一种氧化铍陶瓷基板80瓦20dB衰减片的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种氧化铍陶瓷基板80瓦20dB衰减片，其包括一氧化铍基板，氧化铍基板背面无电路非金属化，氧化铍基板正面设有输入电极、输出电极、第一膜状电阻、第二膜状电阻、第三膜状电阻、第四膜状电阻、第一接地导线、第二接地导线、第三接地导线、第四接地导线、第五接地导线、第六接地导线、第七接地导线和第八接地导线，输入电极、第一膜状电阻、第二膜状电阻、第三膜状电阻、第四膜状电阻和输出电极依次串联，第一膜状电阻的输入端连接有第一焙银，第四膜状电阻的输出端连接有第二焙银。本实用新型结构简单，使用方便，体积小，衰减平坦度好阻值精度和衰减精度高，重复性好，性能稳定可靠，安装方便，无铅环保，能够满足目前3G和4G网络的应用要求。
【专利说明】
一种氧化铍陶瓷基板80瓦20dB衰减片
技术领域
[0001]本实用新型涉及一种氧化铍陶瓷基板衰减片，特别涉及一种氧化铍陶瓷基板80瓦20dB的衰减片。
【背景技术】
[0002]氧化铍陶瓷基板80瓦20dB的衰减片是同轴固定衰减器芯片的一种，广泛应用在微波通讯、雷达等设备中。衰减器是一个功率消耗和电路匹配元件，要求对两端电路的影响越小越好。目前市场上针对大功率的衰减片其衰减精度少数能达到4GHz，要做到6GHz等更高频率非常困难。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型为了解决上述问题，从而提供一种氧化铍陶瓷基板80瓦20dB的衰减片。
[0004]为达到上述目的，本实用新型的技术方案如下:
[0005]—种氧化铍陶瓷基板80瓦20dB衰减片，所述氧化铍陶瓷基板80瓦20dB衰减片包括一氧化铍基板，所述氧化铍基板背面无电路非金属化，所述氧化铍基板正面设有输入电极、输出电极、第一膜状电阻、第二膜状电阻、第三膜状电阻、第四膜状电阻、第一接地导线、第二接地导线、第三接地导线、第四接地导线、第五接地导线、第六接地导线、第七接地导线和第八接地导线，输入电极、第一膜状电阻、第二膜状电阻、第三膜状电阻、第四膜状电阻和输出电极依次串联，第一接地导线和第二接地导线对称设置在第一膜状电阻两端，第三接地导线和第四接地导线对称设置在第二膜状电阻的两端，第五接地导线和第六接地导线对称设置在第三膜状电阻两端，第七接地导线和第八接地导线对称设置在第四膜状电阻两端，所述第一膜状电阻的输入端连接有第一焙银，所述第四膜状电阻的输出端连接有第二焙银。
[0006]在本实用新型的一个优选实施例中，所述第一膜状电阻、第二膜状电阻、第三膜状电阻和第四膜状电阻分别通过激光调阻机进行激光调阻，所述第一膜状电阻的输入端和第四膜状电阻的输出端分别与接地端的阻抗为50±1 Ω。
[0007]在本实用新型的一个优选实施例中，所述氧化铍基板体积为61*25.4*1.2mm。
[0008]在本实用新型的一个优选实施例中，所述第一膜状电阻、第二膜状电阻、第三膜状电阻和第四膜状电阻分别通过厚膜工艺制成，所述氧化铍陶瓷基板80瓦20dB衰减片的特性阻抗为50Ω、频率为4GHz、功率容量为100W。
[0009]在本实用新型的一个优选实施例中，所述第一膜状电阻、第二膜状电阻、第三膜状电阻和第四膜状电阻对称设置在氧化铍基板的中心位置。
[0010]本实用新型的有益效果是:
[0011]本实用新型结构简单，使用方便，体积小，衰减平坦度好阻值精度和衰减精度高，重复性好，性能稳定可靠，安装方便，无铅环保，能够满足目前3G和4G网络的应用要求。
[0012]本实用新型可广泛应用于航空、航天、雷达、电台、广播通讯等设备领域隔离器、环形器等微波产品的生产。
【附图说明】
[0013]为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0014]图1为本实用新型的结构示意图。
【具体实施方式】
[0015]为了使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体图示，进一步阐述本实用新型。
[0016]参见图1，本实用新型提供的氧化铍陶瓷基板80瓦20dB衰减片，其包括一氧化铍基板 100 O
[0017]氧化铍基板100的体积具体为61*25.4*1.2mm，其背面无电路非金属化，在其正面设有输入电极200、输出电极300、第一膜状电阻410、第二膜状电阻420、第三膜状电阻430、第四膜状电阻440、第一接地导线510、第二接地导线520、第三接地导线530、第四接地导线540、第五接地导线550、第六接地导线560、第七接地导线570和第八接地导线580。
[0018]输入电极200与第一膜状电阻410的输入端连接，第一膜状电阻410的输出端与第二膜状电阻420的输入端连接，第二膜状电阻420的输出端与第三膜状电阻430的输入端连接，第三膜状电阻430的输出端与第四膜状电阻440的输入端连接，第四膜状电阻440的输出端与输出电极300连接。
[0019]这样输入电极200、第一膜状电阻410、第二膜状电阻420、第三膜状电阻430、第四膜状电阻440和输出电极300可形成一卡片式衰减网络，当信号通过第一膜状电阻400输入端进入到厚膜电路衰减片后，可通过第一膜状电阻410、第二膜状电阻420、第三膜状电阻430和第四膜状电阻440对功率进行逐级吸收，最后通过第四膜状电阻440输出端输出实际所需要的信号。
[0020]第一膜状电阻410的输入端具体连接有第一焙银600，第四膜状电阻440的输出端具体连接有第二焙银700。
[0021]另外，输入电极200、第一膜状电阻410、第二膜状电阻420、第三膜状电阻430、第四膜状电阻440和输出电极300整体为对称状。
[0022]在第一膜状电阻410的两端连接有相对称的第一接地导线510和第二接地导线520，第一膜状电阻410通过第一接地导线510和第二接地导线520接地导通。
[0023]在第二膜状电阻420的两端连接有相对称的第三接地导线530和第四接地导线540，第二膜状电阻420通过第三接地导线530和第四接地导线540接地导通。
[0024]第三膜状电阻430的两端连接有相对称的第五接地导线550和第六接地导线560，第三膜状电阻430通过第五接地导线550和第六接地导线560接地导通。
[0025]第四膜状电阻440的两端连接有相对称的第七接地导线570和第八接地导线580，第四膜状电阻440通过第七接地导线570和第八接地导线580接地导通。
[0026]第一膜状电阻410、第二膜状电阻420、第三膜状电阻430和第四膜状电阻440具体通过厚膜工艺制成，第一膜状电阻410、第二膜状电阻420、第三膜状电阻430和第四膜状电阻440分别通过激光调阻机进行激光调阻，第一膜状电阻410的输入端和第四膜状电阻440的输出端分别与接地端的阻抗为50± I Ω，这样使得厚膜电路衰减片的特性阻抗为50 Ω、频率为4GHz、功率容量为100W。
[0027]第一膜状电阻410、第二膜状电阻420、第三膜状电阻430和第四膜状电阻440具体分别对称设置在氧化铍基板100的中心位置，并且输入电极200、第一膜状电阻410、第二膜状电阻420、第三膜状电阻430、第四膜状电阻440和输出电极300形成的卡片式衰减网络也为对称结构，这样使得厚膜电路衰减片的衰减电路处于一个完全对称的状态，这样使得厚膜电路衰减片的衰减平坦度好，阻值精度和衰减精度高，重复性好。
[0028]以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
【主权项】
1.一种氧化铍陶瓷基板80瓦20dB衰减片，其特征在于，所述氧化铍陶瓷基板80瓦20dB衰减片包括一氧化铍基板，所述氧化铍基板背面无电路非金属化，所述氧化铍基板正面设有输入电极、输出电极、第一膜状电阻、第二膜状电阻、第三膜状电阻、第四膜状电阻、第一接地导线、第二接地导线、第三接地导线、第四接地导线、第五接地导线、第六接地导线、第七接地导线和第八接地导线，输入电极、第一膜状电阻、第二膜状电阻、第三膜状电阻、第四膜状电阻和输出电极依次串联，第一接地导线和第二接地导线对称设置在第一膜状电阻两端，第三接地导线和第四接地导线对称设置在第二膜状电阻的两端，第五接地导线和第六接地导线对称设置在第三膜状电阻两端，第七接地导线和第八接地导线对称设置在第四膜状电阻两端，所述第一膜状电阻的输入端连接有第一焙银，所述第四膜状电阻的输出端连接有第二焙银。2.根据权利要求1所述的一种氧化铍陶瓷基板80瓦20dB衰减片，其特征在于，所述第一膜状电阻、第二膜状电阻、第三膜状电阻和第四膜状电阻分别通过激光调阻机进行激光调阻，所述第一膜状电阻的输入端和第四膜状电阻的输出端分别与接地端的阻抗为50±1 Ω。3.根据权利要求1所述的一种氧化铍陶瓷基板80瓦20dB衰减片，其特征在于，所述氧化铍基板体积为61*25.4*1.2mm。4.根据权利要求1所述的一种氧化铍陶瓷基板80瓦20dB衰减片，其特征在于，所述第一膜状电阻、第二膜状电阻、第三膜状电阻和第四膜状电阻分别通过厚膜工艺制成，所述氧化铍陶瓷基板80瓦20dB衰减片的特性阻抗为50 Ω、频率为4GHz、功率容量为100W。5.根据权利要求1所述的一种氧化铍陶瓷基板80瓦20dB衰减片，其特征在于，所述第一膜状电阻、第二膜状电阻、第三膜状电阻和第四膜状电阻对称设置在氧化铍基板的中心位置。
【文档编号】H01P1/22GK205564937SQ201521083951
【公开日】2016年9月7日
【申请日】2015年12月22日
【发明人】周敏, 戴林华, 周蕾
【申请人】上海华湘计算机通讯工程有限公司