氮化镓基倒装led芯片的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种氮化镓基倒装LED芯片，其是镜面对称的结构，从其蓝宝石衬底的上表面向上，依次分布着的N型氮化镓层、多量子阱结构层和P型氮化镓层构成外延结构。N型氮化镓层的上表面暴露在多量子阱结构层之外的第一部分和第二部分分别形成外延结构的两个肩部；三个长条形的金属电极彼此平行地延伸，其中中间一个是P电极，其沿P型氮化镓层的上表面的中轴线延伸；两侧分别是第一、第二N电极，它们分别分布在第一、第二部分上延伸。本实用新型的氮化镓基倒装LED芯片采用镜面对称的结构，能够通过两个N电极的位置来保证芯片的电流分布均匀，具有光效高、制作流程简便，可靠性高的优点。
【专利说明】
氮化镓基倒装LED芯片
技术领域
[0001 ]本实用新型涉及LED芯片技术领域，尤其涉及一种氮化镓基倒装LED芯片。
【背景技术】
[0002] 氮化镓基LED芯片的基本结构包括蓝宝石衬底、N型氮化镓(N-GaN)层、多量子阱结 构层(发光层)和P型氮化镓(P-GaN)层。正向通电时，电流注入多量子阱结构层，电能转化为 光，蓝宝石衬底的表面、P-GaN层的表面及LED芯片的侧面均有光出射。
[0003] 目前，氮化镓基LED芯片有正装(如图1所示)和倒装(如图2所示)两种结构，其中氮 化镓基正装LED芯片的蓝宝石衬底和N-GaN层之间具有反射层，使得绝大多数光从芯片的上 表面(即P-GaN层的表面)发出；氮化镓基倒装LED芯片的P-GaN层的表面上具有反射层，使得 绝大多数光从芯片的下表面(蓝宝石衬底的表面)发出。相对于氮化镓基正装LED芯片，氮化 镓基倒装LED芯片具有更低热阻、电流传送更均匀、更好出光及无需使用金线等优点，这些 优点决定了氮化镓基倒装LED芯片在背光高可靠性需求和照明超大电流驱动需求方面有着 显著的优势，其可以用更高的电流、散热良好且寿命较长，由此使得终端客户可以节省成 本。
[0004] 氮化镓基倒装LED芯片的P-GaN层上需要布置的反射层和用于施加电压V的电学接 触层，通常有两种方式实现。一类是直接布置金属Ni Ag层，使其既作为P-GaN层上的电学接 触层，又作为反射层;另一类是用导电透明薄膜(如ITO薄膜)作为P-GaN层上的电学接触层， 继而在其上布置介质反射膜(DBR)作为反射层实现反光。基于以上两种技术路线，已有各种 倒装LED芯片的方案出现，其中典型的如：中国专利申请号为CN201310149879.1的"LED倒装 芯片"、中国专利申请号为CN201310280172.4的"具有布拉格反射层的倒装芯片发光二级管 及其制备方法"和中国专利申请号为CN201310406608.X的"一种LED高亮度倒装芯片以及制 作方法"等。其中的"一种LED高亮度倒装芯片以及制作方法"对于大电流下的电流均匀性很 难保障，光效会受到影响；而"LED倒装芯片"和"具有布拉格反射层的倒装芯片发光二级管 及其制备方法"为了使倒装芯片在大电流驱动时电流分布均匀，在P电极上制备多个凸点， 然后沉积金属连接层。虽然这种方案可以有效解决电流分布均匀性问题，但是工艺相对复 杂，对光刻套刻精度有较高要求，从而会增加制造成本。
[0005] 因此，本领域的技术人员致力于开发一种氮化镓基倒装LED芯片，实现倒装芯片的 低成本、高光效、高可靠性。 【实用新型内容】
[0006] 为实现上述目的，本实用新型提供了一种氮化镓基倒装LED芯片，包括横截面呈长 方形的蓝宝石衬底以及从所述蓝宝石衬底的上表面向上依次分布的N型氮化镓层、多量子 阱结构层和P型氮化镓层，所述N型氮化镓层、所述多量子阱结构层和所述P型氮化镓层的横 截面皆呈长方形，它们构成外延结构；
[0007] 其特征在于，
[0008] 所述氮化镓基倒装LED芯片是镜面对称的结构，所述外延结构的纵截面成凸字形； 所述N型氮化镓层的上表面具有暴露在所述多量子阱结构层之外的第一部分和第二部分， 所述第一部分和所述第二部分分别形成所述外延结构的两个肩部；
[0009] 所述氮化镓基倒装LED芯片还包括分布在所述P型氮化镓层的上表面的P电极、分 布在所述第一部分上的第一 N电极和分布在所述第二部分上的第二N电极;所述P电极与所 述P型氮化镓层电连接，所述第一、第二N电极与所述N型氮化镓层电连接；
[0010] 所述P电极呈长条状，沿所述P型氮化镓层的上表面的中轴线延伸，从所述P型氮化 镓层的上表面的一个侧边处延伸到另一个侧边处，所述P型氮化镓层的上表面的所述侧边 和所述另一个侧边彼此相对；
[0011]所述第一、第二N电极皆呈长条状，皆与所述P电极平行地从所述N型氮化镓层的上 表面的一个侧边处延伸到另一个侧边处，所述N型氮化镓层的上表面的所述侧边和所述另 一个侧边彼此相对。
[0012] 进一步地，所述氮化镓基倒装LED芯片还包括反射层，所述反射层覆盖所述第一部 分、所述第二部分、所述P型氮化镓层的上表面、所述P电极、所述第一 N电极和所述第二N电 极。
[0013] 进一步地，所述反射层是绝缘的介质反射层。
[0014] 进一步地，所述反射层是分布式布拉格反射镜，所述分布式布拉格反射镜由交替 层叠的SiO2薄膜和TiO 2薄膜构成。
[0015] 可选地，所述P型氮化镓层的上表面具有一层透明导电薄膜，所述P电极形成在所 述透明导电薄膜上，并通过所述透明导电薄膜与所述P型氮化镓层电连接。
[00?6]进一步地，所述透明导电薄膜是ITO薄膜或ZnO薄膜。
[0017] 进一步地，所述P电极与所述P型氮化镓层接触的部分以及所述第一 N电极和所述 第二N电极与所述N型氮化镓层接触的部分是金属层CrAl或金属层CrAg。
[0018] 进一步地，所述P电极、所述第一 N电极和所述第二N电极与所述反射层接触的部分 是金属Cr、Ti、Ni或A1。
[0019] 进一步地，所述P电极、所述第一 N电极和所述第二N电极上具有引线部分，所述反 射层中在对应于所述P电极、所述第一 N电极和所述第二N电极的所述引线部分的位置处具 有引线孔。
[0020] 进一步地，所述P电极、所述第一 N电极和所述第二N电极上皆具有一个所述引线部 分，所述反射层中具有三个所述引线孔;各个所述引线孔中容纳有导电材料。
[0021 ]进一步地，所述反射层上具有两个焊盘，一个所述焊盘通过一个所述引线孔中的 所述导电材料与所述P电极电连接，另一个所述焊盘分别通过另外两个所述引线孔中的所 述导电材料与所述第一 N电极和所述第二N电极的所述引线部分电连接。
[0022]在本实用新型的较佳实施方式中，提供了一种氮化镓基倒装LED芯片，其是镜面对 称的结构，从其中的蓝宝石衬底的上表面向上，依次分布着N型氮化镓层、多量子阱结构层 和P型氮化镓层，这三层的横截面为长方形，它们构成纵截面成凸字形的外延结构。P型氮化 镓层的上表面具有一层透明导电薄膜，N型氮化镓层的上表面暴露在多量子阱结构层之外 的第一部分和第二部分分别形成外延结构的两个肩部。三个长条形的金属电极彼此平行地 延伸，其中中间一个是P电极，其沿P型氮化镓层的上表面的中轴线，从P型氮化镓层的上表 面的一个侧边处延伸到另一个侧边处;两侧分别是第一、第二N电极，它们分别分布在第一、 第二部分上，从N型氮化镓层的上表面的一个侧边处延伸到另一个侧边处。
[0023] 本实用新型的氮化镓基倒装LED芯片通过设计镜面对称的结构，在P型氮化镓层的 上表面的中轴线上布置P电极，在该P电极的两侧对称地在N型氮化镓层的上表面上布置两 个N电极，由此能够通过两个N电极的位置来保证芯片的电流分布均匀。另外，本实用新型中 采用绝缘的分布式布拉格反射镜作为反射层，覆盖P型氮化镓层的上表面、N型氮化镓层的 上表面暴露在多量子阱结构层之外的部分、P电极和两个N电极，既能代替现有技术中的 SiO2层实现器件的电学绝缘，也能防止P电极与N电极间隙间的光漏出，相对于现有技术可 以提高光效10%以上，并且制作流程简便，可靠性高。
[0024] 以下将结合附图对本实用新型的构思、具体结构及产生的技术效果作进一步说 明，以充分地了解本实用新型的目的、特征和效果。
【附图说明】
[0025] 图1是现有技术的氮化镓基正装LED芯片的结构示意图，图中示出的是器件的纵截 面的结构。
[0026] 图2是现有技术的氮化镓基倒装LED芯片的结构示意图，图中示出的是器件的纵截 面的结构。
[0027] 图3示出了本实用新型的一个较佳实施例中的氮化镓基倒装LED芯片。
[0028] 图4是图3所示的氮化镓基倒装LED芯片的纵截面的结构示意图。
[0029] 图5示出了本实用新型的另一个较佳实施例中的氮化镓基倒装LED芯片的纵截面 的结构。
[0030] 图6是图3所示的氮化镓基倒装LED芯片的上视示意图。
[0031] 图7是施加了反射层后的图3所示的氮化镓基倒装LED芯片的纵截面的一种结构示 意图。
[0032] 图8是图7所示的氮化镓基倒装LED芯片的上视示意图。
[0033] 图9是施加了焊盘后的图7所示的氮化镓基倒装LED芯片的纵截面的结构示意图。
[0034] 图10是氮化镓基倒装LED芯片的纵截面的第二种结构示意图。
[0035]图11是应用IC制程工艺，同时制作形成的多个氮化镓基倒装LED芯片的示意图，图 中示出了两个氮化镓基倒装LED芯片。
[0036]图12是氮化镓基倒装LED芯片的纵截面的第三种结构示意图。
【具体实施方式】
[0037] 如图3所示，在本实用新型的一个较佳的实施例中，提供了一种氮化镓基倒装LED 芯片。该氮化镓基倒装LED芯片包括蓝宝石衬底以及从蓝宝石衬底的上表面向上依次分布 的N型氮化镓层、多量子阱结构层和P型氮化镓层，其是镜面对称的结构。N型氮化镓层、多量 子阱结构层和P型氮化镓层构成外延结构，该外延结构垂直于氮化镓基倒装LED芯片的对称 面的纵截面(本申请中，氮化镓基倒装LED芯片、外延结构的纵截面即指垂直于此对称面的 截面)成凸字形，如图4所示。
[0038] 这一结构的氮化镓基倒装LED芯片可以通过在长方形的蓝宝石衬底上逐层形成N 型氮化镓层、多量子阱结构层和P型氮化镓层，继而从上向下刻蚀P型氮化镓层和多量子阱 结构层，直到使N型氮化镓层部分地暴露。具体地为使得N型氮化镓层的两个长边处分别暴 露一部分，本申请中称之为N型氮化镓层的上表面的第一部分和第二部分，这两部分形成了 外延结构的两个肩部。换言之，这两部分在外延结构的纵截面中为上述凸字的中间两道横 线段。如图4所示，由于在刻蚀P型氮化镓层和多量子阱结构层以使N型氮化镓层部分地暴露 的过程可能会部分地刻蚀到N型氮化镓层部分，所以成型后的氮化镓基倒装LED芯片中的N 型氮化镓层的上表面可能不是连续的，而是如图3示出的那样中部（即被多量子阱结构层覆 盖的部分）凸出的形式。
[0039] 较佳地，N型氮化镓层的上表面的第一部分和第二部分是两个形状相同的长条状 的长方形，它们从N型氮化镓层的上表面的一个侧边延伸到与该侧边相对的另一个侧边。
[0040] 以上描述的是沿N型氮化镓层的两个长边延伸的第一部分和第二部分，可以同时 使得N型氮化镓层的两个短边处分别暴露部分的N型氮化镓层，即如图3所示的那样。但在其 他实施例中，也可以使得N型氮化镓层的两个短边处不被暴露在多量子阱结构层之外，即只 有沿N型氮化镓层的两个长边延伸的第一部分和第二部分暴露在多量子阱结构层之外。
[0041] 如图3-5所示，本实用新型的氮化镓基倒装LED芯片包括一个P电极11和两个N电极 21、2 2，其皆为金属电极。其中，P电极11分布在P型氮化镓层的上表面，与P型氮化镓层电连 接以向P型氮化镓层加电;N电极21、22分别分布在N型氮化镓层的上表面的第一、第二部分， 与N型氮化镓层电连接以向N型氮化镓层加电。具体地，P电极11呈长条状，沿P型氮化镓层的 上表面的中轴线(该中轴线处于前述的对称面内）延伸，从P型氮化镓层的上表面的一个侧 边处延伸到与该侧边相对的另一个侧边处;N电极21、22皆呈长条状，皆与P电极11平行地从 N型氮化镓层的上表面的一个侧边处延伸到与该侧边相对的另一个侧边处。这里所说的从 一个侧边处延伸到另一个侧边处，可以是从一个侧边的边缘所在的位置延伸到另一个侧边 的边缘所在的位置，也可以是从一个侧边的边缘不到的位置延伸到另一个侧边的边缘不到 的位置，如图6所示的那样。例如，电极的一个端部在距离一个侧边的边缘5μπι的位置，其另 一个端部在距离另一个侧边的边缘5μηι的位置。
[0042] 较佳地，由于P型氮化镓层的导电性较差，P电极11并不直接与P型氮化镓层接触， 而是通过一层透明导电薄膜与P型氮化镓层形成电学连接。如图5所示的本实用新型的第二 个较佳的实施例中的氮化镓基倒装LED芯片，其P型氮化镓层的上表面分布有一层透明导电 薄膜，例如ITO膜或ZnO膜。P电极11分布在该透明导电薄膜上，并且由于该层透明导电薄膜 较薄(例如厚度为6〇:(这），仍然可以认为其是沿P型氮化镓层的上表面的中轴线，从P型氮化 镓层的上表面的一个侧边处延伸到与该侧边相对的另一个侧边处。在本实施例中应用透明 导电薄膜，可以有效地改善P型氮化镓层导电性差导致的电流分布不均匀这一缺陷，使得加 在P电极11的电流能更均匀地通过P型氮化镓层注入多量子阱结构层，从而使芯片整个发光 面发光均匀。
[0043] 如图6所示，P电极11和两个N电极21、22上各自具有用于与外部电路电连接的引线 部分，如P电极11的引线部分111、N电极21的引线部分211以及N电极22的引线部分。P电极11 和N电极21、22的线宽约为6~20μπι，这些引线部分则是从P电极11和N电极21、22向外扩展的 部分，如图6示出的引线部分111是直径约为30μπι的圆形，引线部分211和N电极22的引线部 分是直径约为30μπι的半圆形。由于P电极11和N电极21、22是较细的线状结构，将它们部分地 向外扩展，形成它们各自的引线部分可以更容易地将它们与外部电路连接。相应地，这些引 线部分所在的N型氮化镓层的上表面的第一部分和第二部分处可能也需要向外扩展，以适 应这些引线部分的存在。例如，如图6所示，为了适应引线部分211，可以使侧壁Ia向内（即远 离N电极21的方向）部分地凹陷，形成凹部Ial。这样具有凹部的侧壁la、Ib可以在前述的从 上向下刻蚀P型氮化镓层和多量子阱结构层以部分地暴露N型氮化镓层的步骤中实现。
[0044] 如图7所示，本实用新型的氮化镓基倒装LED芯片还包括一层反射层30,该反射层 30覆盖N型氮化镓层的上表面暴露在多量子阱结构层之外的第一部分和第二部分、P型氮化 镓层的上表面、P电极11、N电极21、22,并且较佳地还覆盖P型氮化镓层和多量子阱结构层的 各个侧面，即覆盖诸如侧壁la、lb的部分。更优选地，还覆盖N型氮化镓层(如图10所示），乃 至蓝宝石衬底(如图12所示）的各个侧面，以使得氮化镓基倒装LED芯片仅从蓝宝石衬底面 出光。其中图10所示的结构是应用IC制程工艺大规模制作本实用新型的氮化镓基倒装LED 芯片易于获得的，其具体实现步骤将在后文中描述。图12所示的结构则是制作单一一个本 实用新型的氮化镓基倒装LED芯片时易于获得的结构。
[0045] 图7示出的是对具有图4所示结构的氮化镓基倒装LED芯片施加反射层30后的结 构，即对P型氮化镓层上没有布置透明导电薄膜的氮化镓基倒装LED芯片施加反射层30后的 结构;对于图5所示结构的氮化镓基倒装LED芯片，即对P型氮化镓层上具有透明导电薄膜的 氮化镓基倒装LED芯片施加反射层30也是一样的，在此不赘述。
[0046] 本实用新型中采用的反射层30是绝缘的介质反射层，较佳地采用分布式布拉格反 射镜(DBR，distributed Bragg reflection)，该分布式布拉格反射镜由交替层叠的Si〇2薄 膜和TiO2薄膜构成。因此，反射层30还可以作为对P电极11和N电极21、22的绝缘保护层。 [0047]由于P电极11分布在P型氮化镓层和反射层30之间，N电极21、22分布在N型氮化镓 层和反射层30之间，为了实现各电极与各层之间的良好接触，P电极11、N电极21、22皆采用 层叠的金属构成，其中，P电极11与P型氮化镓层接触的部分以及N电极21、22与N型氮化镓层 接触的部分是金属层CrAl (此处CrAl表示两层金属，从下向上分别为Cr和Al，本文中的金属 层皆以这种方式表示)或金属层CrAg，较佳地，Cr的厚度一般在15~4〇Α，Α1或者Ag的厚度在 1000~3000A;并且，P电极11、N电极21、22与反射层30接触的部分是金属(^、1^、附或八1。 即，P电极11、N电极21、22可以是金属层0厶10、0厶111、0厶1附、0厶1、0厶80、0厶811、 Cr AgN i 或 Cr AgA 1 等结构。
[0048]为了将P电极11和两个N电极21、22从反射层30引出，反射层30中在对应P电极11、N 电极21、22的引线部分的位置处具有引线孔，本实用新型中引线孔为上下贯通反射层30的 通孔，通孔的下边缘落在对应的引线部分上，通孔的大小一般小于对应的引线部分。如图8、 9所示，反射层30中具有三个引线孔301、302、303,其中引线孔301对应于引线部分211，引线 孔303对应于引线部分111，引线孔302对应于N电极22的引线部分。本示例中，引线孔301、 302、303的横截面为圆形，直径小于其对应的引线部分。
[0049]由此，通过各个引线孔可以将各个电极引出，如图9、10、12示出了将P电极11从反 射层30引出的示例。在本示例中，氮化镓基倒装LED芯片具有用于将电极引出的焊盘，诸如 焊盘403。焊盘403的材料为金属，其分布在反射层30上，引线孔303中具有导电材料，焊盘 403通过引线孔303中的导电材料实现与引线部分111电连接。本示例中，采用与焊盘403相 同材料的金属作为导电材料填入引线孔303,该引线孔303中的金属部分一端与引线部分 Ill接触，另一端与焊盘403接触。在实际制作中，向引线孔中填充金属和沉积用于制作焊盘 的金属层是一步完成的。类似地制作将N电极21、22从反射层30引出的焊盘，较佳地，制作一 个焊盘同时与这两个电极电连接。
[0050] 以上描述的氮化镓基倒装LED芯片是单个芯片的结构，在实际制作过程中，往往是 应用IC制程工艺，在整片蓝宝石衬底上同时制作多个这样的氮化镓基倒装LED芯片，最后通 过划片获得多个分离的氮化镓基倒装LED芯片。其具体制作过程简单描述如下：
[0051] 第一步，在蓝宝石衬底上依次沉积N型氮化镓层、多量子阱结构层和P型氮化镓层， 这通常称作"外延片生长"。
[0052]然后，光刻、刻蚀N型氮化镓层、多量子阱结构层和P型氮化镓层，例如使用ICP，从 上向下刻蚀P型氮化镓层、多量子阱结构层和N型氮化镓层，直到蓝宝石衬底的上表面，以形 成一系列分立的外延结构，每个外延结构用于形成一个氮化镓基倒装LED芯片，如图11所 示。刻蚀形成的各个外延结构之间的沟槽作为划片槽，这样在划片、裂片时，不会损伤到P型 氮化镓层/多量子阱结构层/N型氮化镓层结构部分，由此免于造成芯片的损伤。
[0053]第二步，在经过第一步形成的结构的上表面沉积一层透明导电薄膜，并刻蚀该透 明导电薄膜，使其仅存在于P型氮化镓层的上表面，该层透明导电薄膜可以是ΙΤ0、Ζη0,沉积 的方式可以是蒸发或溅射。
[0054]第三步，光刻、刻蚀透明导电薄膜、P型氮化镓层和多量子阱结构层，使得N型氮化 镓层部分地暴露，以形成纵截面成凸字形的外延结构。其中，可以采用湿法腐蚀透明导电薄 膜继而采用干法(例如ICP)刻蚀P型氮化镓层和多量子阱结构层;也可以只采用干法刻蚀上 述三层结构。
[0055] 第四步，退火，使得透明导电薄膜与P型氮化镓层形成低阻欧姆接触，并使透明导 电薄膜的透光率更高。
[0056] 第五步，沉积诸如 Cr AI Cr、Cr AIT i、Cr AI Ni、Cr AI、Cr AgCr、Cr AgT i、Cr AgNi 或 Cr AgA 1 等的金属层，制作P电极11、N电极21、22。较佳地，采用金属剥离的方式制作这些电极。
[0057]第六步，在经过第五步形成的结构的上表面交替地沉积SiO2薄膜和TiO2薄膜，形成 分布式布拉格反射镜，作为反射层30。如图10、11所示，该反射层30覆盖了 N型氮化镓层的上 表面暴露在多量子阱结构层之外的第一部分和第二部分、P型氮化镓层的上表面、P电极11、 N电极21、22,并且覆盖了 P型氮化镓层、多量子阱结构层和N型氮化镓层的各个侧面。
[0058]第七步，光刻、刻蚀反射层30,在其中形成引线孔。
[0059]第八步，在反射层30上沉积金属，形成焊盘。
[0060]第九步，研磨、抛光蓝宝石衬底后划片、裂片，获得多个分立氮化镓基倒装LED芯 片。
[0061] 用一片切割成需要大小、形状的蓝宝石衬底，制作单一一个本实用新型的氮化镓 基倒装LED芯片（如图12所示，其能够实现将反射层30覆盖蓝宝石衬底的各个侧面）的工艺 步骤是与上述的工艺步骤类似的，在此不赘述。
[0062] 以上详细描述了本实用新型的较佳具体实施例。应当理解，本领域的普通技术人 员无需创造性劳动就可以根据本实用新型的构思做出诸多修改和变化。因此，凡本技术领 域的技术人员依本实用新型的构思在现有技术的基础上通过逻辑分析、推理或者有限的实 验可以得到的技术方案，皆应在由权利要求书所确定的保护范围内。
【主权项】
1. 一种氮化镓基倒装LED芯片，包括横截面呈长方形的蓝宝石衬底以及从所述蓝宝石 衬底的上表面向上依次分布的N型氮化镓层、多量子阱结构层和P型氮化镓层;所述N型氮化 镓层、所述多量子阱结构层和所述P型氮化镓层的横截面皆呈长方形，它们构成外延结构； 其特征在于， 所述氮化镓基倒装LED芯片是镜面对称的结构，所述外延结构的纵截面成凸字形;所述 N型氮化镓层的上表面具有暴露在所述多量子阱结构层之外的第一部分和第二部分，所述 第一部分和所述第二部分分别形成所述外延结构的两个肩部； 所述氮化镓基倒装LED芯片还包括分布在所述P型氮化镓层的上表面的P电极、分布在 所述第一部分上的第一 N电极和分布在所述第二部分上的第二N电极;所述P电极与所述P型 氮化镓层电连接，所述第一、第二N电极与所述N型氮化镓层电连接； 所述P电极呈长条状，沿所述P型氮化镓层的上表面的中轴线延伸，从所述P型氮化镓层 的上表面的一个侧边处延伸到另一个侧边处，所述P型氮化镓层的上表面的所述侧边和所 述另一个侧边彼此相对； 所述第一、第二N电极皆呈长条状，皆与所述P电极平行地从所述N型氮化镓层的上表面 的一个侧边处延伸到另一个侧边处，所述N型氮化镓层的上表面的所述侧边和所述另一个 侧边彼此相对。2. 如权利要求1所述的氮化镓基倒装LED芯片，其中所述氮化镓基倒装LED芯片还包括 反射层，所述反射层覆盖所述第一部分、所述第二部分、所述P型氮化镓层的上表面、所述P 电极、所述第一 N电极和所述第二N电极。3. 如权利要求2所述的氮化镓基倒装LED芯片，其中所述反射层是绝缘的介质反射层。4. 如权利要求3所述的氮化镓基倒装LED芯片，其中所述反射层是分布式布拉格反射 镜，所述分布式布拉格反射镜由交替层叠的Si〇2薄膜和Ti〇2薄膜构成。5. 如权利要求2中任何一个所述的氮化镓基倒装LED芯片，其中所述P型氮化镓层的上 表面具有一层透明导电薄膜，所述P电极形成在所述透明导电薄膜上，并通过所述透明导电 薄膜与所述P型氮化镓层电连接。6. 如权利要求5所述的氮化镓基倒装LED芯片，其中所述透明导电薄膜是ITO薄膜或ZnO 薄膜。7. 如权利要求2-5中任何一个所述的氮化镓基倒装LED芯片，其中所述P电极与所述P型 氮化镓层接触的部分以及所述第一 N电极和所述第二N电极与所述N型氮化镓层接触的部分 是金属层CrAl或金属层CrAg。8. 如权利要求7所述的氮化镓基倒装LED芯片，其中所述P电极、所述第一N电极和所述 第二N电极与所述反射层接触的部分是金属Cr、Ti、Ni或Al。9. 如权利要求2或5所述的氮化镓基倒装LED芯片，其中所述P电极、所述第一 N电极和所 述第二N电极上具有引线部分，所述反射层中在对应于所述P电极、所述第一 N电极和所述第 二N电极的所述引线部分的位置处具有引线孔。10. 如权利要求9所述的氮化镓基倒装LED芯片，其中所述P电极、所述第一 N电极和所述 第二N电极上皆具有一个所述引线部分，所述反射层中具有三个所述引线孔;各个所述引线 孔中容纳有导电材料。
【文档编号】H01L33/36GK205488192SQ201620293200
【公开日】2016年8月17日
【申请日】2016年4月7日
【发明人】田洪涛, 陈祖辉
【申请人】深圳市天瑞和科技发展有限公司