括金属件、塑胶件;塑胶件直接注塑填充于金属件的若干端子间,以在发光二极管引线框架的相对两侧形成与若干端子相对应的若干个塑胶块;这些塑胶块包含端子的金属脚和塑胶件的塑胶,这些塑胶块作为发光二极管弓I线框架的切脚结构。
[0007]进一步地,端子通过拉伸增强发光二极管引线框架的结构强度。
[0008]作为上述方案的进一步改进,发光二极管引线框架为7020D发光二极管引线框架。
[0009]本实用新型的优点如下:
[0010]1.在60mm宽度的铜材上能排布22颗发光二极管引线框架(如7020D产品),且为横向排布结构;
[0011]2.在铜材的宽度方向上,左右两颗发光二极管引线框架之间的中心距小于8.42mm,上下两颗发光二极管引线框架之间的中心距小于2.83mm;
[0012]3.单颗发光二极管引线框架的上下单边至少2个小卡点;
[0013]4.通过焊锡脚与塑胶一同切掉结构大幅度减少空间;
[0014]5.通过拉伸端子的结构,增强发光二极管引线框架的结构强度,可以密集排密集,这样不仅可以大幅度节约塑胶的原料成本,可以提升LED颗粒的密集型排布,以7020D发光二极管引线框架的长宽尺寸为例,评估长度方向可以设计为8.42MM以下,宽度方向可以设计为2.83MM以下。
[0015]因此,本实用新型能在不改变产品单颗主体结构及功能的前提下,能将单位面积的原材料做出一款密集型的产品,大幅度提升制造产能及节约原料成本,提高客户封装的效率,增加此创新型结构的市场推广性。
【附图说明】
[0016]图1是传统产品发光二极管引线框架的排列结构图。
[0017]图2是本实用新型较佳实施例提供的发光二极管引线框架的排列结构图。
[0018]图3是图2中发光二极管引线框架的结构示意图。
【具体实施方式】
[0019]为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
[0020]请一并参阅图2及图3,本实用新型能密集型排布的发光二极管引线框架6,包括金属件2、若干端子间的塑胶件I。塑胶件I直接注塑填充于金属件2的若干端子3间,以在发光二极管引线框架6的相对两侧形成与若干端子3相对应的若干个塑胶块。这些塑胶块包含端子3的金属脚和塑胶件I的塑胶,这些塑胶块作为发光二极管引线框架6的切脚结构。因此,通过焊锡脚与塑胶一同切掉结构设计,可以大幅度减少发光二极管引线框架6的占用正片结构的空间。
[0021]另外,端子3通过拉伸可增强发光二极管引线框架6的结构强度。发光二极管引线框架6的上、下宽度方向上分别设置有至少2个卡点5。每个卡点5与塑胶I的边缘紧靠在一起而将发光二极管引线框架6定位在整片结构上。
[0022]在60mm宽度的铜材上能排布22颗发光二极管引线框架6。在铜材的宽度方向上,22颗发光二极管引线框架6为横向排布结构,且左右两颗发光二极管引线框架6之间的中心距小于8.42_,上下两颗发光二极管引线框架6之间的中心距小于2.83_。
[0023]在本实施例中,发光二极管引线框架6以LED7020D为例密集型设计方案(左右两颗之间的中心距小于8.42,上下两颗之间的中心距小于2.83),加密后提升了客户封装的产能及效率,节约大量的人力成本及工时,提供了一款有效利用原材料及提升效率的LED7020D,这里的7020是指横向宽度7.00±0.05mm,竖向高度2.00±0.05mm。
[0024]SMD 7020D产品单颗上下宽度方向上靠4个小卡点5固定在整片结构上,因卡点占用面积较小,并且与产品塑胶I边缘紧紧靠在一起,起到支撑作用,用4个卡点5就能将单颗7020D颗粒定位,这样可以大幅度的节约原料成本,可以提升密集型排布,评估长度方向可以设计为8.42丽以下,宽度方向可以设计为2.83丽以下。
[0025]故,在发光二极管引线框架6的长度方向上,相邻2颗发光二极管引线框架6之间的中心距可为8.40±0.02mm;在发光二极管引线框架6的宽度方向上,相邻2颗发光二极管引线框架6之间的中心距可为2.80 ± 0.03mm。
[0026]本实用新型实现以下目的:1、为了有效的节约铜材原料和塑胶原料;2、增加了接近2倍的生产效率;3、提升了客户的封装效率;4、节省大量的包材成本。
[0027]以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已,并不用以限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.一种能密集型排布的发光二极管引线框架,其特征在于:在60mm宽度的铜材上能排布22颗发光二极管引线框架(6);在铜材的宽度方向上,22颗发光二极管引线框架(6)为横向排布结构,且左右两颗发光二极管引线框架(6)之间的中心距小于8.42mm,上下两颗发光二极管引线框架(6)之间的中心距小于2.83mm。2.如权利要求1所述的能密集型排布的发光二极管引线框架,其特征在于:发光二极管引线框架(6)的上、下宽度方向上分别设置有至少2个卡点(5)。3.如权利要求1所述的能密集型排布的发光二极管引线框架,其特征在于:发光二极管引线框架(6)包括金属件(2)、塑胶件(I);塑胶件(I)直接注塑填充于金属件(2)的若干端子(3)间,以在发光二极管引线框架(6)的相对两侧形成与若干端子(3)相对应的若干个塑胶块;这些塑胶块包含端子(3)的金属脚和塑胶件(I)的塑胶,这些塑胶块作为发光二极管引线框架(6)的切脚结构。4.如权利要求3所述的能密集型排布的发光二极管引线框架,其特征在于:端子(3)通过拉伸增强发光二极管引线框架(6)的结构强度。5.如权利要求1所述的能密集型排布的发光二极管引线框架,其特征在于:发光二极管引线框架(6)为7020D发光二极管引线框架。
【专利摘要】本实用新型公开了一种能密集型排布的发光二极管引线框架。在60mm宽度的铜材上能排布22颗发光二极管引线框架。在铜材的宽度方向上,22颗发光二极管引线框架为横向排布结构,且左右两颗发光二极管引线框架之间的中心距小于8.42mm,上下两颗发光二极管引线框架之间的中心距小于2.83mm。本实用新型为能在不改变产品单颗主体结构及功能的前提下,能将单位面积的原材料做出一款密集型的产品,大幅度提升制造产能及节约原料成本,提高客户封装的效率,增加此创新型结构的市场推广性。
【IPC分类】H01L33/62
【公开号】CN205355084
【申请号】CN201620071974
【发明人】林木荣
【申请人】安徽盛烨电子有限公司
【公开日】2016年6月29日
【申请日】2016年1月25日
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