一种带金属屏蔽层的单层超薄基板封装结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型属于半导体封装技术领域，尤其是涉及一种带金属屏蔽层的单层超薄基板封装结构。
【背景技术】
[0002]电磁兼容EMC(Electro-Magnetic Compatibility)，是设备所产生的电磁能量既不对其它设备产生干扰，也不受其他设备的电磁能量干扰的能力。如果在一个电路系统中各电路模块之间能和谐、正常的工作而不致相互发生电磁干扰造成性能改变或无法工作，称这个电路系统是相互兼容的。但是随着目前电子技术的飞速发展，电路功能不断地趋于多样化、结构不断地趋于复杂化、工作功率逐渐地加大和系统频率逐级地提高，同时灵敏度的要求已越来越高，很难保证系统不产生一定的电磁辐射或受到外界的电磁干扰。为了使系统达到电磁兼容，必须以系统的电磁环境为依据，要求每个电路模块尽量不产生电磁辐射，同时又要求它具有一定的抗电磁干扰的能力，才能保证系统达到相对的完全兼容。而实现封装体屏蔽电磁干扰的一般方法是在封装体之外加上金属制成的适当的电磁屏蔽金属壳，对电磁波进行屏蔽。同时，随着封装结构封装的小型化发展的时代趋势，封装结构的基板也朝着轻薄化、小型化的方向发展。
[0003]然而，对于业界现有的单层超薄基板系列产品，如果使用conformal shielding制程在此单层超薄基板产品结构上，目前在产业界尚未有人使用，由于在进行金属屏蔽层覆盖时，会造成产品引脚处与金属屏蔽层形成短路。
[0004]但如果对单层超薄基板产品先作引脚电镀处理，需先通过蚀刻工艺将背铜去除，将整条产品切单分成单一封装结构，然后再在单颗产品上形成金属屏蔽层，如此分开作业比较耗费时间，生产效率低下。
[0005]因此，有必要提供对现有的单层超薄基板的结构和制备工艺进行进一步的改进，提升生产效率以解决上述问题。
【发明内容】
[0006]针对以上技术问题，本实用新型设计开发了一种带金属屏蔽层的单层超薄基板封装结构，实现对超薄封装结构金属屏蔽层的有效涂覆，使封装结构达到良好的电磁屏蔽和电磁兼容性能，并对单层超薄基板封装结构的产品进行金属屏蔽层涂覆工艺进行改进，采用半切(Half cut)工艺，一次性对整条单层超薄基板封装产品进行金属屏蔽层涂覆，从而提高生产效率;并在后续的单层超薄基板封装产品的引脚处，植锡球或印刷锡膏，或者通过化学沉积工艺沉积Ni/Au，有效避免引脚电镀时短路的缺陷。
[0007]为达到上述目的，本发明提供如下技术方案:
[0008]—种带金属屏蔽层的单层超薄基板封装结构，包括金属屏蔽层、胶封体、阻焊层、镍或金层、单层基板、BT树脂层、封装元件、引脚，所述的金属屏蔽层覆盖在单层超薄基板封装结构除底层外的表面上，金属屏蔽层的厚度大于I um;封装结构的单层基板的厚度为0.05-0.3 mm。
[0009]进一步，作为优选，所述带金属屏蔽层的单层超薄基板封装结构的厚度是在0.2-0.8mmo
[0010]进一步，作为优选，所述的金属屏蔽层为铜或不锈钢。
[0011]进一步，作为优选，所述的封装元件包括芯片、键合线或凸块，装于胶封体内，胶封体的厚度为0.175-0.48mm。
[0012]进一步，作为优选，所述的引脚处植有锡球或印刷锡膏。
[0013]进一步，作为作为引脚处植有锡球或印刷锡膏的替代方案，所述的引脚做化镀处理，先在引脚上镀一层镍层，然后再镀一层金层。
[0014]本实用新型的有益效果为:
[0015]1、本实用新型应用半切(Half Cut)工艺，可以对整条产品进行电磁屏蔽层(EMIShielding)涂覆作业，将引脚的电镀处理和金属屏蔽层的电镀处理过程分开，避免了引脚处的重复电镀，并对单层超薄基板的产品的金属屏蔽层和引脚的集中统一处理，从而提高生产效率。
[0016]2、本实用新型还实现了单层超薄基板工艺和电磁屏蔽层(EMI Shielding)涂覆工艺的结合，可以应用于所有类型封装产品，适用性广。
[0017]3、本实用新型对该类型产品引脚采用植锡球或印刷锡膏，或通过化学沉积工艺沉积Ni/Au,避免单层超薄产品应用于电磁屏蔽层(EMI Shielding)工艺时基板引脚短路的缺陷。
【附图说明】
[0018]图1-8为单层基板封装体的工艺流程图；
[0019]图9-15为单层超薄基板封装结构的halfcut的工艺流程图；
[0020]图16为本实用新型封装结构的组装结构图；
[0021]图17为本实用新型封装结构在halfcut时后组装结构图；
[0022]图18为本实用新型结构图；
[0023]其中，1-载板，2-铜柱，3-BT树脂层、4-金属铜层、5-钻孔、6-第一导线层、7-阻焊层、8-镍或金层、9-单层基板、10-背铜、11-胶封体、12-half cut切除区、13-金属屏蔽层、14-胶带、15-1C芯片、16-锡球、17-锡膏。
【具体实施方式】
[0024]下面将结合本实用新型的实施例和附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0025]—种带金属屏蔽层的单层超薄基板封装结构，包括金属屏蔽层13、胶封体11、阻焊层7、镍或金层8、单层基板9、BT树脂层3、封装元件、引脚，所述的金属屏蔽层覆盖13在单层超薄基板封装结构除底层外的表面上，金属屏蔽层的厚度大于I um;封装结构的单层基板9的厚度为0.05-0.3 mm;所述带金属屏蔽层的单层超薄基板封装结构的厚度是在0.2-0.8mm;所述的金属屏蔽层为铜或不锈钢;所述的封装元件包括IC芯片15、键合线或凸块，装于胶封体内，胶封体的厚度为0.175-0.48mm;所述的引脚处植有锡球16或印刷锡膏17。
[0026]进一步，作为引脚处植有锡球或印刷锡膏的替代，所述的引脚做化镀处理，先在引脚