一种加强气密性结构的发光二极管引线框架的制作方法

文档序号:10805114阅读:578来源:国知局
一种加强气密性结构的发光二极管引线框架的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种加强气密性结构的发光二极管引线框架。所述发光二极管引线框架包括金属件、注塑填充于金属件的若干端子间的塑胶件。在每个端子与塑胶件的结合区域内增加沟槽式防渗透线。本实用新型为了阻隔外面气体入侵到产品功能区内,在铜材端子即(端子)与塑胶件的结合区域内各增加沟槽式防渗透线,让塑胶与端子紧紧结合在一起,提升气密性。因此,本实用新型在不改变产品外观及功能的前提下,能将产品气密性加强,增长产品的寿命,增加此创新型结构的市场推广性。
【专利说明】
一种加强气密性结构的发光二极管引线框架
技术领域
[0001 ] 本实用新型涉及一种LED领域的发光二极管引线框架(LED Leadframe),尤其涉及一种加强气密性结构的发光二极管引线框架。
【背景技术】
[0002]发光二极管引线框架(LED Leadframe)如传统型结构SMD 7020D产品,客户在使用时容易死灯、硫化现象。因此,研发一款能加强气密性结构的发光二极管引线框架,其能达到以下目的:1、为了彻底解决客户应用端因气密性问题导致死灯现象;2、减少光衰减;3、解决应用端使用过程中的硫化问题;4、解决因气密性不良导致芯片或功能区氧化问题。
【实用新型内容】
[0003]为了解决以上不足,本实用新型提出一种加强气密性结构的发光二极管引线框架,其能解决客户在LED使用时容易死灯、硫化现象。
[0004]本实用新型的解决方案是:一种加强气密性结构的发光二极管引线框架,所述发光二极管引线框架包括金属件、注塑填充于金属件的若干端子间的塑胶件;在每个端子与塑胶件的结合区域内增加沟槽式防渗透线。
[0005]作为上述方案的进一步改进,每个端子在发光二极管引线框架的宽度方向上呈拉伸弯曲状。
[0006]进一步地,每个端子向外拉伸并弯曲而呈拉伸弯曲状。
[0007]再进一步地,每个端子包括异面平行的两个平行部、连接这两个平行部的弯曲部。
[0008]作为上述方案的进一步改进,在每个端子与塑胶件的结合区域内设计固胶孔。
[0009]进一步地,固胶孔呈铆钉状。
[0010]作为上述方案的进一步改进,金属件为铜材件,端子对应为铜材端子。
[0011 ]作为上述方案的进一步改进,发光二极管引线框架的横向宽度为7.00 ±0.05mm;发光二极管引线框架的竖向高度2.00 ±0.05mm。
[0012]本实用新型在不改变产品外观及功能的前提下,能将产品气密性加强,增长产品的寿命,增加此创新型结构的市场推广性。
【附图说明】
[0013]图1是本实用新型的加强气密性结构的发光二极管引线框架的结构示意图。
[0014]图2是图1的仰视图。
【具体实施方式】
[0015]为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
[0016]本实用新型涉及LED领域,具体属于以LED7020D发光二极管引线框架产品为例新型加强气密性结构设计方案,解决了客户使用时容易死灯、硫化现象,提供了一款气密性加强的LED 7020D,这里的7020是指横向宽度7.00±0.05mm,竖向高度2.00±0.05mm。
[0017]请一并参阅图1、图2,本实用新型的加强气密性结构的发光二极管引线框架4,所述发光二极管引线框架4包括金属件5、注塑填充于金属件5的若干端子I间的塑胶件2。金属件5优选为铜材件,端子I对应为铜材端子。
[0018]在每个端子I与塑胶件2的结合区域内增加沟槽式防渗透线3。为了阻隔外面气体入侵到产品功能区内,在铜材端子即(端子I)与塑胶件2的结合区域内各增加沟槽式防渗透线3,让塑胶与端子I紧紧结合在一起,提升气密性。
[0019]同时每个端子I在发光二极管引线框架4的宽度方向上呈拉伸弯曲状。由铜材端子将功能区设计为拉伸结构,这样有效能阻隔外面气体直通式入侵到功能区内,因为拉伸端子I后发生的转弯较多,使得外面气体会与转弯地方产生碰撞,提升气密性。每个端子I可向外拉伸并弯曲而呈拉伸弯曲状,每个端子I可包括异面平行的两个平行部7、连接这两个平行部7的弯曲部8。
[0020]再者本实用新型在每个端子I与塑胶件2的结合区域内设计固胶孔6,固胶孔6优选呈铆钉状。为了阻隔外面气体入侵到产品功能区内,在端子I与塑胶结合区域各设计铆钉状的固胶孔6,固胶孔6起到阻隔气体作用并能很好的固定产品,防止产品单颗受到冲裁力时发生松动现象,提升气密性。
[0021]综上所述,本实用新型是一款结合有渗透线、铆钉孔结构、拉伸结构的加强气密性结构的发光二极管引线框架。
[0022]以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已,并不用以限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.一种加强气密性结构的发光二极管引线框架,所述发光二极管引线框架(4)包括金属件(5)、注塑填充于金属件(5)的若干端子(I)间的塑胶件(2);其特征在于:在每个端子(1)与塑胶件(2)的结合区域内增加沟槽式防渗透线(3)。2.如权利要求1所述的加强气密性结构的发光二极管引线框架,其特征在于:每个端子(I)在发光二极管引线框架(4)的宽度方向上呈拉伸弯曲状。3.如权利要求2所述的加强气密性结构的发光二极管引线框架,其特征在于:每个端子(I)向外拉伸并弯曲而呈拉伸弯曲状。4.如权利要求3所述的加强气密性结构的发光二极管引线框架,其特征在于:每个端子(1)包括异面平行的两个平行部(7)、连接这两个平行部(7)的弯曲部(8)。5.如权利要求1所述的加强气密性结构的发光二极管引线框架,其特征在于:在每个端子(I)与塑胶件(2)的结合区域内设计固胶孔(6)。6.如权利要求5所述的加强气密性结构的发光二极管引线框架,其特征在于:固胶孔(6)呈铆钉状。7.如权利要求1所述的加强气密性结构的发光二极管引线框架,其特征在于:金属件(5)为铜材件,端子(I)对应为铜材端子。8.如权利要求1所述的加强气密性结构的发光二极管引线框架,其特征在于:发光二极管引线框架(4)的横向宽度为7.00±0.05mm;发光二极管引线框架(4)的竖向高度2.00±.0.05mmo
【文档编号】H01L33/62GK205488225SQ201620071939
【公开日】2016年8月17日
【申请日】2016年1月25日
【发明人】刘厚海
【申请人】安徽盛烨电子有限公司
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1