一种微波超宽带单片集成阻抗变换器的制造方法

文档序号:10805331阅读:189来源:国知局
一种微波超宽带单片集成阻抗变换器的制造方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种微波超宽带单片集成阻抗变换器包括:半导体衬底、下层传输线、介质、上层传输线、金属化介质过孔,金属化衬底过孔,其中,所述半导体衬底位于底层,所述下层传输线与所述半导体衬底的上表面连接,所述上层传输线位于所述下层传输线的上方,所述介质位于所述下层传输线和所述上层传输线之间,所述下层传输线和所述上层传输线之间设有所述金属化介质过孔,所述下层传输线与所述半导体衬底之间和所述上层传输线与所述半导体衬底之间均设有所述金属化衬底过孔,实现了阻抗变换器体积小、超宽带特性、提高技术指标一致性的技术效果。
【专利说明】
一种微波超宽带单片集成阻抗变换器
技术领域
[0001]本实用新型涉及石油机械领域,具体地,涉及一种微波超宽带单片集成阻抗变换器。
【背景技术】
[0002]阻抗变换器的作用是解决微波传输线与微波器件之间匹配的,阻抗匹配是无线电技术中常见的一种工作状态,它反映了输入电路与输出电路之间的功率传输关系。阻抗匹配常见于各级放大电路之间、放大器与负载之间、测量仪器与被测电路之间、天线与接收机或发信机与天线之间。
[0003]阻抗变换器用于实现各种不同阻抗之间的转换,在电子技术行业起到重要作用。但是现在的阻抗变换器面临着体积大、带宽窄、难于采用微波单片技术实现等问题,为生产带来了很多麻烦。
[0004]综上所述,本申请发明人在实现本申请实施例中实用新型技术方案的过程中,发现上述技术至少存在如下技术问题:
[0005]在现有技术中,现有的阻抗变换器存在体积大、带宽窄、难于采用微波单片技术实现的技术问题。
【实用新型内容】
[0006]本实用新型提供了一种微波超宽带单片集成阻抗变换器,解决了现有的阻抗变换器存在体积大、带宽窄、难于采用微波单片技术实现的技术问题,实现了阻抗变换器体积小、超宽带特性、提高技术指标一致性的技术效果。
[0007]为解决上述技术问题,本申请实施例提供了一种微波超宽带单片集成阻抗变换器,包括半导体衬底、下层传输线、介质、上层传输线、金属化介质过孔,金属化衬底过孔,下层传输线、上层传输线、介质和金属化介质过孔组合形成宽边耦合和侧边耦合效应;所述金属化衬底过孔用于实现上层金属与半导体衬底背面形成电连接。
[0008]本申请中的阻抗变换器包括半导体衬底、下层传输线、介质、上层传输线、金属化介质过孔,金属化衬底过孔,所述半导体衬底用于支撑电路结构制作,所述下层传输线由位于介质下层的金属组成,所述介质由具有一定介电常数的绝缘或半绝缘材料制作,介质位于下层传输线与上层传输线之间,所述上层传输线由介质上层的金属组成,金属化过孔用于实现下层金属穿过介质与上层金属形成共平面或上层金属穿过介质与下层金属形成共平面结构,金属化衬底过孔用于实现下层金属或上层金属与半导体衬底背面形成电连接。本实用新型超宽带单片集成阻抗变换器采用双层微波传输线形成宽边耦合和侧边耦合结构在微波单片集成技术上实现了小面积、超宽带阻抗变换以及提高了电路承受功率。
[0009]作为优选,所述阻抗变换器采用在半导体衬底上制作双层传输线结构构成具有宽边耦合和侧边耦合效应的微波传输线,达到了实现超宽带阻抗变换与减小电路尺寸的特点。
[0010]作为优选,所述双层传输线结构可多级联组合,可以实现电路的更宽频带工作特性。
[0011]作为优选,所述阻抗变换器上信号在下层金属上传播经介质与上层金属形成宽边耦合效应,同时在下层金属上传播的信号经金属化介质过孔与上层金属连接形成侧边耦合效应。
[0012]本申请实施例中提供的一个或多个技术方案,至少具有如下技术效果或优点:
[0013]本实用新型采用双层金属传输线解决了传统微波单片集成阻抗变换器所难以实现的超宽带特性,并且极大的减小了电路的体积、提尚技术指标一致性。
【附图说明】
[0014]此处所说明的附图用来提供对本实用新型实施例的进一步理解,构成本申请的一部分,并不构成对本实用新型实施例的限定;
[0015]图1是本申请实施例一中微波超宽带单片集成阻抗变换器的结构示意图;
[0016]其中,1-上层传输线,2-金属化介质过孔,3-介质,4-下层传输线,5-半导体衬底,6-金属化衬底过孔。
【具体实施方式】
[0017]本实用新型提供了一种微波超宽带单片集成阻抗变换器,解决了现有的阻抗变换器存在体积大、带宽窄、难于采用微波单片技术实现的技术问题,实现了阻抗变换器体积小、超宽带特性、提高技术指标一致性的技术效果。
[0018]为了更好的理解上述技术方案,下面将结合说明书附图以及具体的实施方式对上述技术方案进行详细的说明。
[0019]下面结合具体实施例及附图,对本发明作进一步地的详细说明,但本发明的实施方式不限于此。
[0020]实施例一:
[0021]请参考图1,本申请提供了一种微波超宽带单片集成阻抗变换器包括:半导体衬底
5、下层传输线4、介质3、上层传输线1、金属化介质过孔2,金属化衬底过孔6,其中,所述半导体衬底位于底层,所述下层传输线与所述半导体衬底的上表面连接,所述上层传输线位于所述下层传输线的上方,所述介质位于所述下层传输线和所述上层传输线之间,所述下层传输线和所述上层传输线之间设有所述金属化介质过孔,所述下层传输线与所述半导体衬底之间和所述上层传输线与所述半导体衬底之间均设有所述金属化衬底过孔。
[0022]本申请中的阻抗变换器包括半导体衬底、下层传输线、介质、上层传输线、金属化介质过孔,金属化衬底过孔,所述半导体衬底用于支撑电路结构制作,所述下层传输线由位于介质下层的金属组成,所述介质由具有一定介电常数的绝缘或半绝缘材料制作,介质位于下层传输线与上层传输线之间,所述上层传输线由介质上层的金属组成,金属化过孔用于实现下层金属穿过介质与上层金属形成共平面或上层金属穿过介质与下层金属形成共平面结构,金属化衬底过孔用于实现下层金属或上层金属与半导体衬底背面形成电连接。本实用新型超宽带单片集成阻抗变换器采用双层微波传输线形成宽边耦合和侧边耦合结构在微波单片集成技术上实现了小面积、超宽带阻抗变换以及提高了电路承受功率。
[0023]其中,在本申请实施例中,所述阻抗变换器采用在半导体衬底上制作双层传输线结构构成具有宽边耦合和侧边耦合效应的微波传输线,达到了实现超宽带阻抗变换与减小电路尺寸的特点。
[0024]其中,在本申请实施例中,所述双层传输线结构可多级联组合,可以实现电路的更宽频带工作特性。
[0025]其中,在本申请实施例中,所述阻抗变换器上信号在下层金属上传播经介质与上层金属形成宽边耦合效应,同时在下层金属上传播的信号经金属化介质过孔与上层金属连接形成侧边耦合效应。
[0026]上述本申请实施例中的技术方案,至少具有如下的技术效果或优点:
[0027]本实用新型采用双层金属传输线解决了传统微波单片集成阻抗变换器所难以实现的超宽带特性,并且极大的减小了电路的体积、提尚技术指标一致性。
[0028]尽管已描述了本实用新型的优选实施例,但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念,则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以,所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本实用新型范围的所有变更和修改。
[0029]显然,本领域的技术人员可以对本实用新型进行各种改动和变型而不脱离本实用新型的精神和范围。这样,倘若本实用新型的这些修改和变型属于本实用新型权利要求及其等同技术的范围之内,则本实用新型也意图包含这些改动和变型在内。
【主权项】
1.一种微波超宽带单片集成阻抗变换器,其特征在于,所述微波超宽带单片集成阻抗变换器包括:半导体衬底、下层传输线、介质、上层传输线、金属化介质过孔,金属化衬底过孔,其中,所述半导体衬底位于底层,所述下层传输线与所述半导体衬底的上表面连接,所述上层传输线位于所述下层传输线的上方,所述介质位于所述下层传输线和所述上层传输线之间,所述下层传输线和所述上层传输线之间设有所述金属化介质过孔,所述下层传输线与所述半导体衬底之间和所述上层传输线与所述半导体衬底之间均设有所述金属化衬底过孔。2.根据权利要求1所述的微波超宽带单片集成阻抗变换器,其特征在于,所述下层传输线和所述上层传输线均采用金属制成。3.根据权利要求1所述的微波超宽带单片集成阻抗变换器,其特征在于,所述介质采用绝缘或半绝缘材料制成。
【文档编号】H01P5/08GK205488448SQ201620321701
【公开日】2016年8月17日
【申请日】2016年4月18日
【发明人】石伟屹
【申请人】成都仙童科技有限公司
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