光伏装置的制造方法
【专利摘要】本实用新型提供一种光伏装置，包含光电转换结构、钝化层以及至少一第一导电总线。钝化层是设置于光电转换结构，且钝化层包含至少一开口。第一导电总线是设置于钝化层，且第一导电总线是贯穿钝化层的开口而电性连接光电转换结构。第一导电总线的宽度是小于光电转换结构的一主要元素的扩散距离。如此一来，主要元素于第一导电总线的宽度方向的浓度会迅速达到饱和而转向，因而增加主要元素于第一导电总线与光电转换结构的交界处的浓度，借此形成一较佳的电场作用，故降低电子与空穴的复合机率，从而提高光伏装置的开路电压。
【专利说明】
光伏装置
技术领域
[0001 ]本实用新型是关于一种光伏装置。
【背景技术】
[0002] 近年来，随着环保意识逐渐高涨，再生能源也日益受到重视。其中，光伏装置(亦称 为太阳能电池)具有零污染以及取的不尽、用的不竭的优点，因而成为再生能源领域中受瞩 目的焦点。光伏装置是基于光电效应，将光能转换成电能的装置。当光线照射于光伏装置 时，光伏装置会吸收光能而产生自由的电子-空穴对，随后电子空穴对分离并朝向光伏装置 的负极与正极移动，进而提供负载元件电能。随着光伏产业的发展，如何提升光伏装置的发 电效率，便成为一个重要的课题。 【实用新型内容】
[0003] 本实用新型提供一种光伏装置，其可提高光伏装置的开路电压。
[0004] 依据本实用新型的部分实施方式，一种光伏装置包含光电转换结构、钝化层以及 至少一第一导电总线。钝化层是设置于光电转换结构，且钝化层包含至少一开口。第一导电 总线是设置于钝化层，且第一导电总线是贯穿钝化层的开口而电性连接光电转换结构。第 一导电总线的宽度是小于光电转换结构的一主要元素的扩散距离。
[0005] 依据本实用新型的部分实施方式，其中第一导电总线的宽度是10微米至600微米。
[0006] 依据本实用新型的部分实施方式，其中开口的宽度小于光电转换结构的主要元素 的扩散距离。
[0007] 依据本实用新型的部分实施方式，其中光电转换结构包含一半导体基板，第一导 电总线与半导体基板接触而形成一接触区，接触区的主要元素的浓度大于半导体基板的主 要元素的浓度。
[0008] 依据本实用新型的部分实施方式，一种光伏装置还包含至少一第二导电总线，设 置于钝化层，并电性连接第一导电总线，第一导电总线的长度方向与第二导电总线的长度 方向相交。
[0009] 依据本实用新型的部分实施方式，其中第一导电总线的长度方向与第二导电总线 的长度方向是垂直的。
[0010] 依据本实用新型的部分实施方式，其中至少一第一导电总线的数量为复数，且第 一导电总线是沿着第二导电总线的长度方向间隔排列。
[0011] 依据本实用新型的部分实施方式，一种光伏装置包含光电转换结构、钝化层以及 至少一第一导电总线。钝化层是设置于光电转换结构，且钝化层包含至少一开口，开口的口 径是小于光电转换结构的一主要元素的扩散距离。第一导电总线至少部分地位于开口中而 电性连接光电转换结构。
[0012] 依据本实用新型的部分实施方式，其中开口的口径是10微米至600微米。
[0013]于上述实施方式中，第一导电总线的宽度可小于光电转换结构的主要元素的扩散 距离，使得主要元素的扩散方向可被第一导电总线的宽度限制。或是，钝化层的开口的口径 可小于光电转换结构的一主要元素的扩散距离，使得主要元素的扩散方向会被钝化层的开 口的口径限制。如此一来，主要元素于第一导电总线的宽度方向的浓度会迅速达到饱和而 转向，因而增加主要元素于第一导电总线与光电转换结构的交界处的浓度，借此形成一较 佳的电场作用，故降低电子与空穴的复合机率，从而提高光伏装置的开路电压。
[0014] 以上所述仅是用以阐述本实用新型所欲解决的问题、解决问题的技术手段、及其 产生的功效等等，本实用新型的具体细节将在下文的实施方式及相关附图中详细介绍。
【附图说明】
[0015] 阅读以下详细叙述并搭配对应的附图，可了解本实用新型的多个样态。需留意的 是，附图中的多个特征并未依照该业界领域的标准作法绘制实际比例。事实上，所述的特征 的尺寸可以任意的增加或减少以利于讨论的清晰性。
[0016] 图1为依据本实用新型的部分实施方式的光伏装置的背视图；
[0017] 图2为图1的线段2-2的剖面示意图；
[0018] 图3A为图2局部区域R的扫描式电子照片；
[0019] 图3B为本实用新型的对照组于相对应区域的扫描式电子照片；
[0020] 图4为依据本实用新型的部分实施方式的光伏装置的背视图；
[0021 ]图5为依据本实用新型的部分实施方式的光伏装置的背视图。
【具体实施方式】
[0022] 以下将以附图及详细说明清楚说明本实用新型的精神，任何所属技术领域中具有 通常知识者在了解本实用新型的实施例后，当可由本实用新型所教示的技术，加以改变及 修饰，其并不脱离本实用新型的精神与范围。
[0023] 同时参照图1与图2。图1为依据本实用新型的部分实施方式的光伏装置10的背视 图。图2为图1的线段2-2的剖面示意图。于图1及图2中，光伏装置10包含光电转换结构100、 钝化层200以及第一导电总线300。钝化层200是设置于光电转换结构100,且钝化层200包含 开口 210。第一导电总线300是设置于钝化层200,且第一导电总线300是贯穿钝化层200的开 口 210而电性连接光电转换结构100。第一导电总线300的宽度W1是小于光电转换结构100的 主要元素的扩散距离。于本实施方式的光伏装置10的制造过程中，例如:烧结过程中，第一 导电总线300的原子会往光电转换结构100的方向前进，光电转换结构100的主要元素会等 向性地扩散，亦即光电转换结构1 〇〇的主要元素会朝向各个不同方向等机率地扩散(如图2 所示的主要元素 C，其周围箭头代表此主要元素 C可等向性扩散）。具体而言，光电转换结构 100的主要元素可通过钝化层200的开口 210而往第一导电总线300扩散。由于第一导电总线 300的宽度W1是小于光电转换结构100的主要元素的扩散距离，故主要元素的扩散方向会被 第一导电总线300的宽度W1限制，减少主要元素沿着第一导电总线300的宽度方向D1扩散的 机率。更进一步地说，第一导电总线300具有相对两侧壁302,宽度W1为这两侧壁302的距离， 当主要元素沿着第一导电总线300的宽度方向D1扩散时，由于主要元素的扩散距离大于第 一导电总线300的宽度W1，主要元素扩散至第一导电总线300的侧壁302后，主要元素便迅速 达到饱和状态，故主要元素无法再沿着第一导电总线300的宽度方向D1扩散而转向，故可降 低主要元素沿着第一导电总线300的宽度方向D1的扩散机率，增加主要元素往第一导电总 线300与光电转换结构100的交界处的扩散机率，因而增加主要元素于第一导电总线300与 光电转换结构100的交界处的浓度。如此一来，第一导电总线300与光电转换结构100的交 界处的主要元素浓度会大于光电转换结构100的主要元素浓度，借此产生一电场作用，故可 降低电子与空穴的复合机率，从而提高光伏装置10的开路电压。举例而言，于部分实施方式 中，光电转换结构100为硅基二极体，且第一导电总线300为铝总线。于光伏装置10的烧结过 程中，铝会往硅基二极体的方向钻，而相对地硅会往铝的方向扩散，最终形成铝硅合晶。当 铝总线的宽度小于硅原子的扩散距离时，硅原子的扩散方向会被铝总线的宽度限制，而迅 速达到饱和状态，而于铝硅交界处形成高浓度的铝硅合晶，借此产生一电场作用，故可降低 电子与空穴的复合机率，从而提高光伏装置10的开路电压。值得注意的是，光伏装置10的开 路电压是指光伏装置10于开路(亦即未负载元件)时的电压，开路电压是反应光伏装置10的 发电效率的重要参数之一，且开路电压与发电效率是成正相关。
[0024] 具体而言，于部分实施方式中，如图2所示，光电转换结构100具有上表面102与相 对上表面102的下表面104。第一导电总线300是设置于光电转换结构100的下表面104。于部 分实施方式中，光伏装置10还可包含正面导电总线310,正面导电总线310是设置于光电转 换结构100的上表面102。其中，第一导电总线300与正面导电总线310是分别用以接收不同 电性的载子。举例而言，于部分实施方式中，第一导电总线300可为光伏装置10的负极，而用 以接收电子，且正面导电总线310可为光伏装置10的正极，而用以接收空穴。或者，于部分实 施方式中，第一导电总线300可为光伏装置10的正极，且正面导电总线310可为光伏装置10 的负极。第一导电总线300与正面导电总线310的极性是取决于光电转换结构100所掺杂的 成分，但本实用新型并不以此为限。举例而言，于部分实施方式中，光伏装置10的光电转换 结构100是硅基板且掺杂元素周期表的m族元素，而为P型。当光线照射于光伏装置10时，光 电转换结构100可吸收光能而产生电子空穴对，随后电子空穴会各自分离，而空穴会传导至 光伏装置10的第一导电总线300,且电子会传导至正面导电总线310。在电子与空穴从光电 转换结构100分别传导至光伏装置10的第一导电总线300与正面导电总线310过程中，电子 与空穴可能会因光伏装置10的材料缺陷、介面缺陷、或热缺陷等因素而复合，降低电子及空 穴的收集率。然而，于本实用新型的实施方式中，由于第一导电总线300的宽度W1是小于光 电转换结构100的主要元素(此处即为硅原子）的扩散距离，故可以增加第一导电总线300与 光电转换结构1〇〇的交界处的硅原子浓度，利于在交界处产生电场效应(field effect)，帮 助空穴传导至第一导电总线300,且防止电子传导至第一导电总线300,从而帮助电子传导 至正面导电总线310,以利于电子与空穴的收集。
[0025] 相似地，于部分实施方式中，光伏装置10的光电转换结构100是硅基板且掺杂元素 周期表的IV族原素，而为N型。当光线照射于光伏装置10时，光电转换结构100吸收光能而产 生电子空穴对，随后电子空穴会各自分离，而电子会传导至光伏装置10的第一导电总线 300,且空穴会传导至正面导电总线310。在电子与空穴从光电转换结构100分别传导至光伏 装置10的正面导电总线310与第一导电总线300过程中，电子与空穴可能会因光伏装置10的 材料缺陷、介面缺陷、或热缺陷等因素而复合，降低电子及空穴的收集率。然而，于本实用新 型的实施方式中，由于第一导电总线300的宽度W1是小于光电转换结构100的主要元素(此 处即为硅原子）的扩散距离，故可以增加第一导电总线300与光电转换结构100的交界处的 硅原子浓度，利于在交界处产生电场效应，帮助电子传导至第一导电总线300,且防止空穴 传导至第一导电总线300,而帮助空穴传导致正面导电总线310,以利于电子与空穴的收集。 [0026]具体而言，于部分实施方式中，第一导电总线300的宽度W1是10微米至600微米。举 例而言，于部分实施方式中，光电转换结构100包含P型掺杂硅基板，其主要元素为硅原子， 其硅原子的扩散距离为600微米。第一导电总线300是用以接收空穴，且正面导电总线310是 用以接收电子。如此一来，当第一导电总线300的宽度W1是10微米至600微米，则第一导电总 线300便可限制硅原子沿着第一导电总线300的宽度方向D1的扩散距离，减少硅原子沿着第 一导电总线300的宽度方向D1的扩散机率，进而增加第一导电总线300与光电转换结构100 的交界处的硅原子浓度，利于产生较佳的电场效应，而帮助空穴传导至第一导电总线300， 亦可防止电子传导至第一导电总线300而复合。也就是说，光电转换结构100在邻近第一导 电总线300的一端具有较光电转换结构100高的硅原子浓度，此硅原子浓度差异可产生较佳 的内建电场，利于增加电子与空穴的收集率。此处较佳的内建电场是指相较于对照组(亦即 第一导电总线的宽度W1是远大于主要元素的扩散浓度的光伏装置)具有较深的背面电场 (Back Surface Field;BSF)〇
[0027] 参照图3A及图3B。图3A为图2局部区域R于翻转180°的扫描式电子照片。图3B为本 实用新型的对照组于相对应区域的扫描式电子照片，此处的对照组是指第一导电总线300 的宽度W1是远大于主要元素的扩散距离。举例而言，于部分实施方式中，光电转换结构100 可为硅基板，且第一导电总线300可为铝。如图3A所示，第一导电总线（铝）是位于光电转换 结构(硅基板)之上，第一导电总线(铝)是贯穿钝化层的开口而与光电转换结构(硅基板)连 接，且第一导电总线与光电转换结构交接处(铝-硅交接处)具有如箭头所示的亮度较暗的 区域，此一较暗的区域即为硅原子浓度较高的区域，又称为背面电场区域。参照第3A及3B 图，本实用新型的实施方式的光伏装置的背面电场的深度较对照组的光伏装置的背面电场 深度来得深。由此可知，于本实用新型的实施方式中，第一导电总线300的宽度W1大于光电 转换结构100的主要元素的扩散浓度，利于产生较佳的背面电场(亦即较深的背面电场），从 而降低电子与空穴的复合机率，增加光伏装置10的钝化效果。
[0028] 下表列举出依据本实用新型的实施方式的光伏装置10与对照组的光伏装置的背 面电场深度与开路电压值。
[0029]
[0030]在对照组的光伏装置中，第一导电总线的宽度W1是远大于光电转换结构的主要元 素的扩散距离。本实用新型的实施方式的光伏装置的第一导电总线的宽度W1(举例而言，宽 度W1为10~600微米)是小于主要元素的扩散距离。由上表可知，当第一导电总线的宽度W1 是小于光电转换结构的主要元素的扩散距离时，光伏装置具有较对照组深的背面电场深 度，其背面电场的平均深度为3.7微米。当第一导电总线的宽度W1是远大于光电转换结构的 主要元素的扩散距离时，对照组的光伏装置的背面电场的平均深度为2.0微米。值得注意的 是，本实用新型的实施方式的光伏装置因其具有较深的背面电场，所以可以降低电子与空 穴的复合机率，增加光伏装置的钝化效果，其钝化效果可反应于光伏装置的开路电压值。如 上表所示，本实用新型的光伏装置的平均开路电压为666毫伏特，而对照组的光伏装置的平 均开路电压为660毫伏特。由此可知，于本实用新型的实施方式中，第一导电总线300的宽度 W1大于光电转换结构100的主要元素的扩散浓度，利于降低电子与空穴的复合机率，从而增 加光伏装置的开路电压。
[0031]于部分实施方式中，如图2所示，光电转换结构100包含半导体基板110,第一导电 总线300是与半导体基板110接触而形成接触区112于两者的交界，接触区112的主要元素浓 度大于半导体基板110的主要元素浓度。如此一来，可避免半导体基板110的少数载子朝向 接触区112移动，故可降低电子与空穴的复合机率，从而增加电子空穴的收集效率。举例而 言，于部分实施方式中，半导体基板110可为Ρ型硅半导体基板110，其主要元素为硅原子，当 第一导电总线300与Ρ型硅半导体基板110接触后，Ρ型硅半导体基板110的硅原子会朝向第 一导电总线300移动，而于接触区112形成硅原子浓度较高的区域，从而阻止电子朝第一导 电总线300前进，降低电子与空穴的复合机率，以增加电子空穴的收集效率。
[0032]于部分实施方式中，钝化层200的开口 210的宽度W2是小于光电转换结构100的主 要元素的扩散距离。也就是说，当第一导电总线300通过开口 210贯穿钝化层200而电性连接 光电转换结构100时，开口 210的宽度W2会限制第一导电总线300与光电转换结构100所接触 区域的一维宽度。具体而言，于光伏装置10的制造过程中，光电转换结构100的主要元素沿 着开口 210的宽度方向D1扩散的机率会降低，进而减少主要元素沿着第一导电总线300的宽 度方向D1扩散的机率，帮助增加第一导电总线300与光电转换结构100的交界处的主要元素 的浓度。如此一来，第一导电总线300与光电转换结构100的交界处的主要元素的浓度会大 于光电转换结构100的主要元素浓度，借此避免光电转换结构100的少数载子朝向交界处移 动，故可降低电子与空穴的复合机率，从而增加光伏装置10的开路电压。
[0033] 于部分实施方式中，开口210可为圆孔或椭圆孔，而在这样的实施方式中，开口210 的宽度W2即为此圆孔或椭圆孔的口径。开口 210的口径是小于光电转换结构100的一主要元 素的扩散距离。第一导电总线300至少部分地位于开口 210中而电性连接光电转换结构 100。换句话说，于部分实施方式中，钝化层200的开口210的口径是小于光电转换结构100的 主要元素的扩散距离。也就是说，当第一导电总线300至少部分地位于开口 210中而电性连 接光电转换结构1 〇〇时，开口 210的口径会限制第一导电总线300与光电转换结构100所接触 区域的一维宽度W1。具体而言，于光伏装置10的制造过程中，光电转换结构100的主要元素 沿着开口 210的口径方向扩散的机率会降低，进而减少主要元素沿着第一导电总线300的宽 度方向D1扩散的机率，帮助增加第一导电总线300与光电转换结构100的交界处的主要元素 的浓度。如此一来，第一导电总线300与光电转换结构100的交界处的主要元素的浓度会大 于光电转换结构100的主要元素浓度，借此避免光电转换结构100的少数载子朝向交界处移 动，故可降低电子与空穴的复合机率，从而增加光伏装置10的开路电压。
[0034]于部分实施方式中，如图2所示，光伏装置10的钝化层200的开口 210的口径是10微 米至600微米。举例而言，于部分实施方式中，光电转换结构100包含Ρ型掺杂硅基板，其主要 元素为硅原子，其硅原子的扩散距离为600微米。第一导电总线300是用以接收空穴，且正面 导电总线310是用以接收电子。当钝化层200的开口 210的口径是10微米至600微米时，则第 一导电总线300与光电转换结构100所接触区域的一维宽度W1是10微米至600微米之间。如 此一来，光电转换结构100的空穴沿着开口 210的口径方向扩散的机率会降低，进而减少空 穴沿着第一导电总线300的宽度方向D1扩散的机率，帮助增加第一导电总线300与光电转换 结构100的交界处的硅原子的浓度，利于产生较佳的电场效应，帮助空穴传导至第一导电总 线300,亦可防止电子传导至第一导电总线300而复合。也就是说，光电转换结构100在邻近 第一导电总线300的一端具有较光电转换结构100高的硅原子浓度，此硅原子浓度差异可产 生较佳的内建电场，利于增加电子与空穴的收集率。
[0035]参照图4,图4为依据本实用新型的另一实施方式的光伏装置10a的背视图。如图4 所示，光伏装置l〇a还包含第二导电总线320,第二导电总线320是设置于钝化层200,并电性 连接第一导电总线300,第一导电总线300的长度方向D2与第二导电总线320的长度方向D3 相交。也就是说，第二导电总线320与第一导电总线300是相交，而彼此电性连接。如此一来， 电子或空穴可通过第一导电总线300沿着长度方向D2传导。相似地，电子或空穴可通过第 二导电总线320沿着长度方向D3传导。如此一来，当第一导电总线300的长度方向D2与第二 导电总线320的长度方向D3是相交时，可减少电子或空穴的传导途径的限制，利于电子或空 穴传导，帮助降低光伏装置10的电阻。于部分实施方式中，第二导电总线320的宽度W3是大 于第一导电总线300的宽度W1。于部分实施方式中，第二导电总线320的电阻是小于第一导 电总线300的电阻。于部分实施方式中，第二导电总线320的材料可为金属或其他低电阻材 料，以利于载子的传导。举例而言，于部分实施方式中，第二导电总线320的材料可为铝、银 或银铝，但本实用新型不以此为限至。
[0036]于部分实施方式中，如图4所示，第一导电总线300的数量为复数，且第一导电总线 300是沿着第二导电总线320的长度方向D3间隔排列。具体而言，如图4所示，第一导电总线 300是设置于钝化层200,且第一导电总线300是沿着第二导电总线320的长度方向D3间隔排 列于钝化层200。换句话说，第一导电总线300是部分覆盖钝化层200,亦即钝化层200的一部 分是裸露的而未被覆盖。钝化层200的未被覆盖的部分可提供光电转换结构100良好的钝化 效果，利于减少钝化层200与光电转换结构100的介面缺陷，帮助减少电子与空穴的复合机 率。于部分实施方式中，第一导电总线300的数量是可调整的，以调整光伏装置10a的电阻与 钝化层200的未被覆盖的比率。如此一来，可通过调整第一导电总线300的数量，以减少光伏 装置l〇a的电能损失与介面缺陷。于部分实施方式中，第一导电总线300的材料可为金属或 低电阻率材料，以利于载子的传导。举例而言，于部分实施方式中，第一导电总线300可为 错。
[0037]于部分实施方式中，如图4所示，第一导电总线300的长度方向D2与第二导电总线 320的长度方向D3是垂直的。具体而言，如图4所示，第一导电总线300与第二导电总线320是 相交的，且第一导电总线300与第二导电总线320于相交处是呈一垂直的夹角。如此一来，可 减少位于钝化层200的电子或空穴迀移至第一导电总线300与第二导电汇流320的平均路径 长度，利于减少光伏装置l〇a的电阻，进而减少光伏装置的电能损失。
[0038]于部分实施方式中，如图4所示，第二导电总线320的数量为复数，且第二导电总线 320是沿着第一导电总线300的长度方向D2间隔排列。于部分实施方式中，第二导电总线320 的数量是可调整的，以调整光伏装置1 〇a的电阻与钝化层200的未被覆盖的比率。如此一来， 可通过调整第二导电总线320的数量，以减少光伏装置10a的电能损失与介面缺陷。举例而 言，当第二导电总线320的数量越多时，其光伏装置10a的电能损失亦会减少，从而增加光伏 装置l〇a的电流。此外，于制造光伏模块时，亦可使用导电带(未绘示于本案)连接光伏装置 l〇a的第二导电总线320与另一光伏装置10a的第二导电总线320。
[0039] 参照图5,图5为依据本实用新型的另一实施方式的光伏装置10b的背视图。如图5 所示，本实施方式与前述实施方式的主要差异在于:第二导电总线320a于长度方向D3是互 相分离的。也就是说，第二导电总线320a于长度方向D3是不连续的。于长度方向D3不连续的 第二导电总线320a可减少钝化层200a被覆盖的比率，以增加光伏装置10b的钝化效果。此 外，第二导电总线320a于长度方向D3是互相分离的，可利于减少第二导电总线320a的材料 用量，从而降低光伏装置l〇b的成本。
[0040] 虽然本实用新型已以实施方式揭露如上，然其并非用以限定本实用新型，任何熟 悉此技艺者，在不脱离本实用新型的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰，因此本实用 新型的保护范围当视所附的权利要求书所界定的范围为准。
【主权项】
1. 一种光伏装置，其特征在于，包含： 一光电转换结构； 一钝化层，设置于该光电转换结构，该钝化层包含至少一开口；以及 至少一第一导电总线，设置于该钝化层，该第一导电总线贯穿该开口而电性连接该光 电转换结构，且该第一导电总线的宽度是小于该光电转换结构的一主要元素的一扩散距 离。2. 根据权利要求1所述的光伏装置，其特征在于，该第一导电总线的宽度是10微米至 600微米。3. 根据权利要求1所述的光伏装置，其特征在于，该开口的宽度小于该光电转换结构的 该主要元素的该扩散距离。4. 根据权利要求1所述的光伏装置，其特征在于，该光电转换结构包含一半导体基板， 该第一导电总线与该半导体基板接触而形成一接触区，该接触区的主要元素的一浓度大于 该半导体基板的主要元素的一浓度。5. 根据权利要求1所述的光伏装置，其特征在于，还包含至少一第二导电总线，设置于 该钝化层，并电性连接该第一导电总线，该第一导电总线的一长度方向与该第二导电总线 的一长度方向相交。6. 根据权利要求5所述的光伏装置，其特征在于，该第一导电总线的该长度方向与该第 二导电总线的该长度方向是垂直的。7. 根据权利要求5所述的光伏装置，其特征在于，该至少一第一导电总线的数量为复 数，且所述第一导电总线是沿着该第二导电总线的该长度方向间隔排列。8. 根据权利要求5所述的光伏装置，其特征在于，该至少一第二导电总线的数量为复 数，且所述第二导电总线是沿着该第一导电总线的该长度方向间隔排列。9. 一种光伏装置，其特征在于，包含： 一光电转换结构； 一钝化层，设置于该光电转换结构，该钝化层包含至少一开口，该开口的口径是小于该 光电转换结构的一主要元素的一扩散距离；以及 至少一第一导电总线，至少部分地位于该开口中而电性连接该光电转换结构。10. 根据权利要求9所述的光伏装置，其特征在于，该开口的口径是10微米至600微米。
【文档编号】H01L31/042GK205564774SQ201620328157
【公开日】2016年9月7日
【申请日】2016年4月19日
【发明人】廖重期, 童智圣, 蔡惟鼎, 邱彦凱, 林纲正, 黄桂武
【申请人】昱晶能源科技股份有限公司