一种具有透明电极的n型晶体硅双面太阳能电池的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开一种具有透明电极的N型晶体硅双面太阳能电池，包括：正面金属电极、正面透明导电膜、减反射膜/正面钝化膜、P型层、N型硅基体、背面钝化膜、背面透明导电膜和背面金属电极；所述的P型层表面和N型硅基体背面设置有按照规则图案布置的局部重掺杂P+区和局部重掺杂N+区，所述的正面透明导电膜与局部重掺杂P+区直接接触；所述的背面透明导电膜与局部重掺杂N+区直接接触。该透明导电组合体采用与硅基体局部接触的透明导电膜作为太阳能电池的正面或背面透明电极，有利于透明导电膜与硅基体形成良好的欧姆接触。
【专利说明】
一种具有透明电极的N型晶体硅双面太阳能电池
技术领域
[0001]本实用新型属于太阳能电池技术领域，特别涉及一种具有透明电极的N型晶体硅双面太阳能电池。
【背景技术】
[0002]自1954年第一块太阳能电池在贝尔实验室诞生以来，晶体硅太阳能电池得到了广泛的应用，转换效率不断提升，生产成本持续下降。目前，晶体硅太阳能电池占太阳能电池全球市场总额的80%以上，晶体硅电池片的产线转换效率目前已突破20%，全球年新增装机容量约50GW且增速明显，与火力发电的度电成本不断缩小，在未来几年有望与之持平。晶体硅太阳能电池作为一种清洁能源在改变能源结构、缓解环境压力等方面的重要作用日益凸显。
[0003]按基材的掺杂类型，晶体硅太阳能电池分为P型晶体硅太阳能电池和N型晶体硅太阳能电池。与P型晶体硅太阳能电池相比，N型晶体硅太阳能电池具有更高的转换效率和杂质容忍度，且基本上无光致衰减。目前制约N型晶体硅太阳能电池大规模应用的主要原因是成本问题未能很好的解决。
[0004]N型晶体硅太阳能电池要想获得竞争力、获得更大的发展与应用，必须进一步提高转换效率，同时降低生产成本。由于N型晶体硅比P型晶体硅具有更长的少子寿命，所以N型晶硅电池通常可以做成双面受光型电池以增加电池的输出功率，增加值一般在20%以上。
[0005]目前N型晶体硅双面太阳能电池的电极多采用银铝浆丝网印刷的方式形成近百条细栅和若干条主栅，此工序使用的物料成本昂贵，且电极会造成电池片表面5%—7%的面积形成对光的遮挡，使双面电池在效率优势上未能充分体现。
[0006]如何在减少遮光面积与保持良好的导电性之间进行平衡，是目前N型晶硅双面电池研究的一个热点。由于浆料技术与印刷技术的进步，受光面电极细栅宽度不断减小，根据SEMI预测，到2020年细栅的宽度将减小至35微米以下，同时主栅采用多主栅及无主栅。在这个栅线细化技术过程中，电极的遮光面积有所下降，导电性有所提升，同时获得了效率的提升与成本的下降。但随着栅线宽度的不断减小，电极制备的工艺难度不断加大，进一步提高效率、降低生产成本的空间缩小。
[0007]透明导电膜同时具有良好的透光性与导电性，是N型晶体硅双面太阳能电池电极的理想材料，有望彻底解决金属电极的光遮挡及成本问题。
【实用新型内容】
[0008]本实用新型的目的是提供了一种具有透明电极的N型晶体硅双面太阳能电池，该太阳能电池采用与硅基体局部接触的透明导电膜作为太阳能电池的正面或背面透明电极，局部接触区域为重掺杂，以有利于透明导电膜与硅基体形成良好的欧姆接触。
[0009]为实现上述目的，本实用新型采用以下技术方案:
[0010]—种具有透明电极的N型晶体硅双面太阳能电池，包括:正面金属电极、正面透明导电膜、减反射膜/正面钝化膜、P型层、N型硅基体、背面钝化膜和背面透明导电膜、背面金属电极;所述的P型层表面和N型硅基体背面设置有按照规则图案布置的局部重掺杂P+区和局部重掺杂N+区；所述的正面透明导电膜与局部重掺杂P+区直接接触，所述的正面金属电极位于正面透明导电膜之上，正面透明导电膜将按照规则图案布置的局部重掺杂P+区及正面金属电极连接成为正面导电组合体;所述的背面透明导电膜与局部重掺杂N+区直接接触，所述的背面金属电极位于背面透明导电膜之上，背面透明导电膜将按照规则图案布置的局部重掺杂N+区及背面金属电极连接成为背面导电组合体。
[0011]透明导电膜为ITO薄膜、AZO薄膜、GZO薄膜、FTO薄膜、IWO薄膜和石墨烯薄膜中的一种或多种叠层构成;透明导电膜的厚度为50?500nm。
[0012]局部重掺杂区采用阵列图案排布，其图案为一维、二维几何图形或一维与二维几何图形的组合;一维几何图形选自:线段、虚线段、弧线或栅线状;二维几何图形选自:圆形、椭圆形、纺锤形、环形、多边形、多角形或扇形。
[0013]所述一维几何图形的线宽为30?lOOum，长度为0.05?1.5mm;同一行中相邻两个线形的间距为0.5?2mm，同一列中相邻两个线形的间距为0.5?2mm。
[0014]所述二维几何图形X、Y方向的长度均为30?200um，相邻两个图形中心距为0.8?2mm ο
[0015]所述正面金属电极与背面金属电极为银电极、铝电极、镍电极、铜电极、合金电极或金属复合电极;正面金属电极与背面金属电极的排布图案为一组平行线段或多组平行线段的组合，线段的宽度为20?2000um，数量为5?100根，线长为2?156mm，相邻线段之间的距离为0.5?50mm。
[0016]局部重惨杂P+区和局部重惨杂N+区的方阻为5?50 Ω /□。
[0017]所述的N型硅基体为N型的单晶硅或者N型多晶硅。
[0018]所述的N型硅基体正面和背表面为金字塔、倒金字塔或纳米/微米多孔结构。
[0019]正面钝化膜为氧化铝、氧化硅、非晶硅中的一种或多种叠层构成，厚度为5?50nm;正面减反射膜为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化钛、碳化硅中的一种或多种叠层构成，减反射膜整体厚度为50?I OOnm;背面的钝化膜为氮化硅、氧化硅、非晶硅、氮氧化硅的中的一种或多种叠层构成，钝化膜整体厚度为5?50nm。
[0020]与现有技术相比，本实用新型具有以下有益的技术效果:
[0021]本实用新型的具有透明电极的N型晶体硅双面太阳能电池结构，采用与硅基体局部接触的透明导电膜作为太阳能电池的正面和背面透明电极，并通过在透明导电膜制作用于导通电流及便于制作电池组金属电极。局部接触区域为重掺杂，以有利于透明导电膜与硅基体形成良好的欧姆接触。本实用新型采用透明导电膜将硅片表层的局部重掺杂区域结合为一个可作为N型晶硅双面电池电极的导电整体，使电池片的受光面积增加了4%?7 %，同时保持了电极良好的导电性，使晶体硅电池的转换效率显著提升。本实用新型使制作太阳能电池电极的金属(银、铜、铝、镍等)使用量大幅降低，避免了金属电极光遮挡造成的功率损失，很好的平衡了晶硅电极光遮挡与导电性之间的两难问题，使电池的转换效率提升、生产成本降低。
[0022]本实用新型提供的一种具有透明电极的N型晶体硅双面太阳能电池结构形成技术，通过激光开模掺杂、二次扩散、离子注入、掩膜刻蚀、掺杂剂涂敷等方法在晶体硅片的正面和背面按特定的图形(可以是栅线状、点状阵列、线段状阵列及其他形状)形成局部重掺杂，透明导电膜在重掺杂区域与硅基体直接接触，金属电极位于透明导电膜之上，透明导电膜将重掺杂区及金属电极连接成为一个可作为N型晶体硅电池正面与背面电极的透明导电组合体。本实用新型所述的局部接触透明导电膜可以替代N型晶体硅双面太阳能电池电极的金属细栅和主栅，或者在优化主栅的情况下替代细栅线。
【附图说明】
[0023]图1是透明导电膜作为正面、背面电极的N型晶硅双面电池剖面示意图。
[0024]图2是透明导电膜协同金属主栅作为正面、背面电极的N型晶硅双面电池剖面示意图。
[0025]图3是点状局部重掺杂分布示意图；
[0026]图4是线段状局部重掺杂分布示意图；
[0027]其中，1、局部重掺杂P+区，2、正面透明导电膜，3、减反射膜/正面钝化膜，4、P型层，
5、N型硅基体，6、背面钝化膜，7、背面透明导电膜，8、局部重掺杂N+区，9、正面金属电极，10、背面金属电极。
【具体实施方式】
[0028]下面结合附图对本实用新型做进一步说明。
[0029]本实用新型一种具有透明电极的N型晶体硅双面太阳能电池，采用与硅基体局部接触的透明导电膜作为太阳能电池的正面和背面透明电极，局部接触区域为重掺杂，以有利于透明导电膜与硅基体形成良好的欧姆接触。通过激光开模掺杂、二次扩散、离子注入、掩膜刻蚀、掺杂剂涂敷等方法在晶体硅片的正面和背面按特定的图形(可以是栅线状、点状阵列、线段状阵列及其他形状)形成局部重掺杂，透明导电膜之上为金属电极，透明导电膜在重掺杂区域与硅基体直接接触，并将重掺杂区及金属电极连接成为一个可作为N型晶体硅电池正面与背面电极的透明导电组合体。本实用新型所述的局部接触透明导电膜可以替代N型晶体硅双面太阳能电池电极的金属细栅和主栅，或者在优化主栅的情况下替代细栅线。
[0030]如图1和图2所不，本实用新型提供的具有透明电极的N型晶体娃双面太阳能电池结构，采用透明导电膜将硅片表层的局部重掺杂区域及金属电极结合为一个可作为N型晶硅双面电池电极的导电整体，其结构自上而下包括:正面金属电极9、正面透明导电膜2、减反射膜/正面钝化膜3、P型层4、N型硅基体5、背面钝化膜6、背面透明导电膜7、背面金属电极
10。采用与硅基体局部接触的透明导电膜作为太阳能电池的正面和背面透明电极，局部接触区域为重掺杂(P+区和N+区)，以有利于透明导电膜与硅基体形成良好的欧姆接触。如图1其中正面与背面的电极可以是透明导电膜，可以是如图2的透明导电膜协同金属主栅线。[0031 ]本实用新型提供的N型晶体硅双面电池制备方法按如下步骤:
[0032](I)将N型晶体娃片进彳丁表面织构化处理，娃片可以是N型单晶娃片、N型多晶娃片，织构处理可以采用化学药液腐蚀、等离子刻蚀、金属催化、激光刻蚀等方法。
[0033](2)在正面与背面分别进行掺杂处理，正面的杂质源可以是BBr3、BF3、B2H6、含硼掺杂剂等，背面的杂质源可以是P0C13、PH3、含磷掺杂剂等，掺杂的方法可以采用低压扩散、常压扩散、离子注入、杂质浆料涂敷加热处理等方式。
[0034](3)刻蚀去掉正面的硼硅玻璃与正面的磷硅玻璃，刻蚀的方法可采用湿法刻蚀、干法刻蚀。
[0035](4)在正面和背面分别沉积或生长5?50nm钝化膜和50?90nm左右的减反射膜，钝化膜和减反射膜可以是氧化硅、氧化铝、氮化硅、氮氧化硅、非晶硅、碳化硅、氧化钛等。
[0036](5)按特定的图形在硅片的正面和背面形成局部重掺杂，重掺杂图形可以是栅线状、点状阵列、线段状阵列及其他图形。如图3和图4所示，其中，栅线状图形可以是任何一种生产实际中使用的受光面电极模板图案；点状图案的直径在50?200um之间，点与点之间的间距在0.8?2mm之间；线段状图案的线宽在40?10um之间，长度在0.05?1.5mm之间，线段在X、Y方向的间距为0.5?2mm。形成局部重掺杂的方法可以采用二次热扩散、激光开模掺杂、局域离子注入、掩膜反刻蚀、掺杂剂局域涂敷等，与此对应，局部重掺杂可以在形成PN结的工序中完成，也可以在刻蚀清洗的工序中完成，还可以与激光掺杂同时完成。
[0037](6)在正面和背面制作透明导电膜，透明导电膜可以是ITO(铟锡氧化物)、ΑΖ0(掺铝氧化锌)、FTO (掺氟氧化锡)、IWO (掺钨氧化铟)、石墨烯、GZO (掺镓氧化锌)等，制作的方法可以采用溅射、印刷、气相沉积、喷涂、旋涂等，透明导电膜的厚度控制在100?500nm。再在正面透明导电膜和背面透明导电膜上分别制作正面金属电极和背面金属电极;正面透明导电膜和背面透明导电膜在重掺杂区域处与硅基体直接接触，并将局部重掺杂区及金属电极连接成为导电组合体。
[0038]下面结合具体实施例，对本实用新型的制备方法进行详细说明:
[0039]实施例1:
[0040](I)将N型单晶硅片于80 °C左右的KOH溶液中异向腐蚀，获得表面金字塔结构；
[0041 ] (2)以BBr3作为杂质，在950°C左右扩散形成80 Ω /□的均匀扩散层；
[0042](3)采用湿法刻蚀去掉硼硅玻璃及背结；
[0043](4)在正面先后沉积25nm左右的氧化铝和80nm左右的氮化硅；
[0044](5)在背面先后沉积30nm左右的氧化硅和80nm左右的氮化硅；
[0045](6)在正面和背面按特定图形分别印刷含硼掺杂剂与含磷掺杂剂，印刷图形采用点状阵列，单个点的直径为50um，点与点之间的间距为0.8mm;
[0046](7)采用激光按步骤(6)中所述的特定图形对掺杂剂进行脉冲加热，使正面的硼原子和背面的磷原子穿透减反射膜及钝化膜向硅基体扩散，在硅片的正面与背面形成点状阵列的局部重掺杂区域；
[0047](8)采用溅射法在正面与背面分别制备10nm的AZO透明导电膜，再在正面透明导电膜和背面透明导电膜上分别制作正面银电极和背面银电极;正面、背面银电极图案由I组等距平行的栅线构成，栅线数量为20根，栅线宽度为20um。正面透明导电膜和背面透明导电膜在重掺杂区域处与硅基体直接接触，并将局部重掺杂区及银电极连接成为可作为N型晶硅电池正面与背面电极的导电组合体。
[0048]实施例2:
[0049](I)采用纳米金属颗粒催化化学刻蚀在N型单晶硅片的表面上形成倒金字塔结构；
[0050](2)在硅片的正面与背面采用离子注入的方法分别掺入硼原子与磷原子，硼源采用BF3，磷源采用PH3，之后进行退火处理；
[0051](3)清洗硅片的正面与背面；
[0052](4)在正面先后沉积20nm左右的氧化铝和80nm左右的氧化硅；
[0053 ] (5)在背面沉积80nm左右的氧化硅；
[0054](6)在正面和背面按特定图形分别喷涂含硼掺杂剂与含磷掺杂剂，喷涂图形采用点状阵列，单个点的直径为lOOum，点与点之间的间距为1.5mm;
[0055](7)采用激光按步骤(6)中所述的特定图形对掺杂剂进行脉冲加热，使正面的硼原子和背面的磷原子穿透减反射膜及钝化膜向硅基体扩散，在硅片的正面与背面形成点状阵列的局部重掺杂区域；
[0056](8)采用溅射法在正面与背面分别制备150nm的ITO透明导电膜，再在正面透明导电膜和背面透明导电膜上分别制作正面银电极和背面银电极;银电极由一组等距平行的细栅线与一组等距平行的主栅线构成，细栅线与主栅线垂直相交。细栅线为30根，截面宽度为30um;主栅为4根，截面宽度为1mm。正面透明导电膜和背面透明导电膜在重掺杂区域处与硅基体直接接触，并将局部重掺杂区及银电极连接成为可作为N型晶硅电池正面与背面电极的导电组合体。
[0057]实施例3:
[0058](I)采用纳米金属颗粒催化化学刻蚀在N型单晶硅片的表面上形成倒金字塔结构；
[0059](2)在硅片正面以BBr3作为杂质，在1000°C左右扩散形成40 Ω/□的均匀扩散层；
[0060](3)在硅片背面以POCl3作为杂质，在800°C左右扩散形成40 Ω/□的均匀扩散层；
[0061](4)在正面和背面的扩散层上按特定的图形分别喷掩膜，掩膜图形采用线段状阵列，线段的长度为50um，宽度为40um，线段与线段之间的间距为0.5mm;
[0062](5)采用湿法刻蚀去掉正面和背面的硼硅玻璃/磷硅玻璃及掩膜，在喷有掩膜的区域形成重掺杂，在没有喷掩膜的区域形成轻掺杂；
[0063](6)在正面和背面分别沉积90nm左右的氧化硅；
[0064](7)采用掩膜及化学药剂腐蚀的方法按步骤(4)中所述的阵列图形对正面和背面的氧化硅进行开孔；
[0065](8)采用溅射法在正面和背面制备10nm的IWO透明导电膜，再在正面透明导电膜和背面透明导电膜上分别制作正面银电极和背面银电极;银电极由10组相互平行的等距平行栅线构成，每组栅线为30根，截面宽度为20um，相邻两组平行栅线之间的间距为2mm。正面透明导电膜和背面透明导电膜在重掺杂区域处与硅基体直接接触，并将局部重掺杂区及银电极连接成为可作为N型晶硅电池正面与背面电极的导电组合体。
[0066]实施例4:
[0067 ] (I)将N型单晶硅片于80 °C左右的NaOH溶液中异向腐蚀，获得表面金字塔结构；
[0068](2)在硅片的正面和背面分别按特定图形印刷硼浆与磷浆，印刷图形为线段状阵列，线段的长度为1.5mm，宽度为lOOum，线段与线段之间的间距为2mm;
[0069](3)在扩散炉中通入BBr3进行低压扩散，在印刷硼浆与磷浆的区域形成重掺杂，在没有印刷硼浆与磷浆的区域形成轻掺杂；
[0070](4)采用湿法刻蚀去掉正面和背面的硼硅玻璃与磷硅玻璃；
[0071 ] (5)在正面先后沉积30nm左右的氧化铝和80nm左右的氮氧化硅；
[0072](6)在背面沉积80nm左右的氮氧化硅；
[0073](7)采用激光按步骤(2)中所述的阵列图形去掉正面和背面重掺区域的减反射膜；
[0074](9)采用化学气相沉积在正面和背面沉积SOnm的石墨烯透明导电膜，再在正面透明导电膜和背面透明导电膜上分别制作正面银电极和背面银电极;银电极由一组等距平行的细栅线与一组等距平行的主栅线构成，细栅线与主栅线垂直相交。细栅线为10根，截面宽度为40um;主栅为5根，截面宽度为1mm。正面透明导电膜和背面透明导电膜在重掺杂区域处与硅基体直接接触，并将局部重掺杂区及银电极连接成为可作为N型晶硅电池正面与背面电极的导电组合体。
[0075]实施例5:
[0076](I)将N型多晶硅片于HF/HN03的溶液体系中进行腐蚀，获得表面织构；
[0077](2)在正面以BBr3作为杂质，在950°C左右扩散形成50 Ω/□的均匀扩散层；
[0078](3)在背面以POCl3作为杂质，在750°C左右扩散形成50 Ω/□的均匀扩散层；
[0079](4)在正面与背面的扩散层上按特定的图形喷掩膜，掩膜图形为栅线状，细栅由100条宽度为30um左右的等间距平行线组成，主栅由5条宽度为Imm的等间距平行线组成，细栅与主栅垂直相交。
[0080](5)采用湿法刻蚀去掉硼硅玻璃、磷硅玻璃及掩膜，在喷有掩膜的区域形成重掺杂，在没有喷掩膜的区域形成轻掺杂；
[0081 ] (6)在正面先后沉积25nm左右的氧化硅和80nm左右的氮化硅；
[0082](7)在背面沉积80nm左右的氮化硅；
[0083](8)采用掩膜及化学药剂腐蚀的方法按步骤(4)中所述的图形去掉正面与背面重掺杂区域的减反射膜及钝化膜；
[0084](9)采用溅射法在正面和背面分别沉积200nm的GZO透明导电膜，该透明导电膜与重掺区的硅基体直接接触形成N型晶硅电池的正面与背面电极。
[0085]实施例6:
[0086](I)采用纳米金属颗粒催化化学刻蚀在N型单晶硅片的表面上形成倒金字塔结构；
[0087](2)在硅片正面和背面按特定的图形喷涂含硼掺杂剂和含磷掺杂剂，喷涂图形为栅线状，细栅由80条宽度为60um左右的等间距平行线组成，主栅由3条宽度为1.5mm的等间距平行线组成，细栅与主栅垂直相交。
[0088](3)在正面以BBr3作为杂质，在950 °C左右扩散形成局域重掺杂的扩散层；
[0089](4)在背面以POCl3作为杂质，在750 °C左右扩散形成局域重掺杂的均匀扩散层；
[0090](5)采用湿法刻蚀去掉正面与背面的硼硅玻璃、磷硅玻璃；
[0091 ] (6)在正面先后沉积35nm左右的氧化铝和70nm左右的氮化硅；
[0092](7)在背面先后沉积35nm左右的氧化硅和70nm左右的氮化硅；
[0093](8)采用激光按步骤(2)中所述的图形去掉正面和背面细栅状重掺杂区域的减反射膜及钝化膜；
[0094](9)采用溅射法在正面和背面分别沉积10nm的AZO透明导电膜；
[0095](10)按主栅状重掺杂区域在正面和背面的透明导电膜上的制作银主栅电极，正面透明导电膜和背面透明导电膜在重掺杂区域处与硅基体直接接触，并将局部重掺杂区及银主栅电极连接成为可作为N型晶硅电池正面与背面电极的导电组合体。
[0096]本实用新型一种具有透明电极的N型晶体硅双面太阳能电池结构，采用与硅基体局部接触的透明导电膜作为太阳能电池的正面和背面透明电极，局部接触区域为重掺杂，以有利于透明导电膜与硅基体形成良好的欧姆接触。本实用新型使制作太阳能电池电极的金属(银、铜、铝、镍等)使用量大幅降低，甚至可以完全不使用金属，避免了金属电极光遮挡造成的功率损失，很好的平衡了晶硅电极光遮挡与导电性之间的两难问题，使电池的转换效率提升、生产成本降低。
[0097]以上所述仅为本实用新型的几种实施方式，不是全部或唯一的实施方式，本领域普通技术人员通过阅读本实用新型说明书而对本实用新型技术方案采取的任何等效的变换，均为本实用新型的权利要求所涵盖。
【主权项】
1.一种具有透明电极的N型晶体硅双面太阳能电池，其特征在于，包括:自上而下依次设置的正面金属电极(9)、正面透明导电膜(2)、减反射膜/正面钝化膜(3)、P型层(4)、N型硅基体(5)、背面钝化膜(6)、背面透明导电膜(7)和背面金属电极(10);所述的P型层(4)表面和N型硅基体(5)背面分别设置有按照规则图案布置的局部重掺杂P+区(I)和局部重掺杂N+区(8)，所述的正面透明导电膜(2)与局部重掺杂P+区(I)直接接触，正面透明导电膜(2)将局部重掺杂P+区(I)及正面金属电极(9)连接成为正面导电组合体;所述的背面透明导电膜(7)与局部重掺杂N+区(8)直接接触，背面透明导电膜(7)将局部重掺杂N+区(8)及背面金属电极(10)连接成为背面导电组合体。2.根据权利要求1所述的一种具有透明电极的N型晶体硅双面太阳能电池，其特征在于，正面金属电极(9)与背面金属电极(10)为银电极、铝电极、镍电极、铜电极、合金电极或金属复合电极;正面金属电极(9)与背面金属电极(10)的排布图案为一组平行线段或多组平行线段的组合，线段的宽度为20?2000um，数量为5?100根，线长为2?156mm，相邻线段之间的距离为0.5?50mm。3.根据权利要求1所述的一种具有透明电极的N型晶体硅双面太阳能电池，其特征在于，正面透明导电膜(2)和背面透明导电膜(7)均为ITO薄膜、AZO薄膜、GZO薄膜、FTO薄膜、IWO薄膜和石墨稀薄膜中的一种或多种叠层构成;透明导电膜的厚度为50?500nm。4.根据权利要求1所述的一种具有透明电极的N型晶体硅双面太阳能电池，其特征在于，局部重掺杂P+区(I)和局部重掺杂N+区(8)均采用阵列图案排布，其图案为一维、二维几何图形或一维与二维几何图形的组合;一维几何图形选自:线段、虚线段、弧线或栅线状;二维几何图形选自:圆形、椭圆形、纺锤形、环形、多边形、多角形或扇形。5.根据权利要求4所述的一种具有透明电极的N型晶体硅双面太阳能电池，其特征在于，所述一维几何图形的线宽为30?10um，长度为0.05?1.5mm;同一行中相邻两个线形的间距为0.5?2mm，同一列中相邻两个线形的间距为0.5?2mm。6.根据权利要求4所述的一种具有透明电极的N型晶体硅双面太阳能电池，其特征在于，所述二维几何图形的尺寸均为30?200um，相邻两个图形中心距为0.8?2mm。7.根据权利要求6所述的一种具有透明电极的N型晶体硅双面太阳能电池，其特征在于，局部重掺杂P+区(I)和局部重掺杂N+区(8)的方阻为5?50 Ω /□。8.根据权利要求1所述的一种具有透明电极的N型晶体硅双面太阳能电池，其特征在于，所述的N型娃基体(5)为N型的单晶娃或者N型多晶娃。9.根据权利要求1所述的一种具有透明电极的N型晶体硅双面太阳能电池，其特征在于，所述的N型硅基体(5)正面和背表面为金字塔、倒金字塔或纳米/微米多孔结构。10.根据权利要求1所述的一种具有透明电极的N型晶体硅双面太阳能电池，其特征在于，正面钝化膜为氧化铝、氧化硅、非晶硅中的一种或多种叠层构成，厚度为5?50nm;正面减反射膜为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化钛、碳化硅中的一种或多种叠层构成，减反射膜整体厚度为50?10nm ；背面的钝化膜为氮化硅、氧化硅、非晶硅、氮氧化硅的中的一种或多种叠层构成，钝化膜整体厚度为5?50nm。
【文档编号】H01L31/0224GK205564767SQ201620285766
【公开日】2016年9月7日
【申请日】2016年4月7日
【发明人】钟宝申, 李华, 赵科雄
【申请人】乐叶光伏科技有限公司