具有多个凹穴配置的晶片载体的制作方法
【专利摘要】本实用新型涉及一种具有多个凹穴配置的晶片载体。该晶片载体构造为与化学气相沉积装置一起使用，该晶片载体包括：本体，该本体具有彼此相对布置的顶表面和底表面；以及多个凹穴，所述多个凹穴被限定在所述晶片载体的所述顶表面中；其特征在于，所述多个凹穴由总共三十四个至三十六个之间的凹穴组成，每个凹穴沿着三个圆中的一个圆布置，其中所述三个圆彼此同心并且与由所述顶表面的周缘所形成的圆形轮廓同心。
【专利说明】
具有多个凹穴配置的晶片载体
技术领域
[0001] 本实用新型总体涉及半导体制造技术，并且尤其涉及化学气相沉积(CVD)工艺及 相关设备，用于在工艺期间保持半导体晶片。
【背景技术】
[0002] 在发光二极管(LED)和诸如激光二极管、光探测器和场效应晶体管的其它高性能 器件的制造中，典型地使用化学气相沉积(CVD)工艺在蓝宝石或硅衬底之上使用诸如氮化 镓的材料来生长薄膜堆叠结构。CVD工具包括处理腔，该处理腔是密封环境以允许注入的气 体在衬底(通常为晶片的形式)上反应以生长薄膜层。这种制造设备的现行生产线的实例是 由Plainview，New York的Veeco Instruments Inc.制造的 TurboDisc?.和金属有机化学气 相沉积(MOCVD)系统的EPIK系列。
[0003] 控制诸如温度、压强和气体流速的一些工艺参数以获得所希望的晶体生长。使用 不同的材料和工艺参数来生长不同层。例如，典型地，由诸如III-V族半导体的化合物半导 体形成的器件是通过使用MOCVD生长连续的该化合物半导体层而形成的。在本工艺中，晶片 被暴露于气体的组合中，典型地，该气体包括作为III族金属的源的金属有机化合物，并且 还包括当晶片保持在升高的温度下时在晶片表面上流动的V族元素的源。通常，金属有机化 合物和V族源与明显不参与反应的载气组合，该载气例如是氮气。III-V族半导体的一个实 例是氮化镓，可以在例如蓝宝石晶片的具有合适的晶格间隙的衬底上通过有机镓化合物和 氨气的反应形成氮化镓。在沉积氮化镓和相关化合物期间一般将该晶片保持在大约1000-IlOO cC的温度下。
[0004] 在通过衬底表面上的化学反应而发生晶体生长的MOCVD工艺中，必须特别小心地 控制工艺参数以确保在所要求的条件下进行该化学反应。在工艺条件中即使小的变化也可 能不利地影响器件质量和生产良率。例如，如果沉积氮化镓铟层（ga11 ium and indium layer)，晶片表面温度的变化将会引起所沉积的层的成分和带隙的变化。因为铟具有相对 高的蒸气压，在表面温度较高的晶片区域中所沉积的层将会具有较低的铟比例和较大的带 隙。如果所沉积的层是有源层，LED结构的发光层，那么由该晶片形成的LED的辐射波长也将 会变至不可接受的程度。
[0005] 在MOCVD处理腔中，在其上生长薄膜层的半导体晶片设置于被称作晶片载体的快 速旋转的圆盘传送带(carousel)上，以在反应腔之内使它们的表面均匀暴露于气氛中用以 沉积半导体材料。转速是大约1000RPM。该晶片载体典型地是由诸如石墨的高导热材料机械 加工出来的，并且经常涂覆有诸如碳化硅材料的保护层。每个晶片载体具有一组圆形凹部 (indentation)，或凹穴(pocket)，在其顶表面中放置有单个的晶片。典型地，晶片被支撑为 与每个凹穴的底部表面成间隔关系以允许在该晶片的边缘周围流动气体。在U.S.专利申请 公开N〇.2012/0040097、U.S.专利N〇.8092599、U.S.专利N〇.8021487、U.S.专利申请公开 No · 2007/0186853、U· S ·专利No · 6902623、U· S ·专利No · 6506252和U· S ·专利No · 6492625中描 述了有关技术的一些实例，通过引用将其公开内容合并于此。
[0006] 在反应腔之内在轴(spindle)上支撑该晶片载体使得具有晶片的暴露表面的晶片 载体的顶表面向上朝向气体分配装置。当该轴旋转时，该气体被向下引导到该晶片载体的 顶表面上并且经过该顶表面流向该晶片载体的外周。通过设置在该晶片载体下方的端口从 反应腔中排出所使用的气体。通过加热元件将该晶片载体保持在所希望的升高的温度下， 该加热元件典型地是设置在该晶片载体的底表面之下的电阻加热元件。将这些加热元件保 持在该晶片表面的所希望的温度之上的温度下，然而典型地将该气体分配装置保持在刚好 在所希望的反应温度之下的温度下以防止气体过早反应。因而，热量从该加热元件向该晶 片载体的底表面传输并向上通过晶片载体流向单个晶片。
[0007] 在晶片之上的气流依赖于每个晶片的径向位置而变化，由于在旋转期间其较快的 速度，最外面位置的晶片经受较高流速。甚至在每个单个晶片上都可能存在温度非均匀性， 即冷点和热点。影响温度非均匀性的形成的一个可变因素是晶片载体内的凹穴的形状。通 常，凹穴形状在该晶片载体的表面中形成圆形。由于晶片载体旋转，因而该晶片在其最外面 的边缘（即离旋转轴最远的边缘)处受到实质性的向心力，导致晶片挤靠该晶片载体中各个 凹穴的内壁。在这种情况下，在晶片的这些外部边缘和凹穴的边缘之间存在紧密接触。向晶 片的这些最外面部分的增加的热传导导致更大的温度非均匀性，进一步使上述的问题恶 化。已作出努力以通过增加晶片的边缘和凹穴的内壁之间的间隙来最小化温度非均匀性， 包括将晶片设计为边缘的一部分上是平的（即"平的"晶片）。晶片的该平的部分产生间隙并 减小与该凹穴的内壁的接触点，由此缓和温度非均匀性。影响贯穿由该晶片载体保持的该 晶片的热均匀性的其它因素包括晶片载体的热传输和发射特性，并结合晶片凹穴的布局。
[0008] 为了实现温度均匀性，对于晶片载体的另一个所希望的特性是增加CVD工艺的生 产量。在增加工艺生产量中该晶片载体的角色是保持大量的单个晶片。提供具有更多晶片 的晶片载体布局影响热模型。例如，由于来自晶片载体边缘的辐射热损耗，靠近边缘的晶片 载体的部分趋于处在比其它部分更低的温度下。
[0009] 因此，需要在其中解决高密度布局中的温度均匀性和机械应力的用于晶片载体的 实用解决方案。 【实用新型内容】
[0010]晶片载体包括新的凹穴布置。本文所描述的该布置便于热传输还有用于圆晶片生 长的凹穴的高填充密度(high packing density)。
[0011] 根据本实用新型的第一方面，提供了一种晶片载体，该晶片载体构造为与化学气 相沉积装置一起使用，该晶片载体包括:本体，该本体具有彼此相对布置的顶表面和底表 面；以及多个凹穴，所述多个凹穴被限定在所述晶片载体的所述顶表面中。所述多个凹穴由 总共三十四个至三十六个之间的凹穴组成，每个凹穴沿着三个圆中的一个圆布置，其中所 述三个圆彼此同心并且与由所述顶表面的周缘所形成的圆形轮廓同心。
[0012] 根据本实用新型的第二方面，在根据第一方面的晶片载体中，所述多个凹穴中的 六个凹穴绕所述三个圆中的第一个圆布置;所述多个凹穴中的十二个凹穴绕所述三个圆中 的第二个圆布置;并且所述多个凹穴中的十八个凹穴绕所述三个圆中的第三个圆布置。
[0013] 根据本实用新型的第三方面，在根据第一方面的晶片载体中，所述多个凹穴中的 五个凹穴绕所述三个圆中的第一个圆布置;所述多个凹穴中的十二个凹穴绕所述三个圆中 的第二个圆布置;并且所述多个凹穴中的十八个凹穴绕所述三个圆中的第三个圆布置。
[0014] 根据本实用新型的第四方面，在根据第一方面的晶片载体中，所述多个凹穴中的 五个凹穴绕所述三个圆中的第一个圆布置;所述多个凹穴中的^ 个凹穴绕所述三个圆中 的第二个圆布置;并且所述多个凹穴中的十八个凹穴绕所述三个圆中的第三个圆布置。
[0015] 根据本实用新型的第五方面，在根据第一方面的晶片载体中，所述第一个圆被所 述第二个圆围绕，并且所述第二个圆被所述第三个圆围绕。
[0016] 根据本实用新型的第六方面，在根据第一或第五方面的晶片载体中，所述多个凹 穴中的每个凹穴均包括大约50mm的凹穴直径。
[0017] 根据本实用新型的第七方面，在根据第一或第五方面的晶片载体中，所述多个凹 穴中的每个凹穴均包括深度为大约430μηι的径向壁。
[0018] 根据本实用新型的第八方面，在根据第一方面的晶片载体中，所述晶片载体还包 括布置在所述底表面上的锁定特征部。
[0019] 根据本实用新型的第九方面，在根据第八方面的晶片载体中，所述锁定特征部布 置在所述底表面的几何中心处。
[0020] 根据本实用新型的第十方面，在根据第八或第九方面的晶片载体中，所述锁定特 征部选自由花键、卡盘或锁控配件组成的组。
[0021] 根据本实用新型的第十一方面，在根据第一方面的晶片载体中，所述顶表面和所 述底表面均包括一直径，并且所述顶表面的直径大于所述底表面的直径。
[0022] 根据本实用新型的第十二方面，在根据第一方面的晶片载体中，所述晶片载体构 造为与金属氧化物化学气相沉积装置一起使用。
[0023]根据本实用新型的第十三方面，在根据第二或第三方面的晶片载体中，所述凹穴 经由填隙空间互相连接。
[0024]根据本实用新型的第十四方面，在根据第四方面的晶片载体中，所述凹穴中的每 个凹穴均包括平坦部，该平坦部被布置为与同一圆内的凹穴中的另一个凹穴相邻。
【附图说明】
[0025]在连同附图考虑下列本实用新型各种实施例的详细描述后，可以更完整地理解本 实用新型，其中：
[0026]图1是根据一实施例的MOCVD处理腔的示意图。
[0027] 图2是根据一实施例的具有三十六个凹穴配置的晶片载体的立体图。
[0028] 图3是根据一实施例的具有三十六个凹穴配置的晶片载体的俯视图。
[0029] 图4是根据一实施例的具有三十六个凹穴配置的晶片载体的侧视图。
[0030] 图5是根据一实施例的具有三十六个凹穴配置的晶片载体的仰视图。
[0031] 图6是根据一实施例的具有三十六个凹穴配置的晶片载体的部分细节图，示出了 来自立体图的单个凹穴。
[0032] 图7至图9描述了晶片载体的一个替代实施例。
[0033]图10至图12描述了晶片载体的另一个替代实施例。
【具体实施方式】
[0034] 图1示出了根据本实用新型的一个实施例的化学气相沉积设备。反应腔10限定了 工艺环境空间。气体分配装置12布置在该腔体的一端处。具有气体分配装置12的所述端在 此处被称为反应腔10的"顶"端。该腔的这一端典型地但不是必须地设置在正常重力参照系 下的该腔的顶部处。因而，此处使用的向下方向指代从气体分配装置12离开的方向；而向上 的方向指代腔内朝向气体分配装置12的方向，而不管这些方向是否与重力向上和向下的方 向对齐。类似地，此处参考反应腔10和气体分配装置12的参照系来描述元件的"顶"和"底" 表面。
[0035] 气体分配装置12连接至用于供应在晶片处理工艺中所使用的诸如载气和反应气 体的处理气体的源14、16和18,该反应气体例如为金属有机化合物和V族金属的源。气体分 配装置12被布置为接收各种气体并且通常在向下方向上引导处理气体的流动。理想地，气 体分配装置12还连接至冷却系统20,该冷却系统被布置为使液体循环穿过气体分配装置12 以在操作期间使气体分配装置的温度保持在所希望的温度下。可以提供类似的冷却布置 (未示出）以冷却反应腔10的壁。反应腔10还配备有排气系统22,该排气系统被布置为通过 位于或靠近腔底部的端口（未示出）从腔10的内部移除废气，使得允许从气体分配装置12沿 向下方向存在连续的气流。
[0036]轴24布置在腔内以使轴24的中心轴线26在向上和向下方向上延伸。通过包括轴承 和密封件(未示出）的传统旋转通过装置(rotary pass-through device)28将轴24安装至 腔，使得轴24可以关于中心轴线26旋转，而保持轴24和反应腔10的壁之间的密封。该轴具有 位于其顶端处、即位于该轴的最接近气体分配装置12的端处的配件30。正如下面进一步所 讨论的，配件30是适应于可释放地接合晶片载体的晶片载体保持机构的一个实例。在所描 述的具体实施例中，配件30通常是朝向轴的顶端渐缩且终止于平的顶表面的截头圆锥形的 元件。截头圆锥形的元件是具有圆锥的平截头形状的元件。轴24连接至例如电马达驱动的 旋转驱动机构32，其布置为使轴24关于中心轴线26旋转。
[0037]加热元件34安装在腔内并在配件30下面围绕轴24。反应腔10还设有通向前室38的 入口 36,以及用于关闭和开启该入口的门40。在图1中仅示例性地描绘了门40,并且示为在 关闭位置和开启位置之间可移动，其中该关闭位置以实线示出，在所述关闭位置中该门将 反应腔10的内部与前室38隔离，该开启位置在4(T处以虚线示出。该门40配备有用于在开启 位置和关闭位置之间移动门的适当的控制和致动机构。在实践中，该门可以包括在向上和 向下方向上可移动的快门（shutter)，例如在U.S.专利No. 7276124中所公开的，通过参考将 其公开内容并入此处。在图1中描绘的该设备还可以包括装载机构(未示出），该装载机构能 够将晶片载体从前室38移动到该腔内并且在操作条件下使该晶片载体与轴24接合，并且还 能够使晶片载体移出轴24并进入前室38。
[0038]该设备还包括多个晶片载体。在图1中示出的操作条件下，在操作位置中第一晶片 载体42设置在反应腔10的内部，而第二晶片载体44设置在前室38内。每个晶片载体包括本 体46,该本体46基本上是具有中心轴线的圆盘形式(看图2)。本体46形成为关于轴线对称。 在操作位置中，晶片载体本体的轴线与轴24的中心轴线26重合。本体46可以形成为单件或 多件的组合。例如在U. S.专利申请公开No . 20090155028中所公开的，通过参考将其公开内 容并入此处，晶片载体本体可以包括限定了围绕该中心轴线的本体的小区域的毂部(hub) 和限定了圆盘状本体的剩余部分的较大部分。本体46最好由如下材料形成:该材料不污染 该工艺并且可以经受住工艺中所遇到的温度。例如，该圆盘的较大部分可以形成为，其大部 分地或者整个地由诸如石墨、碳化硅或其它难熔材料的材料形成。本体46通常具有平坦的 顶表面48和底表面52,它们大致彼此平行地延伸且大致垂直于该圆盘的中心轴线。本体46 还具有适应于保持多个晶片的一个或多个晶片保持特征部。
[0039] 在操作中，例如由蓝宝石、碳化硅或其它晶体衬底形成的圆盘状晶片的晶片54设 置在每个晶片载体的每个凹穴56内。典型地，晶片54具有的厚度比其主表面的尺寸小。例 如，直径大约2英寸（50mm)的圆形晶片可以为大约430μπι厚或更少。如图1中所示，晶片54设 置有面向上方的顶表面，使得该顶表面在晶片载体的顶部处暴露。应当注意到在各种实施 例中，晶片载体42承载不同数量的晶片。例如，在一个实例实施例中，晶片载体42可以适合 于保持六个晶片。在另一实例实施例中，如图2中所示，该晶片载体保持25个晶片。
[0040] 在典型的MOCVD工艺中，将装载有晶片的晶片载体42从前室38装载到反应腔10中 并放置在图1中示出的操作位置中。在这种情况下，晶片的顶表面面向上方，朝向气体分配 装置12。加热元件34被致动，并且旋转驱动机构32操作以使轴24转动并因此使晶片载体42 围绕轴线26转动。典型地，以大约每分钟50-1500转的旋转速度旋转轴24。处理气体供应单 元14、16和18被致动以通过气体分配装置12供应气体。该气体朝向晶片载体42向下传送，经 过晶片载体42和晶片54的顶表面48,并且向下围绕晶片载体的周围而传送至出口并且传送 至排气系统22。因而，晶片载体的顶表面和晶片54的顶表面暴露于处理气体，该处理气体包 括由各种处理气体供应单元所供应的各种气体的混合。最典型地，在顶表面处的处理气体 主要是由载气供应单元16供应的载气组成的。在典型的化学气相沉积工艺中，该载气可以 是氮气，并且因此在晶片载体顶表面处的处理气体主要是由具有一定量的反应气体成分的 氮气组成的。
[0041 ]加热元件34主要通过辐射热传输而将热量传输至晶片载体42的底表面52。施加至 晶片载体42的底表面52的热量向上穿过晶片载体的本体46而流向晶片载体的顶表面48。穿 过本体向上传递的热量还穿过间隙向上传递至每个晶片的底表面，并且穿过该晶片向上传 递至晶片54的顶表面。从晶片载体42的顶表面48并从晶片的顶表面向处理腔的较冷元件， 例如向处理腔的壁以及向气体分配装置12,辐射热量。还从晶片载体42的顶表面48和晶片 的顶表面向经过这些表面的处理气体传输热量。
[0042] 在所描述的实施例中，该系统包括多个特征部，这些特征部被设计为确定每个晶 片54的表面的热均匀性。在本实施例中，温度分析系统58接收温度信息，该温度信息可包括 来自温度监控器60的温度和温度监控位置信息。另外，温度分析系统58接收晶片载体位置 信息，在一个实施例中其可来自于旋转驱动机构32。有了这个信息，温度分析系统58构建了 晶片载体42上的凹穴56的温度分布图。温度分布图表示每个凹穴56或包含在其中的晶片54 的表面上的热分布。
[0043] 图2是根据一实施例的晶片载体142的立体图。图3是同一晶片载体142的俯视图。 晶片载体142包括具有顶表面148的本体146和限定于其中的三十六个凹穴162。在图2和图3 中示出的实施例中，凹穴162布置在三个圆R1、R2和R3中，每个圆均与由本体146的外边缘限 定的圆是同心的。在径向内圆Rl中，六个凹穴16 2在方位上均匀地间隔开。同样地，在径向中 圆R2中，十二个凹穴162在方位上均匀地间隔开。在径向外圆R3中，十八个凹穴162在方位上 均匀地间隔开。每个凹穴162是形成在本体146中的孔口，该孔口基本上垂直于以下平面延 伸:其中顶面148沿着该平面布置。
[0044]图2和图3中描绘的凹穴的布置的有利之处在于:在顶表面148上保持相对高密度 的凹穴162的同时，其提供了期望水平的热均匀性。在实施例中，顶表面148可以具有大约 300mm的直径。之后凹穴162的尺寸被确定为适配在这一区域中。例如，在实施例中，凹穴162 可以具有大约50mm的直径。
[0045] 如图2和图3所示，在各个圆R1、R2与R3中，凹穴162相互交叠并且因而生长在每个 凹穴162中的晶片与生长在相邻的凹穴162中的晶片连接。当完全生长时，生长在凹穴162中 的所有晶片与生长在相同圆中的任何凹穴162中的每个其它晶片机械互连。晶片接着可以 根据需要切开。由于这些晶片生长为互相机械耦合，在每个单独凹穴162中生长的晶片不能 随着主体146旋转而旋转，如之前所描述的，这种旋转可能会引起正在生长的晶片的损伤， 至少沿着它们的边缘损伤。
[0046] 图4是图2和图3的晶片载体142的侧视图，示于侧视图中。在图4中示出的视图中， 可以看出顶表面148和底表面152之间的尺寸上的相对差异。尤其是，顶表面还朝向如图4中 显示的纸张的顶部和底部延伸，或者在图2和图3中显示的视图中进一步向径向延伸。先前 在图2和图3中描绘的每个凹穴162都从顶表面148朝向底表面152延伸。底表面152提供固态 基底，在该固态基底上可以将晶片生长在晶片载体142中。
[0047] 图5是先前关于图2至图4所描述的晶片载体142的仰视图。如图5中所示，晶片载体 142包括在底面152的中心中的锁定特征部164。锁定特征部164构造为与诸如先前在图1中 描绘的轴24的配件30的其它部件接合。在各种实施例中，锁定特征部164可以包括例如花键 (spline)、卡盘(chuck)或锁控配件(keyed fitting)。所属领域的技术人员将会意识到，各 种机构都能够从相邻元件向晶片载体142施加角动量。
[0048]底面152可以是任何材料，并且在实施例中将其设计为便于热传输。如前所述，在 实施例中希望从附近的热元件(例如图1中示出的加热元件34)向底面152传输热量。由此， 底面152可以是相对低折射率材料或者可以是由这种物质所涂覆。
[0049] 晶片载体142可以由其上适于外延生长的任何材料形成，在实施例中，例如石墨或 石墨涂覆材料。在其它实施例中，可以将构成晶片载体142的材料选择为匹配所希望的晶格 设置或尺寸。同样地，根据希望生长的晶片可以使用不同尺寸的凹穴162。
[0050] 图6是示出了其中一个凹穴162的局部立体图。每个凹穴162包括侧壁166,除了填 隙空间170之外，其基本上是圆柱形的，其中凹穴162与同一圆中的相邻的凹穴162A和162B 交叠。由侧壁166形成的圆柱的底部是衬底168。在实施例中，侧壁166可以具有大约430μπι的 深度。
[0051 ]图7至图9描述了包括三十五个凹穴262的晶片载体242的一个替代实施例。图7至 图9所示的每个组件基本相似于图2至图6所描述的实施例的对应附图标记的特征。为了清 楚，图7至图9中的相同部件对应于图2至图6中它们的对应部件编号，并且迭代100(这样例 如，晶片载体142基本上相似于晶片载体242,并且凹穴162基本上相似于凹穴262,等等）。虽 然这些特征的一些方面可能不同，例如由于晶片载体242上的凹穴262的不同配置而造成填 隙空间270尺寸的不同，但是关于图2至图6先前描述的这样配置的一个好处同样也适用于 关于图7至图9所不的实施例。
[0052]图10至图12描述了包括三十四个凹穴362的晶片载体342的一个替代实施例。图10 至图12所示的大部分组件基本上类似于关于图2至图6或图7至图9先前描述的实施例的对 应编号的特征，并且迭代1〇〇(这样例如，晶片载体142和242基本上相似于晶片载体342,并 且凹穴162和262基本上相似于凹穴362,等等）。一个例外是平坦部372A和372B，其配置在凹 穴362与圆内的相邻凹穴之间的最接近的点处。平坦部372A和372B允许相邻的凹穴362之间 有足够的空间。因此，在图10至图12所示的实施例中，凹穴362没有与关于图2至图6和图7至 图9描述的实施例所先前显示的那样互连。平坦部372A和372B进一步可以防止在外延生长 期间生长在每个凹穴362内的晶片旋转。
[0053]这些实施例是用作示例的目的而非限制。附加的实施例在权利要求中。另外，尽管 已参考具体实施例描述了本实用新型的方面，但是所属领域的技术人员将会认识到可以在 不脱离由权利要求所限定的本实用新型的范围的情况下在形式和细节上作出改变。
【主权项】
1. 一种晶片载体，该晶片载体构造为与化学气相沉积装置一起使用，该晶片载体包括： 本体，该本体具有彼此相对布置的顶表面和底表面；以及 多个凹穴，所述多个凹穴被限定在所述晶片载体的所述顶表面中； 其特征在于，所述多个凹穴由总共三十四个至三十六个之间的凹穴组成，每个凹穴沿 着三个圆中的一个圆布置，其中所述三个圆彼此同心并且与由所述顶表面的周缘所形成的 圆形轮廓同心。2. 如权利要求1所述的晶片载体，其特征在于， 所述多个凹穴中的六个凹穴绕所述三个圆中的第一个圆布置； 所述多个凹穴中的十二个凹穴绕所述三个圆中的第二个圆布置;并且 所述多个凹穴中的十八个凹穴绕所述三个圆中的第三个圆布置。3. 如权利要求1所述的晶片载体，其特征在于， 所述多个凹穴中的五个凹穴绕所述三个圆中的第一个圆布置； 所述多个凹穴中的十二个凹穴绕所述三个圆中的第二个圆布置;并且 所述多个凹穴中的十八个凹穴绕所述三个圆中的第三个圆布置。4. 如权利要求1所述的晶片载体，其特征在于， 所述多个凹穴中的五个凹穴绕所述三个圆中的第一个圆布置； 所述多个凹穴中的十一个凹穴绕所述三个圆中的第二个圆布置;并且 所述多个凹穴中的十八个凹穴绕所述三个圆中的第三个圆布置。5. 如前述权利要求中任一项所述的晶片载体，其特征在于，第一个圆被第二个圆围绕， 并且第二个圆被第三个圆围绕。6. 如权利要求1所述的晶片载体，其特征在于，所述多个凹穴中的每个凹穴均包括50_ 的凹穴直径。7. 如权利要求1所述的晶片载体，其特征在于，所述多个凹穴中的每个凹穴均包括深度 为430μπι的径向壁。8. 如权利要求1所述的晶片载体，其特征在于，所述晶片载体还包括布置在所述底表面 上的锁定特征部。9. 如权利要求8所述的晶片载体，其特征在于，所述锁定特征部布置在所述底表面的几 何中心处。10. 如权利要求8或9所述的晶片载体，其特征在于，所述锁定特征部选自由花键、卡盘 或锁控配件组成的组。11. 如权利要求1所述的晶片载体，其特征在于，所述顶表面和所述底表面均包括一直 径，并且所述顶表面的直径大于所述底表面的直径。12. 如权利要求1所述的晶片载体，其特征在于，所述晶片载体构造为与金属氧化物化 学气相沉积装置一起使用。13. 根据权利要求2或3所述的晶片载体，其特征在于，所述凹穴经由填隙空间互相连 接。14. 根据权利要求4所述的晶片载体，其特征在于，所述凹穴中的每个凹穴均包括平坦 部，该平坦部被布置为与同一圆内的凹穴中的另一个凹穴相邻。
【文档编号】H01L21/673GK205488070SQ201520966920
【公开日】2016年8月17日
【申请日】2015年10月16日
【发明人】亚历山大·古雷利, 曼德尔·德什潘德, 阿尼鲁德·帕雷克, 尤利·拉什科夫斯基
【申请人】维易科仪器有限公司