一种防硫化抗干扰性强的led封装结构的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种防硫化抗干扰性强的LED封装结构，包括LED芯片，包括用于吸收外界光线的吸光层和用于提高LED光线利用率的反射层，所述反射层设置有用于防止硫化的保护层。本实用新型通过在反射层上设置保护层，有效防止了反射层中的银被硫化，大大延长了本实用新型的使用寿命；本实用新型通过增设吸光层，有效减弱了外界光线的干扰，加强了本实用新型的抗干扰性。
【专利说明】
一种防硫化抗干扰性强的LED封装结构
技术领域
[0001]本实用新型涉及一种LED封装结构，特别是一种防硫化抗干扰性强的LED封装结构。
【背景技术】
[0002]传统LED灯的基本结构是一块电致发光的半导体材料芯片，用银胶或白胶固化到支架上，然后用银线或金线连接芯片和电路板，然后四周用环氧树脂密封，起到保护内部芯线的作用，最后安装外壳，所以LED灯的抗震性能好。运用领域涉及到手机、台灯、家电等日常家电和机械生产方面。但是传统LED封装结构普遍存在反射层中的银容易被硫化以及抗干扰性不强的问题。
【实用新型内容】
[0003]为解决上述问题，本实用新型的目的在于提供一种防硫化抗干扰性强的LED封装结构。
[0004]本实用新型解决其问题所采用的技术方案是:一种防硫化抗干扰性强的LED封装结构，包括LED芯片，包括用于吸收外界光线的吸光层和用于提高LED光线利用率的反射层，所述反射层设置有用于防止硫化的保护层。
[0005]进一步，所述吸光层设置有两个，两个吸光层对称地设置于LED芯片的两侧。LED芯片两侧的光线较弱容易受到干扰，因此本实用新型将两个吸光层对称地设置于LED芯片的两侧，这样有助于进一步提高封装结构的抗干扰性。
[0006]进一步，所述反射层设置有两个，两个反射层对称地设置于LED芯片的两侧并且紧靠吸光层;本实用新型还设置有用于透射光线的透光层。本实用新型将反射层对称地设置于LED芯片的两侧有可以将LED芯片两侧的光线反射到透光层，提高LED芯片的光线利用率；本实用新型将反射层紧靠吸光层有利于提高光线的反射效果，进一步提高LED芯片的光线利用率。
[0007]进一步，所述保护层和反射层一起形成一个立方体结构，所述保护层和反射层以该立方体的对角面为分界线，所述反射层设置于保护层和吸光层之间。本实用新型这样设计不仅可以加强对反射层的防硫化保护，而且节省安装空间以及材料成本。
[0008]进一步，设置有安装内腔，所述LED芯片、反射层和保护层均设置于安装内腔中。本实用新型设置有安装内腔，并将LED芯片、反射层和保护层均设置于安装内腔中，这样可以加强LED芯片、反射层和保护层的固定效果，提高本实用新型的牢固性。
[0009]本实用新型的有益效果是:本实用新型采用的一种防硫化抗干扰性强的LED封装结构，本实用新型通过在反射层上设置保护层，有效防止了反射层中的银被硫化，大大延长了本实用新型的使用寿命;本实用新型通过增设吸光层，有效减弱了外界光线的干扰，加强了本实用新型的抗干扰性。
【附图说明】
[0010]下面结合附图和实例对本实用新型作进一步说明。
[0011]图1是本实用新型的结构图。
【具体实施方式】
[0012]图1是本实用新型的结构图，如图1所示，一种防硫化抗干扰性强的LED封装结构，包括LED芯片I，包括用于吸收外界光线的吸光层2和用于提高LED光线利用率的反射层3，所述反射层3设置有用于防止硫化的保护层4。本实用新型通过在反射层3上设置保护层4，有效防止了反射层3中的银被硫化，大大延长了本实用新型的使用寿命;本实用新型通过增设吸光层2，有效减弱了外界光线的干扰，加强了本实用新型的抗干扰性。本实用新型的吸光层2设置有两个，两个吸光层2对称地设置于LED芯片I的两侧。LED芯片I两侧的光线较弱容易受到干扰，因此本实用新型将两个吸光层2对称地设置于LED芯片I的两侧，这样有助于进一步提高封装结构的抗干扰性。本实用新型的反射层3设置有两个，两个反射层3对称地设置于LED芯片I的两侧并且紧靠吸光层2;本实用新型还设置有用于透射光线的透光层6。本实用新型将反射层3对称地设置于LED芯片I的两侧有可以将LED芯片I两侧的光线反射到透光层6，提高LED芯片I的光线利用率;本实用新型将反射层3紧靠吸光层2有利于提高光线的反射效果，进一步提高LED芯片I的光线利用率。
[0013]本实用新型的保护层4和反射层3—起形成一个立方体结构，所述保护层4和反射层3以该立方体的对角面为分界线，所述反射层3设置于保护层4和吸光层2之间。本实用新型这样设计不仅可以加强对反射层3的防硫化保护，而且节省安装空间以及材料成本。本实用新型设置有安装内腔5，所述LED芯片1、反射层3和保护层4均设置于安装内腔5中。本实用新型设置有安装内腔5，并将LED芯片1、反射层3和保护层4均设置于安装内腔5中，这样可以加强LED芯片1、反射层3和保护层4的固定效果，提高本实用新型的牢固性。
[0014]以上所述，只是本实用新型的较佳实施例而已，本实用新型并不局限于上述实施方式，只要其以相同的手段达到本实用新型的技术效果，都应属于本实用新型的保护范围。
【主权项】
1.一种防硫化抗干扰性强的LED封装结构，包括LED芯片(I)，其特征在于:包括用于吸收外界光线的吸光层(2)和用于提高LED光线利用率的反射层(3)，所述反射层(3)设置有用于防止硫化的保护层(4)。2.根据权利要求1所述的一种防硫化抗干扰性强的LED封装结构，其特征在于:所述吸光层(2)设置有两个，两个吸光层(2)对称地设置于LED芯片(I)的两侧。3.根据权利要求1或2任一所述的一种防硫化抗干扰性强的LED封装结构，其特征在于:所述反射层(3)设置有两个，两个反射层(3)对称地设置于LED芯片(I)的两侧并且紧靠吸光层⑵。4.根据权利要求1所述的一种防硫化抗干扰性强的LED封装结构，其特征在于:所述保护层(4)和反射层(3)—起形成一个立方体结构，所述保护层(4)和反射层(3)以该立方体的对角面为分界线，所述反射层(3)设置于保护层(4)和吸光层(2)之间。5.根据权利要求1所述的一种防硫化抗干扰性强的LED封装结构，其特征在于:设置有安装内腔(5)，所述LED芯片(1)、反射层(3)和保护层(4)均设置于安装内腔(5)中。6.根据权利要求1所述的一种防硫化抗干扰性强的LED封装结构，其特征在于:设置有用于透射光线的透光层(6)。
【文档编号】H01L33/48GK205508878SQ201620355123
【公开日】2016年8月24日
【申请日】2016年4月22日
【发明人】柯志强, 陈向飞
【申请人】江门市迪司利光电股份有限公司