一种薄膜晶体管的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种薄膜晶体管包括半导体层，设置基板上；栅极绝缘层，设置在所述基板上覆盖所述半导体层；第一栅极层，设置在所述栅极绝缘层上；电容绝缘层，设置在所述栅极绝缘层上覆盖所述第一栅极层；还包括第二栅极层，设置在所述电容绝缘层上且与所述第一栅极层电连接。本实用新型通过设置双栅结构能够有效克服膜层间短路/断路的问题。
【专利说明】
_种薄膜晶体管
技术领域
[0001]本实用新型属于薄膜晶体管领域，具体涉及一种双栅结构的薄膜晶体管。
【背景技术】
[0002]现有的薄膜晶体管一般由多层金属或非金属材料堆叠而成，包括半导体层，栅极绝缘层，栅极层，层间绝缘层和源漏极等。如果薄膜晶体管采用的膜层的成膜质量差，或者下层膜坡度角Taper过于陡峭，将会发生膜层间的短路/断路。如图2所示，所述的半导体层02采用长方形结构，其坡度角Taper为90°，栅极绝缘层03、和电容绝缘层04与该坡度角Taper接触或靠近的地方容易发生图2显示的膜层间的短路/断路问题，影响TFT正常工作。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型所要解决的技术问题是现有TFT容易发生膜层间短路/断路的问题，从而提供一种薄膜晶体管，通过设置双栅结构能够有效克服膜层间短路/断路的问题。
[0004]为解决上述技术问题，本实用新型是通过以下技术方案实现的:
[0005]本发明提供了一种薄膜晶体管，包括:
[0006]半导体层，设置基板上；
[0007]栅极绝缘层，设置在所述基板上，覆盖所述半导体层；
[0008]第一栅极层，设置在所述栅极绝缘层上；
[0009]电容绝缘层，设置在所述栅极绝缘层上覆盖所述第一栅极层；
[0010]还包括第二栅极层，设置在所述电容绝缘层上且与所述第一栅极层电连接。
[0011]所述第二栅极层在基板上的投影覆盖所述第一栅极层的投影。
[0012]第一栅极层在基板上的投影落在所述半导体层的投影范围内。
[0013]所述第二栅极层与驱动信号线电连接，第一栅极层经刻蚀后形成栅极和存储电容电极。
[0014]所述电容绝缘层设有连接孔，所述第一栅极层和第二栅极层之间通过连接孔内的导电材料实现电连接。
[0015]本实用新型相对于现有技术具有如下有益效果:
[0016]本发明提供的薄膜晶体管包括半导体层、栅极绝缘层、第一栅极层、电容绝缘层和第二栅极层，所述第二栅极层设置在所述电容绝缘层上且与所述第一栅极层电连接。具体是在半导体层P-Si上方制作一层尺寸小于半导体层P-Si的第一栅极Gatel的第二栅极Gate2，然后利用第二栅极Gate2与第一栅极Gatel进行搭接。当半导体层P-Si的破度角Taper过大或栅极绝缘层GI膜层异常时，第一栅极Gatel不会与半导体层P-Si短路，并且电容绝缘层Cl可以克服(覆盖)该不良。
[0017]本实用新型通过设置双栅结构能够避免半导体层坡度角异常和栅极绝缘层GI异常造成的薄膜晶体管TFT失效，有效克服膜层间短路/断路的问题。
【附图说明】
[0018]为了使本实用新型的内容更容易被清楚的理解，下面根据本实用新型的具体实施例并结合附图，对本实用新型作进一步详细的说明，其中
[0019]图1是本实用新型TFT背板的结构示意图；
[0020]图2是现有技术TFT背板的结构示意图。
[0021]其中附图标记为:
[0022]02-半导体层，03-栅极绝缘层、04-电容绝缘层，05-第一栅极层、06-第二栅极层。
【具体实施方式】
[0023]为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本实用新型实施方式作进一步地详细描述。
[0024]本实用新型可以以许多不同的形式实施，而不应该被理解为限于在此阐述的实施例。相反，提供这些实施例，使得本公开将是彻底和完整的，并且将把本实用新型的构思充分传达给本领域技术人员，本实用新型将仅由权利要求来限定。在附图中，为了清晰起见，会夸大层和区域的尺寸和相对尺寸。应当理解的是，当元件例如层、区域或基板被称作“设置在”或“设置在”另一元件“上”时，该元件可以直接设置在所述另一元件上，或者也可以存在中间元件。相反，当元件被称作“直接设置在”或“直接设置在”另一元件上时，不存在中间元件。
[0025]如图1所示，本实用新型提供的一种薄膜晶体管，包括:
[0026]基板；
[0027]半导体层02，设置基板上；
[0028]栅极绝缘层03，设置在所述基板上，覆盖所述半导体层02;
[0029]第一栅极层05，设置在所述栅极绝缘层03上；
[0030]电容绝缘层04，设置在所述栅极绝缘层03上覆盖所述第一栅极层05;
[0031]还包括第二栅极层06，设置在所述电容绝缘层04上且与所述第一栅极层05电连接。
[0032]第二栅极层06在基板上的投影覆盖所述第一栅极层05的投影。
[0033]第一栅极层05在基板上的投影落在所述半导体层02的投影范围内。
[0034]所述第二栅极层06与TFT的驱动信号线电连接，第一栅极层05经刻蚀后形成栅极和存储电容电极。
[0035]所述电容绝缘层04设有连接孔(未图式)，所述连接孔内可以探孔导电材料，所述第一栅极层05和第二栅极层06之间通过连接孔内的导电材料实现电连接。
[0036]本实用新型通过设置双栅结构能够避免半导体层坡度角异常和栅极绝缘层GI异常造成的薄膜晶体管TFT失效，有效克服膜层间短路/断路的问题。
[0037]显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本实用新型的保护范围之中。
【主权项】
1.一种薄膜晶体管，包括: 基板； 半导体层(02)，设置基板上； 栅极绝缘层(03)，设置在所述基板上，覆盖所述半导体层(02); 第一栅极层(05)，设置在所述栅极绝缘层(03)上； 电容绝缘层(04)，设置在所述栅极绝缘层(03)上覆盖所述第一栅极层(05); 其特征在于， 还包括第二栅极层(06)，设置在所述电容绝缘层(04)上且与所述第一栅极层(05)电连接。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，第二栅极层(06)在基板上的投影覆盖所述第一栅极层(05)的投影。3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，第一栅极层(05)在基板上的投影落在所述半导体层(02)的投影范围内。4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二栅极层(06)与驱动信号线电连接，第一栅极层(05)经刻蚀后形成栅极和存储电容电极。5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述电容绝缘层(04)设有连接孔，所述连接孔内填充导电材料，所述第一栅极层(05)和第二栅极层(06)之间通过连接孔内的导电材料实现电连接。
【文档编号】H01L29/423GK205564761SQ201521116388
【公开日】2016年9月7日
【申请日】2015年12月29日
【发明人】万阳
【申请人】昆山国显光电有限公司