抗电磁干扰的sip封装结构的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种抗电磁干扰的SIP封装结构，包括电路基板和设置在电路基板上的芯片，还包括金属片，所述金属片通过一粘合层粘合在所述芯片上。本实用新型的抗电磁干扰的SIP封装结构，其屏蔽罩包括金属片，芯片上表面设置粘合层，金属片通过粘合层粘合在芯片的上表面上，从而使金属片部分或完全覆盖芯片以使不同的芯片之间达到相互屏蔽干扰的目的。
【专利说明】
抗电磁干扰的SIP封装结构
技术领域
[0001]本实用新型涉及IC封装技术领域，尤其涉及一种抗电磁干扰的SIP封装结构。
【背景技术】
[0002]SIP(System In a Package系统级封装)是将多种功能芯片，包括处理器、存储器等功能芯片集成在一个封装内，从而实现一个基本完整的功能。SIP封装由于可以灵活的采用已有的封装进行集成，甚至可以进行3D堆叠。这样设计周期可以大大缩短，功能器件也可以有了选择的余地。SIP封装在医疗电子、汽车电子、功率模块、图像感应器、手机、全球定位系统、蓝牙等方面应用越来越多。
[0003]随着电子系统变得越来越小，以及SIP封装内电子构件的密度越来越大，因此容易产生系统内的电磁干扰(electromagnetic interference，EMI)。尤其是一些高频芯片封装结构，例如射频芯片、GPS芯片、蓝牙芯片等高频芯片通过SIP封装为一体式结构，相互间电磁干扰影响较大。因此需要设计可减少电磁干扰的影响的SIP封装结构，以避免封装体内各芯片的相互电磁干扰效应，并避免系统的效能下降或是发生错误。
【实用新型内容】
[0004]本实用新型所要解决的技术问题是:提供一种抗电磁干扰的SIP封装结构，该封装结构可实现屏蔽SIP封装体内部的芯片产生的电磁效应，以解决屏蔽电磁干扰的问题。
[0005]为了解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案为:提供一种抗电磁干扰的SIP封装结构，包括电路基板和设置在电路基板上的芯片，还包括金属片，所述金属片通过一粘合层粘合在所述芯片上。
[0006]进一步地，所述金属片覆盖芯片的面积在60%以上。
[0007 ] 进一步地，所述芯片为尚频芯片。
[0008]进一步地，所述金属片的材质可为铝、铜或铁。
[0009]进一步地，还包括封装填充体，所述封装填充体将芯片及金属片封装在电路基板上。
[0010]进一步地，所述金属片为一整块。
[0011 ]进一步地，所述芯片上包括若干个所述金属片。
[0012]进一步地，所述电路基板上设置有若干个所述芯片，芯片上通过粘合层粘合有金属片O
[0013]进一步地，所述电路基板为印刷电路板。
[0014]本实用新型的有益效果在于:本实用新型的抗电磁干扰的SIP封装结构，其屏蔽罩包括金属片，芯片上表面设置粘合层，金属片通过粘合层粘合在芯片的上表面上，从而使金属片部分或完全覆盖芯片以使不同的芯片之间达到相互屏蔽干扰的目的。相对于现有技术的屏蔽罩，本实用新型采用金属片直接覆盖芯片达到屏蔽效果，结构简单，重量轻，尺寸小，成本低。
【附图说明】
[0015]图1为本实用新型第一实施例的抗电磁干扰的SIP封装结构的结构示意图；
[0016]图2为本实用新型第一实施例的抗电磁干扰的SIP封装结构剖视图；
[0017]图3为本实用新型第二实施例的抗电磁干扰的SIP封装结构的结构示意图。
[0018]标号说明:
[0019 ] 1、电路基板;2、粘合层;3、金属片;4、芯片;5、封装填充体。
【具体实施方式】
[0020]为详细说明本实用新型的技术内容、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图详予说明。
[0021]本实用新型最关键的构思在于:在芯片4上设置粘合层2，金属片3通过粘合层2粘接在芯片4的上部，该金属片3覆盖部分或全部的芯片4，使得芯片4达到屏蔽电磁干扰的效果O
[0022]请参阅图1及图2，本实用新型抗电磁干扰的SIP封装结构，包括电路基板I及设置在电路基板I上的芯片4，还包括金属片，所述芯片4上设置粘合层2，所述金属片3通过粘合层2连接在芯片4上部。
[0023]从上述描述可知，本实用新型的有益效果在于:本实用新型的抗电磁干扰的SIP封装结构，芯片4上表面设置粘合层2，金属片3通过粘合层2粘合在芯片4的上表面上，从而使金属片3部分或完全覆盖芯片4以使不同的芯片4之间达到相互屏蔽干扰的目的。相对于现有技术的屏蔽罩，本实用新型采用金属片直接覆盖芯片达到屏蔽效果，结构简单，重量轻，尺寸小，成本低。
[0024]本实用新型的电路基板I为印刷电路板，其可以是FR4覆铜电路板，或BT树脂基电路板，或者其它形态的印刷电路板。
[0025]进一步地，所述金属片3覆盖芯片4的面积在60%以上，经过大量的数据研究表明，金属片3覆盖芯片4的面积在60%以上即可达到屏蔽电磁干扰的效果。
[0026]进一步地，所述芯片4为高频芯片。
[0027]本实施例中，芯片4为高频芯片，高频芯片可为RF射频芯片、GPS定位芯片、DRAM存储芯片、蓝牙芯片等，该芯片可通过SMT或金属引线键合等方式与电路基板I连接。
[0028]进一步地，所述金属片3的材质可为铝，本实施例结合屏蔽的效果、金属片3的使用寿命、重量和成本，优选材质为铝，当然，在其他一些实施例中，还可采用其他的铜、钢或铁等材质。
[0029]进一步地，还包括封装填充体5，所述封装填充体5将芯片4及金属片3封装在电路基板I上。
[0030]进一步地，所述金属片3为一整块，该一整块的金属片3通过粘合层2贴合在芯片4上表面。
[0031]进一步地，一同参阅图3，所述芯片4上并并排设置多片金属片3。
[0032]请参照图1及图2，本实用新型的实施例一为:本实施例的抗电磁干扰的SIP封装结构，包括电路基板1、粘合层2、金属片3、芯片4及封装填充体5，芯片4电连接在电路基板I上，该芯片4采用的是高频芯片，芯片4上表面设置粘合层2，金属片3通过粘合层2连接在芯片4上部，封装填充体5将芯片4及金属片3封装在电路基板I上。
[0033]本实施例中，金属片3为一整块，金属片3完全覆盖芯片4的上表面或者覆盖芯片4上表面的至少60 %。
[0034]请参照图3，本实用新型的实施例二，与实施例一的不同之处在于，芯片4上方设置若干个金属片。如图所不，该若干个金属片之间有间隙，该若干个金属片的总面积为芯片4上表面的60%以上。
[0035]进一步的，电路基板上可以包括若干个芯片，高频芯片上通过粘合层粘合有金属片，也可以在必要的芯片上设置一个或多个金属片，对于对电磁干扰不敏感的芯片则可以不设置金属片。
[0036]综上所述，本实用新型提供的抗电磁干扰的SIP封装结构，使得多个或一个金属片3将芯片4部分或全部覆盖，从而达到屏蔽电磁干扰的效果。
[0037]以上所述仅为本实用新型的实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等同变换，或直接或间接运用在相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。
【主权项】
1.一种抗电磁干扰的SIP封装结构，包括电路基板和设置在电路基板上的芯片，其特征在于，还包括金属片，所述金属片通过一粘合层粘合在所述芯片上。2.根据权利要求1所述的抗电磁干扰的SIP封装结构，其特征在于，所述金属片覆盖芯片的面积在60%以上。3.根据权利要求1所述的抗电磁干扰的SIP封装结构，其特征在于，所述芯片为高频芯片。4.根据权利要求1所述的抗电磁干扰的SIP封装结构，其特征在于，所述金属片的材质可为铝、铜或铁。5.根据权利要求1所述的抗电磁干扰的SIP封装结构，其特征在于，还包括封装填充体，所述封装填充体将芯片及金属片封装在电路基板上。6.根据权利要求1-5任一项所述的抗电磁干扰的SIP封装结构，其特征在于，所述金属片为一整块。7.根据权利要求1-5任一项所述的抗电磁干扰的SIP封装结构，其特征在于，所述芯片上包括多个所述金属片。8.根据权利要求1-5任一项所述的抗电磁干扰的SIP封装结构，其特征在于，所述电路基板上设置有多个所述芯片，每个芯片上均通过粘合层粘合有金属片。9.根据权利要求1-5任一项所述的抗电磁干扰的SIP封装结构，其特征在于，所述电路基板为印刷电路板。
【文档编号】H01L23/552GK205542767SQ201620109843
【公开日】2016年8月31日
【申请日】2016年2月3日
【发明人】孙日欣, 孙成思, 李振华
【申请人】深圳佰维存储科技有限公司