用于射频电器的fpbga封装基板的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开一种用于射频电器的FPBGA封装基板，包括基板本体，所述基板本体上划分出间隔分布的多个接地焊盘区，每个接地焊盘区内设有多个间隔分布的接地焊球，多个信号焊球分布在基板本体的边缘和中心部；所述接地焊球与信号焊球的比例为1：1.6。接地焊盘区设有4个，在基板本体的边缘的信号焊球为104个，设在基板本体的中心部的信号焊球为12个。本实用新型最显著的优点在于能提供大量的I/Os和大面积金属接地焊盘，以前通过使用LGA和MCM封装能够满足一个大面积接地焊盘的要求，但是这些封装的I/Os比较少。这个对于设计具有高度集成功能的封装是非常有帮助的，其在今天向前发展的天线半导体产业里面具有方向指导作用。
【专利说明】
用于射频电器的FPBGA封装基板
技术领域
[0001 ]本实用新型涉及一种用于射频电器的FPBGA封装基板。
【背景技术】
[0002]先进前沿的射频电子应用产品为了实现优良的电路性能需要大量的I/Os和大面积的金属焊盘。传统的BGA封装虽然提供了足够多的I/Os，但是在大面积金属焊盘这方面上，性能比较欠缺。以前，LGA和MCM封装常常被用来提供有限的信号焊盘和一个在封装中间的矩形大金属焊盘，信号焊盘只在封装的边缘。像LGA和MCM这种有限I/Os数量的封装特别有用于高度集成的封装设计中，它同样在一定程度上限制了电路性能，不能同时实现大量I/Os和大面积接地焊盘。
【实用新型内容】
[0003]为了解决现有技术存在的不足，本实用新型的目的是提供一种能同时实现大量I/Os和大面积接地焊盘的用于射频电器的FPBGA封装基板。
[0004]为实现上述目的，本实用新型所采用的技术方案是:
[0005]用于射频电器的FPBGA封装基板，包括基板本体，所述基板本体上划分出间隔分布的多个接地焊盘区，每个接地焊盘区内设有多个间隔分布的接地焊球，多个信号焊球分布在基板本体的边缘和中心部;所述接地焊球与信号焊球的比例为1:1.6。
[0006]进一步地，所述接地焊盘区内设有2*2矩阵的接地焊球，隔离高度为108微米。
[0007]进一步地，所述接地焊盘区内设有3*3矩阵的接地焊球，隔离高度为88微米。
[0008]进一步地，所述接地焊盘区内设有4*4矩阵的接地焊球，隔离高度为78微米。
[0009]进一步地，所述接地焊盘区设有4个，在基板本体的边缘的信号焊球为104个，设在基板本体的中心部的信号焊球为12个。
[0010]进一步地，所述4*4矩阵的接地焊球中，当回流焊时，2*2矩阵的接地焊球形成单一均匀的大体积焊锡，在每个接地焊盘区中形成4个大体积焊锡。
[0011 ]本实用新型的有益效果:
[0012]本实用新型最显著的优点在于能提供大量的I/Os和大面积金属接地焊盘，以前通过使用LGA和MCM封装能够满足一个大面积接地焊盘的要求，但是这些封装的I/Os比较少。这个对于设计具有高度集成功能的封装是非常有帮助的，其在今天向前发展的天线半导体产业里面具有方向指导作用。
【附图说明】
[0013]下面结合附图和【具体实施方式】对本实用新型作进一步详细说明:
[0014]图1为本实用新型的结构示意图；
[0015]图2为图1所示回流焊后的结构示意图。
[0016]图中:1、基板本体;2、接地焊盘区；3、接地焊球;4、信号焊球;5、大体积焊锡。
【具体实施方式】
[0017]如图1所示，用于射频电器的FPBGA封装基板，包括基板本体I，所述基板本体I上划分出间隔分布的多个接地焊盘区2，每个接地焊盘区2内设有多个间隔分布的接地焊球3，多个信号焊球4分布在基板本体I的边缘和中心部;所述接地焊球3与信号焊球4的比例为1:1.6。
[0018]具体来说，所述接地焊盘区2内设有4*4矩阵的接地焊球，隔离高度为78微米。所述接地焊盘区2设有4个，在基板本体I的边缘的信号焊球为104个，设在基板本体的中心部的信号焊球为12个。
[0019]所述4*4矩阵的接地焊球中，当回流焊时，2*2矩阵的接地焊球形成单一均匀的大体积焊锡5，在每个接地焊盘区中形成4个大体积焊锡。
[0020]以上所述是本实用新型的优选实施方式而已，当然不能以此来限定本实用新型之权利范围，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，对本实用新型的技术方案进行修改或者等同替换，都不脱离本实用新型技术方案的保护范围。
【主权项】
1.一种用于射频电器的FPBGA封装基板，包括基板本体，其特征在于:所述基板本体上划分出间隔分布的多个接地焊盘区，每个接地焊盘区内设有多个间隔分布的接地焊球，多个信号焊球分布在基板本体的边缘和中心部;所述接地焊球与信号焊球的比例为1: 1.6。2.根据权利要求1所述的用于射频电器的FPBGA封装基板，其特征在于:所述接地焊盘区内设有2*2矩阵的接地焊球，隔离高度为108微米。3.根据权利要求1所述的用于射频电器的FPBGA封装基板，其特征在于:所述接地焊盘区内设有3*3矩阵的接地焊球，隔离高度为88微米。4.根据权利要求1所述的用于射频电器的FPBGA封装基板，其特征在于:所述接地焊盘区内设有4*4矩阵的接地焊球，隔离高度为78微米。5.根据权利要求4所述的用于射频电器的FPBGA封装基板，其特征在于:所述接地焊盘区设有4个，在基板本体的边缘的信号焊球为104个，设在基板本体的中心部的信号焊球为12个。6.根据权利要求5所述的用于射频电器的FPBGA封装基板，其特征在于:所述4*4矩阵的接地焊球中，当回流焊时，2*2矩阵的接地焊球形成单一均匀的大体积焊锡，在每个接地焊盘区中形成4个大体积焊锡。
【文档编号】H01L23/498GK205508812SQ201620332792
【公开日】2016年8月24日
【申请日】2016年4月20日
【发明人】陈锦涛, 章国豪, 朱晓锐, 区力翔, 余凯, 林俊明
【申请人】广东工业大学