一种高强度的功率器件框架的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种高强度的功率器件框架,涉及半导体电子元器件制造技术领域，所述框架的上方设置有散热片；所述框架与散热片的衔接处设置有结合孔，且位于框架的外表面上设置有加固齿。本实用新型增强了框架与塑封体的结合强度，和气密性，避免框架上安装的器件在加工或使用过程中受液体或湿气影响，提高了抗潮湿等级。
【专利说明】
一种高强度的功率器件框架
技术领域
[0001]本实用新型涉及半导体电子元器件制造技术领域，具体而言，涉及一种高强度的功率器件框架。
【背景技术】
[0002]信息产业的飞速发展为电子元器件行业带来机遇。人们开始越来越关注小元器件的发展，新型电子元器件体现了当代和今后电子元器件向高频化、高精度、高功率、多功能、组件化、复合化、模块化和智能化等的发展趋势。同时，产品的安全性和绿色化也是影响其发展前途和市场的重要因素。为适应电子整机普及和规模生产、电子元器件的生产规模将以年产百亿计。
[0003]现有的功率器件框架的结合强度不高，抗潮湿的等级较低，在相对较潮湿的地方加工或在加工过程中受液体或湿气影响，很容易使框架上安装的器件因受潮而受损，降低了功率器件的使用率。
【实用新型内容】
[0004]本实用新型的目的在于提供一种高强度的功率器件框架，以解决上述问题。
[0005]为实现本实用新型目的，采用的技术方案为:一种高强度的功率器件框架，所述框架的上方设置有散热片;所述框架与散热片的衔接处设置有结合孔，且位于框架的外表面上设置有加固齿。
[0006]进一步的，所述框架上设置有载片区，框架的下方设置有引线脚。
[0007]进一步的，所述引线脚至少为3个，且多个引线脚中的一个引线脚与框架连接。
[0008]进一步的，所述加固齿设置在框架的左右侧面上，且加固齿为V型齿。
[0009]进一步的，所述结合孔为长腰孔。
[0010]本实用新型的有益效果是，
[0011]1.通过在框架与散热片的衔接处设置有结合孔，使框架在进行塑封时让塑封料在包封过程中贯穿结合孔，增强器件塑封体和框架的结合强度。
[0012]2.通过在框架的外表面上设置加固齿，使器件塑封体与框架上的加固齿完全配合，增强了框架与塑封体的结合强度，和气密性，避免框架上安装的器件在加工或使用过程中受液体或湿气影响，提高了抗潮湿等级。
【附图说明】
[0013]图1是本实用新型提供的高强度的功率器件框架的主视图；
[0014]图2使本实用新型提供的高强度的功率器件框架的左视图；
[0015]附图中标记及相应的零部件名称:
[0016]1、框架，2、散热片，3、结合孔，4、加固齿，5、载片区，6、引线脚。
【具体实施方式】
[0017]下面通过具体的实施例子并结合附图对本实用新型做进一步的详细描述。
[0018]图1、图2所示出了本实用新型提供的一种高强度的功率器件框架，所述框架I的上方设置有散热片2;所述框架I与散热片2的衔接处设置有结合孔3，且位于框架I的外表面上设置有加固齿4，加固齿4为并排设置，且加固齿4有规律的排布在框架I的表面上。
[0019]所述框架I上设置有载片区5，载片区5上可安装多个芯片，框架I的下方设置有引线脚6，且引线脚6为空管脚，直接联络PCB上的焊锡，促进器件散热。
[0020]所述引线脚6至少为3个，且多个引线脚6中的一个引线脚与框架I连接，其他的引线脚6通过引线与载片区5上安装的芯片连接。
[0021]所述加固齿4设置在框架I的左右侧面上，加固齿4具体设置在与器件塑封体接触的框架I表面上，且加固齿4为V型齿，还可以为U型齿、梯形齿等。所述结合孔3为长腰孔，还可以为矩形孔、圆形孔、三角行孔和梯形孔等。
[0022]以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，对于本领域的技术人员来说，本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.一种高强度的功率器件框架，其特征在于，所述框架的上方设置有散热片;所述框架与散热片的衔接处设置有结合孔，且框架的外表面上设置有加固齿。2.根据权利要求1所述的高强度的功率器件框架，其特征在于，所述框架上设置有载片区，框架的下方设置有引线脚。3.根据权利要求2所述的高强度的功率器件框架，其特征在于，所述引线脚至少为3个，且多个引线脚中的一个引线脚与框架连接。4.根据权利要求1所述的高强度的功率器件框架，其特征在于，所述加固齿设置在框架的左右侧面上，且加固齿为V型齿。5.根据权利要求1所述的高强度的功率器件框架，其特征在于，所述结合孔为长腰孔。
【文档编号】H01L23/495GK205542763SQ201620303621
【公开日】2016年8月31日
【申请日】2016年4月13日
【发明人】李科, 蔡少峰
【申请人】四川立泰电子有限公司