由背接触式太阳能电池加工成电池芯片的电极引出结构的制作方法

文档序号:10879181阅读:525来源:国知局
由背接触式太阳能电池加工成电池芯片的电极引出结构的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种背接触式太阳能电池被加工成小芯片的电极引出结构及方法,属太阳能电池技术领域。本实用新型目的是利用高效背接触电池被精加工成各种尺寸小型芯片,解决电极引出端的结构和制造方法,防止相邻近的栅线的错位所造成的短路造和生产成本问题。主要技术特征是在背接触式电池的背光面上,切割成成每个芯片的正负电极引出端,其相异极性栅线上分别覆盖绝缘层和汇集电流导通的栅线汇流导电层。实施本实用新型效果显著,高电压输出的芯片合格率达99%以上,消除了电极栅线汇流时因套位误差导致的相邻近的相异栅线之间的短路问题。
【专利说明】
由背接触式太阳能电池加工成电池芯片的电极引出结构
技术领域
[0001]本实用新型公开了一种背接触式太阳能电池被二次加工成电池芯片的电极引出结构,属太阳能电池技术领域。
【背景技术】
[0002]目前,已商业化的硅太阳能电池发射区和发射区电极均位于电池正面,栅线电极所占面积已经很小(约为8%),但依然阻挡了部分阳光,影响电池有效受光面,导致转换效率降低。组件封装时,需要用涂锡带从一块电池的正面焊接到另一块电池的背面,这种连接方式使自动化生产的难度加大。为此,研究人员把正面电极转移到电池背面,开发出许多结构不同的背接触式太阳能电池(以下简称背接触电池或电池)。背接触式电池是指电池的发射区电极和基区电极均位于硅太阳能电池电池背面的一种硅太阳电池,背接触电池的优点在于消除了正面栅线电极的遮光损失,有效提高了电池利用率和转化效率;易组装,正负极均在背面,组件封装共面连接,电池片间隔减小,使封装密度提高,难度降低。电池的正面没有凃锡带,受光面均一、美观。美国公司SUNP0WER的专利技术US7339110B1给出了一种典型的背接触式电池,电池的正负极均位于电池的背面,正负极栅线呈交错布置,背电极的正负极呈间隔排列。背接触式电池不仅是用于大型电站的光伏组件,同时背接触式电池被切割成尺寸较小的背接触式的电池芯片(以下简称芯片),被广泛应用于消费类电子产品及小型电子产品中。现有技术,用背接触式电池制成芯片,是采用高精度PCB板对位的电极引出工艺,如中国专利申请号为201410283104.8和申请号为201380017058.1,用高精度PCB版为基底,完成背接触式电池切割及电极栅线与PCB板的电路串接引出,此材料成本和机械设备成本局昂。

【发明内容】

[0003]本实用新型针对上述现有技术存在问题,特别是背接触式电池被精细加工成各种尺寸芯片,其电极引出的全新结构,已成为本领域技术人员亟待解决的关键技术。
[0004]鉴于此,本实用新型的首要目的是降低芯片加工成本,避免背接触电池二次加工切割过程中电极引出相邻近正负极栅线之间的短路。
[0005]本发实用新型另一个目的是背接触电池被加工成芯片的电极引出结构。
[0006]本实用新型的技术解决方案是:由背接触式太阳能电池加工成芯片的电极引出结构,包括电池背光面上η+区的正极栅线和P+区负极栅线间隔排列,其技术特征是:在电池背光面上的每个芯片的正负电极引出端的相异极性栅线上分别覆盖绝缘层,其上还分别覆盖导电层,所说的电极引出结构由相异极性栅线上的导电层实现电极栅线汇集汇流、导通构成。
[0007]优选的,所述芯片的正负电极引出端的导电层是覆盖在相异极性栅线汇流层的绝缘膜上,包括一种可焊电极引出线的导电层,或采用导电型材包括带导电胶层的铜带、铝带、镀锡铜带的导电金属带材形成导电层。
[0008]优选的,每个芯片栅线汇流、导通的电极引出端的导电层,该导电层是覆盖在没覆盖绝缘层的相异极性栅线上以汇集电流导通。
[0009]优选的,所述芯片的可焊电极导电层,包括由铜浆、银浆、锡膏制备的。
[0010]优选的,所述芯片的正负电极引出端的绝缘层,是相异极性栅线电极引出端上的丝印绝缘油墨。
[0011 ]本实用新型的由背接触式太阳能电池加工成电池芯片的电极引出结构制造,包括制备绝缘层的基片,其特征在于在背接触电池的背电极面上,采用栅线绝缘涂层网版,掩膜丝网印刷工艺,把绝缘层浆料包括绝缘油墨丝印到基片的相应位置,形成拟切割出的每个芯片的正负电极引出端相异极性栅线的绝缘层;
[0012]在制备好绝缘层的基片上,采用栅线汇流导电层网版,采用掩膜丝网印刷工艺,把导电层浆料(如铜浆、银浆、锡膏等)丝印到背电极面绝缘层区域的相应位置,形成拟切割出的每个电池芯片的正负电极汇流导电层;或若
[0013]采用导电型材(如带导电胶层的铜带、铝带、镀锡铜带的导电金属带材)汇流形成引出电极的导电层,则采用热压或静压设备,把导电材料贴合到已制备好绝缘层的基片上拟切割出的每个电池芯片的正负电极引出区域相应位置,以形成每个电池芯片的正负电极汇流,以引出电极端输出;
[0014]所说电极汇流导电层为不可焊材料,则需在其表面按每个电池芯片的正负引出电极位置和焊盘尺寸需求,再丝印可焊电极层(如可焊铜浆、银浆、锡膏等),以作电极引出线的焊接电极。
[0015]本发明产生的积极效果:
[0016]可按功率需求将背电极硅太阳能电池裁切成任形状尺寸的小电池芯片,形成太阳能电池组件的小型化和高电压输出的芯片。
[0017]芯片合格率达99%以上,通过芯片掩膜丝印网版图形和套位标志的特殊设计,及制作过程的高精度控制,消除了电池芯片的电极栅线汇流时因套位误差导致的相邻近正负极栅线之间的短路问题。
[0018]无需预定位,与现行SMT技术加工背电极硅太阳能电池芯片工艺相比小电池芯片切割后,用焊接方法串接成组件,无需对每一个小电池做精确的预定位来实现组件的串接,极大的提高了生产效率。
[0019]节省了加工成本,采用本芯片串接技术,材料只需普通导线或通用涂锡带,用普通烙铁便可完成组件串接,节省了太阳能电池组件的加工成本。现行SMT加工背电极硅太阳能电池芯片工艺,采用高精度PCB板为基底,用SMT机及回流焊机完成太阳能电池组件串接,材料成本和机械设备成本非常高昂。
[0020]特别是绝缘层制作的制作,为制作汇流导电层作了很好的铺垫,有效防止电池背面用于制作汇流导电层时正负栅状电极短路。绝缘浆料固化后不存在因偏移造成的短路。
【附图说明】
[0021]图1.是美国专利US7339110B1的背接触电池的剖面结构示意图,图中,背接触电池10的正极栅线50和负极栅线52间隔排列。
[0022]图2.是美国专利US733911OBI的背接触电池的背光面结构示意图。
[0023]图3.是本发明的背接触电池10切割后的电池芯片的背光面电极引出结构示意图,图中的绝缘层I在两端分别覆盖正极栅线50和负极栅线52,在绝缘层I上覆盖导电层2,导电层2在两端分别将未覆盖绝缘层I的负极栅线52和正极栅线50汇流导通。
[0024]图4.是图3中A-A剖面结构示意图,绝缘层I覆盖负极栅线52,导电层2将正极栅线50汇流导通。
[0025]图5.是图3中B-B剖面结构示意图,绝缘层I覆盖正极栅线50,导电层2将负极栅线52汇流导通。
[0026]图6.是本发明实施例1的背接触电池切割前的背光面电极引出结构示意图,在背接触电池10的背光面切割前对应电池芯片的位置上丝印绝缘层I和导电层2。
[0027]图7.是图6中的背接触电池10切割后上边位置的电池芯片的电极引出结构示意图,正极引出端是背接触电池10本身的正极端5,负极引出端是将背接触电池10的正极栅线50先用绝缘层I覆盖,再用导电层2将负极栅线52汇流导通。
[0028]图8.是图6中的背接触电池10切割后中间位置的电池芯片的电极引出结构示意图,正极引出端是将背接触电池10的负极栅线52先用绝缘层I覆盖,再用导电层2将正极栅线50汇流导通,负极引出端是将背接触电池10的正极栅线50先用绝缘层I覆盖,再用导电层2将负极栅线52汇流导通。
[0029]图9.是图6中的背接触电池10切割后下边位置的电池芯片的电极引出结构示意图,正极引出端是将背接触电池10的负极栅线52先用绝缘层I覆盖,再用导电层2将正极栅线50汇流导通,负极引出端是背接触电池10的本身的负极端6。
[0030]图10.是本发明实施例2的正面结构示意图,当导电层2为不可焊材料时,在导电层2上丝印可焊层3。
[0031]图11.是图10中的C-C剖面结构示意图。
[0032]图12.是本发明实施例3的剖面结构示意图,导电层2采用带导电胶层7的铜带8,导电胶层7与粘结在负极栅线52(或正极栅线50)和绝缘层I上。
[0033]图13.是图12中的带导电胶层7的铜带8,在铜带8的下面有一层导电胶层7。
【具体实施方式】
[0034]以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细说明。
[0035]实施例1
[0036]如图6所示,本实施的背接触太阳能电池10为美国SUNP0WER公司生产的125X125mm的规格,需要如切割线4所示的位置切割出18块规格是32.4X20.9mm的电池芯片,左右排布为横向3块,上下纵向6块,左右边缘留出硅片可用在其它尺寸上使用,在上边缘的3块的正极引出,如图7所示可利用背接触电池10本身的正极引出端5,负极引出端是将正极栅线50由绝缘层I覆盖后,在绝缘层I上由导电层2将未被绝缘层I覆盖的负极栅线52汇流导通,在下边的3块的负极引出,如图9所示可利用背接触电池10本身的负极引出端6,正极引出端是将负极栅线52由绝缘层I覆盖后,在绝缘层I上由导电层2将未被绝缘层I覆盖的正极栅线50汇流导通,在中间位置的12块电池芯片,如图8所示上边为正极引出端,下边为负极引出端,在上边的正极引出端先将负极栅线52由绝缘层I覆盖,再在绝缘层I上覆盖导电层2,导电层2将未被绝缘层I覆盖的正极栅线50汇流导通,形成正极引出端,在下边的负极引出端先将正极栅线50由绝缘层I覆盖,再在绝缘层I上覆盖导电层2,导电层2将未被绝缘层I覆盖的负极栅线52汇流导通,形成负极引出端。
[0037]制作过程如下:
[0038]1、先将背接触电池10的背光面朝上放置在丝印平台上,将栅线绝缘涂层网版和背接触电池10的对位点进行精确套位,然后采用掩膜丝网印刷工艺,把绝缘层I油墨浆料丝印到背接触电池1的背光面的相应位置,形成拟切割出的每个电池芯片的正负电极引出端相异极性栅线的绝缘层I,即在电池芯片的正极引出端将负极栅线52覆盖绝缘层I,在负极引出端将正极栅线50覆盖绝缘层I。
[0039]2、在制备好绝缘层I的背接触电池10的背光面上,采用栅线汇流导电层2网版,采用掩膜丝网印刷工艺,把导电层2的导电浆料(如铜浆、银浆、锡膏等)丝印到相应位置,形成拟切割出的每个电池芯片的正负电极汇流导电层2,即在正极引出端导电层2将未被绝缘层I覆盖的正极栅线50汇流导通,在负极引出端导电层2将未被绝缘层I覆盖的负极栅线52汇流导通。
[0040]3、按尺寸切割线4将背接触电池10切割成电池芯片,先将左右两边缘部分切割,然后再将其它切割,切割后即可使用。
[0041 ] 实施例2
[0042]在实施例1中,如果导电层2为不可焊材料,则可以如图10和图11所示,在导电层2上的焊接点丝印导电可焊层3,在可焊层3上焊接电极引出线。
[0043]实施例3
[0044]如图12和图13所示,在实施例1中采用2_宽的带导电胶层7的铜带8的导电型材取代导电层2,采用热压工艺,把带导电胶层7的铜带8贴合到已制备好绝缘层I的背接触电池1上拟切割出的每个电池芯片的正负电极引出区域相应位置,以形成每个电池芯片的正负电极汇流及引出电极端。
[0045]制作过程如下:
[0046]1、先将背接触电池10的背光面朝上放置在丝印平台上,将栅线绝缘涂层网版和背接触电池10的对位点进行精确套位,然后采用掩膜丝网印刷工艺,把绝缘层I油墨浆料丝印到背接触电池1的背光面的相应位置,形成拟切割出的每个电池芯片的正负电极引出端相异极性栅线的绝缘层I,即在电池芯片的正极引出端将负极栅线52覆盖绝缘层I,在负极引出端将正极栅线50覆盖绝缘层I。
[0047]2、将制备好绝缘层I的背接触电池10的背光面上,按热压机定位装置放置到热压机工作台面上,启动热压机开关,热压机把按设计尺寸要求裁切好的带导电胶层7的铜带8贴合到已制备好绝缘层I的背接触电池10上拟切割出的每个电池芯片的正负电极引出区域相应位置,形成每个电池芯片的正负电极汇流及引出电极端。
[0048]3、按切割线4将背接触电池1切割成电池芯片,即可使用。
【主权项】
1.由背接触式太阳能电池加工成芯片的电极引出结构,包括电池背光面上η+区的正极栅线和P+区负极栅线间隔排列,其技术特征是:电池背光面η+区和ρ+区的每个芯片的正负电极引出端的相异极性栅线上分别有绝缘层,该缘层由栅线绝缘涂层网版的掩膜丝网印刷在相异极性栅线上,其上分别覆盖导电层,该导电层是所说每个芯片汇集电流、导通的电极引出端的导电层,由导线串联芯片构成组件或由串并联芯片构成组件。2.根据权利要求1所述的一种由背接触式太阳能电池加工成芯片的电极引出结构,其特征在于所述芯片的正负电极引出端的导电层是覆盖在未覆盖绝缘层的相异极性的栅线汇流导电层。3.根据权利要求2所述的一种由背接触式太阳能电池加工成芯片的电极引出结构,其特征在于所述的正负电极引出端的导电层是一种可焊电极引出线的可焊导电层或是一种免焊接电极引出线的导电层。4.根据权利要求3所述的一种由背接触式太阳能电池加工成芯片的电极引出结构,其特征在于所述芯片的正负电极引出端为免焊接正负电极引出端的免焊导电层,其上再覆盖一层可焊的导电层。5.根据权利要求3所述的一种由背接触式太阳能电池加工成芯片的电极引出结构,其特征在于所说的一种可焊电极引出线的导电层是一种导电金属型材,包括带导电胶层的铜带、铝带、镀锡铜带。6.根据权利要求3所述的一种由背接触式太阳能电池加工成芯片的电极引出结构,其特征在于所说的可焊接电极引出线的导电层,主要包括由铜浆、银浆、锡膏材料制成的。7.根据权利要求2所述的一种由背接触式太阳能电池加工成芯片的电极引出结构,其特征在于所述的相异极性栅线上分别覆盖的绝缘层是一层绝缘油墨,以防相异性栅线间导电层错位。8.根据权利要求1所述的一种由背接触式太阳能电池加工成芯片的电极引出结构,其技术特征在于所说栅线的绝缘层由栅线绝缘涂层网版的掩膜丝网印刷在电极引出结构的相异极性栅线上。9.根据权利要求8所述的一种由背接触式太阳能电池加工成芯片的电极引出结构,其技术特征在于所说的芯片的正负电极导电层,由栅线汇流导电层网版的掩膜丝网印刷在绝缘层上。10.根据权利要求9所述的一种由背接触式太阳能电池加工成芯片的电极引出结构,其技术特征在于导电层采用导电型材,包括带导电胶层的铜带、铝带、镀锡铜带的导电金属带材汇流形成引出电极的导电层。11.根据权利要求5所述的一种由背接触式太阳能电池加工成芯片的电极引出结构,其技术特征在于所说可焊接导电层,包括由带导电胶层的铜带、铝带、镀锡铜带导电型材在内的导电层,由热压设备或静压设备形成栅线汇流导电层。12.根据权利要求11所述的一种由背接触式太阳能电池加工成芯片的电极引出结构,其技术特征在于所说的正负电极引出端的导电层为免焊接材料层,在其表面按照每个芯片的正负引出电极位置和焊盘尺寸再丝印一层可焊电极层。
【文档编号】H01L31/02GK205564763SQ201620135132
【公开日】2016年9月7日
【申请日】2016年2月23日
【发明人】李全相, 李毅, 吴志武, 胡盛明, 孙坚, 崔爱民
【申请人】深圳市创益科技发展有限公司, 深圳市创益新能源科技有限公司
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1