砷化镓摄像芯片的制作方法
【专利摘要】本实用新型具体涉及摄像芯片。砷化镓摄像芯片，包括摄像芯片主体，摄像芯片主体包括基底，基底是由砷化镓制成的基底，基底的厚度为250μm～300μm；摄像芯片主体是CMOS芯片或者CCD芯片；摄像芯片主体还包括一外包层，外包层位于基底的外围，外包层内嵌有一温度传感芯片，温度传感芯片的信号输出端连接一无线通讯芯片。本实用新型通过优化传统的摄像芯片的基底，将传统由硅制成的基底改良为由砷化镓制成的基底，提高了摄像芯片的性能，信号传输性能优异。本实用新型通过控制基底的厚度，在节约成本的同时，保证摄像芯片主体的电性能。本实用新型通过在摄像芯片主体的外包层上设有一温度传感芯片，便于实现控温。
【专利说明】
砷化镓摄像芯片
技术领域
[0001 ]本实用新型涉及机械技术领域，具体涉及摄像芯片。
【背景技术】
[0002]砷化镓是电阻率比硅、锗高3个数量级以上的半绝缘高阻材料。砷化镓的电子迀移率比硅大5?6倍。用砷化镓制成的半导体器件具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点。
[0003]现有的摄像芯片的基底，往往是由硅制成的，性能不够优异。目前市面上还不存有采用砷化镓作为摄像芯片的基底。
【实用新型内容】
[0004]本实用新型的目的在于，提供砷化镓摄像芯片，以解决上述至少一种问题。
[0005]本实用新型所解决的技术问题可以采用以下技术方案来实现:
[0006]砷化镓摄像芯片，包括摄像芯片主体，所述摄像芯片主体包括基底，其特征在于，所述基底是由砷化镓制成的基底，所述基底的厚度为250μπι?300μπι;
[0007]所述摄像芯片主体是CMOS芯片或者C⑶芯片；
[0008]所述摄像芯片主体还包括一外包层，所述外包层位于所述基底的外围，所述外包层内嵌有一温度传感芯片，所述温度传感芯片的信号输出端连接一无线通讯芯片，所述无线通讯芯片也位于外包层内；
[0009]所述温度传感芯片设有一感应面，所述感应面朝向所述基底，所述感应面与所述外包层的外壁的距离不大于2mm。
[0010]本实用新型通过优化传统的摄像芯片的基底，将传统由硅制成的基底改良为由砷化镓制成的基底，提高了摄像芯片的性能，信号传输性能优异。本实用新型通过控制基底的厚度，在节约成本的同时，保证摄像芯片主体的电性能。本实用新型通过在摄像芯片主体的外包层上设有一温度传感芯片，便于实现控温，对于砷化镓在高温情况下具有毒性，本实用新型通过设有温度传感芯片便于监控摄像芯片主体的温度，防止在温度过高的情况下，污染物的产生。本实用新型通过控制感应面的设置范围，在保证监控精度的同时，提高使用寿命O
[0011]所述基底的上方设有由二氧化硅制成的绝缘层，所述绝缘层的上方设有金属电极，所述绝缘层的厚度为Irnm?2mm ；
[0012]所述基底的上端面设有至少三个球状凹坑，所述球状凹坑位于所述基底与所述绝缘层的接触处，所述绝缘层的下端面设有与所述球状凹坑相匹配的球状凸起。
[0013]本实用新型通过设有球状凹坑，在节约基底成本的同时，保证电性能。
[0014]金属电极与绝缘层导通。
[0015]所述外包层内还设有一水通道，所述水通道呈S状。
[0016]本实用新型通过在传统的外包层内设有水通道，便于实现物理控温。
[0017]所述摄像芯片主体包括一感光面，所述感光面呈一内凹式的曲面，所述曲面的弯曲方向朝向所述摄像芯片主体的中央，所述曲面呈一球形曲面，所述曲面的横截面呈一圆心角为5°?10°的圆弧。
[0018]本实用新型通过优化摄像芯片主体感光面的结构，传统感光面为平面型，本实用新型改良为内凹式的曲面性，有助于提高成像效果。
【附图说明】
[0019]图1为本实用新型的一种部分结构示意图。
【具体实施方式】
[0020]为了使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体图示进一步阐述本实用新型。
[0021]参照图1，砷化镓摄像芯片，包括摄像芯片主体I，摄像芯片主体I包括基底，基底是由砷化镓制成的基底，基底的厚度为250μπι?300μπι;摄像芯片主体I是CMOS芯片或者CXD芯片。本实用新型通过优化传统的摄像芯片的基底，将传统由硅制成的基底改良为由砷化镓制成的基底，提高了摄像芯片的性能，信号传输性能优异。本实用新型通过控制基底的厚度，在节约成本的同时，保证摄像芯片主体I的电性能。摄像芯片主体I还包括一外包层12，外包层12位于基底的外围，外包层12内嵌有一温度传感芯片，温度传感芯片的信号输出端连接一无线通讯芯片，无线通讯芯片也位于外包层内。本实用新型通过在摄像芯片主体I的外包层12上设有一温度传感芯片，便于实现控温，对于砷化镓在高温情况下具有毒性，本实用新型通过设有温度传感芯片便于监控摄像芯片主体I的温度，防止在温度过高的情况下，污染物的产生。温度传感芯片设有一感应面，感应面朝向基底，感应面与外包层的外壁的距离不大于2mm。本实用新型通过控制感应面的设置范围，在保证监控精度的同时，提高使用寿命O
[0022]外包层是由塑料制成的外包层。
[0023]基底的上方设有由二氧化硅制成的绝缘层，绝缘层的上方设有金属电极，绝缘层的厚度为Imm?2mm;基底的上端面设有至少三个球状凹坑，球状凹坑位于基底与绝缘层的接触处，绝缘层的下端面设有与球状凹坑相匹配的球状凸起。本实用新型通过设有球状凹坑，在节约基底成本的同时，保证电性能。
[0024]外包层12内还设有一水通道，水通道呈S状。本实用新型通过在传统的外包层12内设有水通道，便于实现物理控温。
[0025]摄像芯片主体I包括一感光面11，感光面11呈一内凹式的曲面，曲面的弯曲方向朝向摄像芯片主体的中央，曲面呈一球形曲面，曲面的横截面呈一圆心角为5°?10°的圆弧。本实用新型通过优化摄像芯片主体感光面11的结构，传统感光面11为平面型，本实用新型改良为内凹式的曲面性，有助于提高成像效果。
[0026]摄像芯片主体从上至下依次设上电极层、NiCr导电膜层、η型砷化镓缓冲层、基底、In或者AuGeNi的合金层、下电极层。实现光电转换。η型砷化镓缓冲层与绝缘层均位于基底的上方。附0导电膜层的厚度为25(^111?30(^1]1;11型砷化镓缓冲层的厚度为26(^1]1?38(^1]1;合金层的厚度为250μηι?380μηι。
[0027]以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
【主权项】
1.砷化镓摄像芯片，包括摄像芯片主体，所述摄像芯片主体包括基底，其特征在于，所述基底是由砷化镓制成的基底，所述基底的厚度为250μπι?300μπι; 所述摄像芯片主体是CMOS芯片或者C⑶芯片； 所述摄像芯片主体还包括一外包层，所述外包层位于所述基底的外围，所述外包层内嵌有一温度传感芯片，所述温度传感芯片的信号输出端连接一无线通讯芯片，所述无线通讯芯片也位于外包层内； 所述温度传感芯片设有一感应面，所述感应面朝向所述基底，所述感应面与所述外包层的外壁的距离不大于2mm。2.根据权利要求1所述的砷化镓摄像芯片，其特征在于，所述基底的上方设有由二氧化硅制成的绝缘层，所述绝缘层的上方设有金属电极，所述绝缘层的厚度为Imm?2_; 所述基底的上端面设有至少三个球状凹坑，所述球状凹坑位于所述基底与所述绝缘层的接触处，所述绝缘层的下端面设有与所述球状凹坑相匹配的球状凸起。3.根据权利要求1所述的砷化镓摄像芯片，其特征在于，所述外包层内还设有一水通道，所述水通道呈S状。4.根据权利要求1所述的砷化镓摄像芯片，其特征在于，所述摄像芯片主体包括一感光面，所述感光面呈一内凹式的曲面，所述曲面的弯曲方向朝向所述摄像芯片主体的中央，所述曲面呈一球形曲面，所述曲面的横截面呈一圆心角为5°?10°的圆弧。
【文档编号】H01L29/20GK205542784SQ201620065721
【公开日】2016年8月31日
【申请日】2016年1月22日
【发明人】程治国, 王良
【申请人】上海长翊科技股份有限公司