一种晶体硅太阳能电池组件的制作方法
【专利摘要】一种晶体硅太阳能电池组件，从上到下包括玻璃前板、前EVA胶膜层、晶体硅电池片、后EVA胶膜层和光伏背板，所述晶体硅电池片朝向玻璃前板的一面上设置有主栅线；主栅线上设有配合的焊带；所述玻璃前板的内侧面上开设有避让凹槽，该避让凹槽与所述焊带一一对应设置，使焊带卡于避让凹槽内。本实用新型的玻璃前板上对应于焊带开设有避让凹槽，层压时，焊带全部或部分位于避让凹槽内，缩小了玻璃前板与晶体硅电池片之间的距离，避免玻璃前板挤压焊带，从而降低了晶体硅电池片在层压过程中被压碎的概率，提高了合格率。
【专利说明】
一种晶体硅太阳能电池组件
技术领域
[0001]本实用新型涉及太阳能电池领域，尤其涉及一种晶体硅太阳能电池组件。
【背景技术】
[0002]现有技术中，晶体硅太阳能电池组件包括玻璃前板、前EVA胶膜层、晶体硅电池片、后EVA胶膜层、光伏背板，晶体硅电池片的一表面与玻璃前板通过前EVA胶膜层胶合，晶体硅电池片的另一表面与光伏背板通过后EVA胶膜层胶合。
[0003]晶体硅电池片上设置有主栅线，为了提高晶体硅太阳能电池组件的功率，晶体硅电池片上的主栅线从原来2根不断增加到5根，每次增加主栅根数，为了不增加电池的遮光面积，主栅线需要变细，需要的焊带同样也要变细;而变细焊带的电阻就会增大。为了不增加焊带的电阻，需要增加变细焊带的厚度。
[0004]然而，实际应用发现:焊带的厚度增加后容易压碎电池片。针对上述问题，现有技术往往采用更厚的EVA胶膜层，而这样的层压组件使得透射到晶体硅电池片的光减少，造成电池组件的功率下降。
【发明内容】
[0005]本实用新型的目的在于提供一种晶体硅太阳能电池组件。
[0006]为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是:一种晶体硅太阳能电池组件，从上到下包括玻璃前板、前EVA胶膜层、晶体硅电池片、后EVA胶膜层和光伏背板，所述晶体硅电池片朝向玻璃前板的一面上设置有主栅线;主栅线上设有配合的焊带；
[0007]所述玻璃前板的内侧面上开设有避让凹槽，该避让凹槽与所述焊带一一对应设置，使焊带卡于避让凹槽内。
[0008]上述方案中，所述避让凹槽的宽度为0.8?1.5毫米。
[0009]上述方案中，所述避让凹槽的深度为0.05?0.3毫米。
[0010]上述方案中，所述晶体硅电池片的主栅线的数量大于等于4。
[0011 ]上述方案中，所述前EVA胶膜层的厚度为0.45-0.5毫米。
[0012]上述方案中，所述玻璃前板的内侧面为压花平面。
[0013]由于上述技术方案运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点:
[0014]1.本实用新型的玻璃前板上对应于焊带开设有避让凹槽，层压时，焊带全部或部分位于避让凹槽内，缩小了玻璃前板与晶体硅电池片之间的距离，避免玻璃前板挤压焊带，从而降低了晶体硅电池片在层压过程中被压碎的概率，提高了合格率；
[0015]2.本实用新型不需要采用过厚的前EVA胶膜层，只要采用正常厚度的EVA胶膜层即可，提高了玻璃前板到晶体硅电池片的透光率；
[0016]3.本实用新型结构简单，便于制作，易于推广。
【附图说明】
[0017]图1为本实用新型实施例结构剖视图。
[0018]图2为本实用新型实施例玻璃前板结构图。
[0019]其中:1、玻璃前板;2、前EVA胶膜层；3、晶体硅电池片;4、后EVA胶膜层；5、光伏背板;6、避让凹槽。
【具体实施方式】
[0020]下面结合附图及实施例对本实用新型作进一步描述:
[0021 ] 实施例:
[0022]参见图1?2所示，一种晶体硅太阳能电池组件，在厚度方向上依次包括玻璃前板1、前EVA胶膜层2、晶体硅电池片3、后EVA胶膜层4及光伏背板5，晶体硅电池片3的一侧表面与玻璃前板I之间通过前EVA胶膜层胶合，晶体硅电池片3的另一侧表面与光伏背板5之间通过后EVA胶膜层胶合。
[0023]所述晶体硅电池片朝向玻璃前板I的一面上设置有主栅线。所述玻璃前板I与晶体硅电池片3相对的一侧表面上开设有避让凹槽6，该避让凹槽6对应于与主栅线配合的焊带设置。
[0024]所述避让凹槽6的宽度为0.8-1.5毫米。所述避让凹槽6的深度为0.05-0.3毫米。
[0025]本实施例的晶体娃太阳能电池组件包括八条晶体娃电池片串，每条电池片串上的电池片上具有4条主栅线，对应设有4条焊带，因此，对应于4条焊带的玻璃前板的内侧面上设有4条避让凹槽6，参见图2所示。
[0026]在实际应用中，避让凹槽的数量根据具体的主栅线数量而定。
【主权项】
1.一种晶体硅太阳能电池组件，从上到下包括玻璃前板、前EVA胶膜层、晶体硅电池片、后EVA胶膜层和光伏背板，所述晶体硅电池片朝向玻璃前板的一面上设置有主栅线;主栅线上设有配合的焊带;其特征在于: 所述玻璃前板的内侧面上开设有避让凹槽，该避让凹槽与所述焊带一一对应设置，使焊带卡于避让凹槽内。2.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池组件，其特征在于:所述避让凹槽的宽度为0.8~1.5 晕米。3.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池组件，其特征在于:所述避让凹槽的深度为0.05?0.3晕米。4.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池组件，其特征在于:所述晶体硅电池片的主栅线的数量大于等于4。5.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池组件，其特征在于:所述前EVA胶膜层的厚度为0.45?0.5毫米。6.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池组件，其特征在于:所述玻璃前板的内侧面为压花平面。
【文档编号】H01L31/048GK205428960SQ201620197809
【公开日】2016年8月3日
【申请日】2016年3月15日
【发明人】张春华, 郑旭然, 衡阳, 陈佳男
【申请人】苏州阿特斯阳光电力科技有限公司