一种多芯片单搭混装堆叠夹芯封装结构的制作方法

文档序号:10896697
一种多芯片单搭混装堆叠夹芯封装结构的制作方法
【专利摘要】本实用新型涉及一种多芯片单搭混装堆叠夹芯封装结构,它包括第一引线框(21)、第二引线框(22)、第三引线框(23)、第一芯片(24)和第二芯片(25),所述第一芯片(24)夹设在第一引线框(21)与第二引线框(22)之间,所述第一芯片(24)背面配置于所述第一引线框(21)上,所述第二芯片(25)夹设在第二引线框(22)与第三引线框(23)之间,所述第二芯片(25)正面配置于所述第一上水平段(221)上,所述第一引线框(21)下表面和第一下水平段(223)下表面齐平且暴露于塑封料之外。本实用新型的有益效果是:具有较低的封装电阻和封装电感,具有较好的散热性,整条产品一体成型,生产效率高。
【专利说明】
一种多芯片单搭混装堆叠夹芯封装结构
技术领域
[0001 ]本实用新型涉及一种多芯片单搭混装堆叠夹芯封装结构,属于半导体封装技术领域。
【背景技术】
[0002]近年来,随着电子产品对功率密度不断的追求,无论是D1de(二级管)还是Transistor (三极管)的封装,尤其是Transistor中的MOS产品正朝着更大功率、更小尺寸、更快速、散热更好的趋势在发展。封装的一次性制造方式也由单颗封装技术慢慢朝向小区域甚至更大区域的高密度高难度低成本一次性封装技术冲刺与挑战。
[0003]因此,也对MOS产品的封装在寄生的电阻、电容、电感等的各种电性能、封装的结构、封装的热消散性能力、封装的信赖性方面以及高难度一次性封装技术方面有了更多的要求。
[0004]传统的D1de(二级管)以及Transistor(三极管)或是MOS产品的封装一般依据产品特性、功率的不同以及成本的考虑因素,利用了金线、银合金线、铜线、铝线以及铝带的焊线方式作为芯片与内引脚的主要的互联技术,从而实现电气连接。然而焊线的技术方式对产品的性能存在了以下几个方面的限制与缺陷:
[0005]—、封装与制造方面的限制与缺陷:
[0006]I)、焊接能力(Bondability)方面:常常会因为金属丝材料、金属引脚材料的变化以及设备与工具的参数片变化、性能与精度的变化以及保养与校正管理而造成的第一焊点以及第二焊点结合面的虚焊、脱落、断点、颈部裂缝、塌线以及短路等种种的困扰,导致了封装良率无法提升、成本无法下降、可靠性的不稳定;
[0007]2)、一次性高密度封装技术方面:传统的互联方式几乎都是在矩阵型金属引线框上采用单颗芯片一颗一颗芯片重复进行装片、金属丝采高温超声一根线一根线的焊接方式。而这样情况下无论是专业的装片机、球焊打线机、键合铝线/铝带机或是铜片搭接机等机器设备再高速的重复动作都无法提升生产效率、无法降低单位成本,也因为设备不断的提升生产速度同样的也提升了制造的不稳定性。
[0008]二、封装产品的特性能方面的限制与缺陷:
[0009]I)、热消散方面:传统的D1de(二级管)以及Transistor(三极管)或是MOS的封装产品,一般都是由塑封料包覆、只留外部引脚暴露在塑封体之外,由于塑封料本身不是一种热导的物质,所以传统的D1de(二级管)以及Transistor(三极管)或是MOS产品在工作时所产生的热量很难通过塑封料消散出塑封料物质的封装体,只能依靠细细的金属丝互联在金属引脚材料来帮助热能的消散,但是这种热消散的途径对热的消散能力是非常有限的,反而形成热消散的阻力;
[0010]2)、电阻率(Resi stivity)方面:大家都知道电阻率(resistivity)是用来表示各种物质电阻特性的物理量。在温度一定的情况下,有公式R=pl/s其中的P就是电阻率,I为材料的长度,s为面积。可以看出,材料的电阻大小正比于材料的长度,而反比于其面积。由上式可知电阻率的定义:P=Rs/l。传统的D1de (二级管)以及Transistor(三极管)或是MOS的封装产品,采用焊线形成互联,由此可清楚的知道用来执行电源或是信号的金属丝会因为,导体材料的长度与截面积的变化而影响到电阻率的大小以及接触电阻的损耗,尤其是应用在功率方面的广品影响更是明显。
[0011 ] 为解决上述问题,业界对传统的D1de (二级管)以及Transistor(三极管)或是MOS的封装产品进行了改进,用金属带、金属夹板代替焊线,来降低封装电阻、电感与期望改善热消散的能力。
[0012]如图1所示,为一种现有的MOS堆叠封装结构,此结构中引线框11包含管芯焊盘和引脚,在引线框11的管芯焊盘上植入第一芯片12。第一芯片12的源极通过第一金属夹板14电耦合至引脚,第一芯片12的栅极通过第一金属焊线16电耦合至引脚。然后在第一金属夹板14上植入第二芯片13,第二芯片13的源极通过第二金属夹板15电耦合至引脚,第二芯片13的栅极通过第二金属焊线17电耦合至引脚。再进行包封、切割、测试等后续工序。此MOS封装结构用金属夹板取代了传统MOS封装中的焊线,降低了部分封装电阻,但是还是存在以下缺陷:首先,此MOS封装结构中芯片的漏极、源极和栅极与引线框形成互联分别要用到不同的设备,制程复杂,设备的购置成本较高;其次,此MOS封装结构在把金属夹板和金属焊线耦合至芯片和引脚上时,只能一颗颗芯片进行,无法整条一体成型,制造效率较低。
【实用新型内容】
[0013]本实用新型所要解决的技术问题是针对上述现有技术提供一种多芯片单搭混装堆叠夹芯封装结构,其工艺简单,生产成本较低,具有较低的封装电阻和封装电感,具有较好的散热性,整条产品可一体成型,生产效率高。
[0014]本实用新型解决上述问题所采用的技术方案为:一种多芯片单搭混装堆叠夹芯封装结构,它包括第一引线框、第二引线框、第三引线框、第一芯片和第二芯片,所述第二引线框和第三引线框呈Z形,所述Z形的第二引线框包括第一上水平段、第一中间连接段和第一下水平段,所述Z形的第三引线框包括第二上水平段、第二中间连接段和第二下水平段,所述第一芯片夹设在第一引线框与第一上水平段之间,所述第一芯片背面配置于所述第一引线框上,所述第一芯片的背面和正面分别通过锡膏与第一引线框和第一上水平段电性连接,所述第二芯片夹设在第一上水平段与第二上水平段之间,所述第二芯片正面配置于所述第一上水平段上,所述第二芯片的正面和背面分别通过锡膏与第一上水平段和第二上水平段电性连接,所述第一引线框、第二引线框和第三引线框外包封有塑封料,所述第一引线框下表面和第一下水平段下表面齐平且均暴露在塑封料之外,所述第二下水平段下表面搭设在第一引线框上表面上。
[0015]所述第一引线框、第二引线框和第三引线框的材质可以为合金铜材、纯铜材、铝镀铜材、锌镀铜材、镍铁合金材,也可以为其它CTE范围是8*10~-6/°C?25*10~-6/°C的导电材质。
[0016]所述第一芯片和第二芯片为可以与金属锡结合的二极芯片、三极芯片或多极芯片。
[0017]所述第一芯片也可正面配置于所述第一引线框上,此时所述第二芯片背面配置于所述第一上水平段上。
[0018]与现有技术相比,本实用新型的优点在于:
[0019]1、本实用新型一种多芯片单搭混装堆叠夹芯封装结构的第二引线框与第三引线框直接与MOS芯片的源极和栅极形成电性连接,取代了传统MOS芯片封装中利用金属焊线形成互联的工艺,充分减少了封装电阻,本实用新型的技术可以比传统封装设计的封装电阻降低至少30%以上;
[0020]2、本实用新型一种多芯片单搭混装堆叠夹芯封装结构的第二引线框与第三引线框直接通过锡膏与MOS芯片的源极和栅极形成电性连接,完全减免了金属焊线的互联工序,完全节省了金属焊线互联工序的设备购置、工序材料等成本。且本实用新型的第二引线框和第三引线框都为整条一体成型的,与芯片形成电性连接也是整条一步完成,与传统金属焊线、金属片互联一个个芯片形成互联的工艺相比,工艺较为简单,生产效率有了明显的提尚;
[0021]3、本实用新型的一种多芯片单搭混装堆叠夹芯封装结构由于芯片上下两个表面都直接与引线框相接触,芯片工作时产生的热量可通过引线框散出,且本实用新型的第一引线框下表面直接暴露在塑封料之外,本实用新型的多芯片单搭混装堆叠夹芯封装结构具有较好的散热性能;而且本实用新型可再依据产品功率、导热或是散热的不同自由的在引线框上外加散热器,用以进一步增加产品热消散的能力;
[0022]4、本实用新型的一种多芯片单搭混装堆叠夹芯封装结构使用上下压板压住整体框架进行回流焊,使得框架在回流焊时不易被锡膏受热熔解后的冷却过程的凝聚所顶起,保证框架结构的总高度,防止芯片的移动或旋转,并且能确保框架暴露外脚的共面性。
【附图说明】
[0023]图1为一种已知的MOS堆叠封装结构示意图。
[0024]图2为本实用新型一种多芯片单搭混装堆叠夹芯封装结构的侧面图。
[0025]图3(a)至图3(m)为本实用新型一种多芯片单搭混装堆叠夹芯封装结构工艺方法的流程图。
[0026]其中:
[0027]引线框11
[0028]第一芯片12
[0029]第二芯片13
[0030]第一金属夹板14
[0031]第二金属夹板15
[0032]第一金属焊线16
[0033]第二金属焊线17
[0034]第一引线框21
[0035]第二引线框22
[0036]第一上水平段221
[0037]第一中间连接段222
[0038]第一下水平段223
[0039]第三引线框23
[0040]第二上水平段231
[0041 ]第二中间连接段232
[0042]第二下水平段233
[0043]第一芯片24
[0044]第二芯片25
[0045]锡膏26
[0046]塑封料27。
【具体实施方式】
[0047]以下结合附图实施例对本实用新型作进一步详细描述。
[0048]参见图2,本实用新型一种多芯片单搭混装堆叠夹芯封装结构,它包括第一引线框21、第二引线框22、第三引线框23、第一芯片24和第二芯片25,所述第二引线框22和第三引线框23呈Z形,所述Z形的第二引线框22包括第一上水平段221、第一中间连接段222和第一下水平段223,所述Z形的第三引线框23包括第二上水平段231、第二中间连接段232和第二下水平段233,所述第一芯片24夹设在第一引线框21与第一上水平段221之间,所述第一芯片24背面配置于所述第一引线框21上,所述第一芯片24的背面和正面分别通过锡膏26与第一引线框21和第一上水平段221电性连接,所述第二芯片25夹设在第一上水平段221与第二上水平段231之间,所述第二芯片25正面配置于所述第一上水平段221上,所述第二芯片25的正面和背面分别通过锡膏26与第一上水平段221和第二上水平段231电性连接,所述第一引线框21、第二引线框22和第三引线框23外包封有塑封料27,所述第一引线框21下表面和第一下水平段223下表面齐平且均暴露在塑封料27之外,所述第二下水平段233下表面搭设在第一引线框21上表面上。
[0049]所述第一引线框21、第二引线框22和第三引线框23均为整体框架,其材质可以为合金铜材、纯铜材、铝镀铜材、锌镀铜材、镍铁合金材,也可以为其它CTE范围是8*10~-6/°C?25*10 -6/°C的导电材质。
[0050]所述第一芯片24和第二芯片25为可以与金属锡结合的二极芯片、三极芯片或多极芯片。
[0051 ] 其工艺方法如下:
[0052]步骤一、参见图3(a),提供第一引线框,第一引线框的材质为合金铜材、纯铜材、铝镀铜材、锌镀铜材、镍铁合金材,也可以为其它CTE范围是8*10~-6/°C?25*10~-6/°C的导电材质;
[0053]步骤二、参见图3(b),在第一引线框基岛区域通过网板印刷的方式涂覆锡膏,目的是为实现后续第一芯片植入后与基岛接合,通过调整网板的厚度和开口的面积可以精确的控制锡膏的厚度、面积以及位置;
[0054]步骤三、参见图3(c),在步骤二中第一引线框基岛区域涂覆的锡膏上植入第一芯片,第一芯片的背面通过锡膏与第一引线框电性连接;
[0055]步骤四、参见图3(d),提供第二引线框,所述第二引线框为Z形,所述Z形的第二引线框包括第一上水平段、第一中间连接段和第一下水平段,第二引线框的材质为合金铜材、纯铜材、铝镀铜材、锌镀铜材、镍铁合金材,也可以为其它CTE范围是8*10~-6/°C?25*10'-6/°C的导电材质。在第二引线框的第一上水平段的下表面通过网板印刷的方式涂覆锡膏,目的是为实现后续第二引线框的引脚与第一芯片正面形成电性连接,通过调整网板的厚度和开口的面积可以精确的控制锡膏的厚度、面积以及位置;
[0056]步骤五、参见图3(e),将第二引线框的第一上水平段压合在第一引线框上表面的第一芯片上,使第一芯片正面与第二引线框通过第一上水平段下表面的锡膏形成电性连接,压合后第一弓I线框和第二弓I线框形成整体框架;
[0057]步骤六、参见图3(f),将步骤六形成的整体框架上下表面用压板压住,进行回流焊。压板的材质要求不容易发生形变且具有良好的热传导性能,其热膨胀系数CTE与第一引线框和第二引线框材质的热膨胀系数CTE接近,其CTE范围是8*10~-6/°C?25*10~-6/°C ;
[0058]步骤七、参见图3(g),完成回流焊后,在第二引线框的第一上水平段的上表面通过网板印刷的方式涂覆锡膏;
[0059]步骤八、参见图3(h),在步骤八中第二引线框的第一上水平段上表面涂覆的锡膏上植入第二芯片,第二芯片的正面通过锡膏与第一上水平段电性连接;
[0060]步骤九、参见图3(i),提供第三引线框,所述第三引线框为Z形,所述Z形的第三引线框包括第二上水平段、第二中间连接段和第二下水平段,第三引线框的材质为合金铜材、纯铜材、铝镀铜材、锌镀铜材、镍铁合金材,也可以为其它CTE范围是8*10~-6/°C?25*10'-6/°C的导电材质。在第三引线框的第二上水平段的下表面通过网板印刷的方式涂覆锡膏,目的是为实现后续第三引线框的引脚与第二芯片背面形成电性连接,通过调整网板的厚度和开口的面积可以精确的控制锡膏的厚度、面积以及位置;
[0061]步骤十、参见图3(j),将第三引线框的第二上水平段压合在第二引线框的第一上水平段上表面的第二芯片上,使第二芯片与第三引线框通过第二上水平段下表面的锡膏形成电性连接,且第三引线框的第二下水平段下表面搭设在第一引线框上表面上,压合后第一引线框、第二引线框和第三引线框形成整体框架;
[0062]步骤十一、参见图3(k),将步骤十形成的整体框架上下表面用压板压住,进行回流焊。压板的材质要求不容易发生形变且具有良好的热传导性能,其热膨胀系数CTE与第一引线框、第二引线框和第三引线框材质的热膨胀系数CTE接近,其CTE范围是8*10~-6/°C?25*10'-6/°C;
[0063]步骤十二、参见图3(1),将步骤十一经过回流焊后的整体框架采用塑封料进行塑封;
[0064]步骤十三,参见图3(m),将步骤十二完成塑封的半成品进行切割或是冲切作业,使原本阵列式塑封体,切割或是冲切独立开来,制得多芯片单搭混装堆叠夹芯封装结构。
[0065]上述步骤中,步骤五与步骤六第一引线框压合第二引线框形成整体框架并使用压板进行回流焊,可以在步骤八第二引线框植入第二芯片后进行实施。
[0066]上述步骤中,步骤二、步骤四和步骤九可通过不同机台同时进行。
[0067]除上述实施例外,本实用新型还包括有其他实施方式,凡采用等同变换或者等效替换方式形成的技术方案,均应落入本实用新型权利要求的保护范围之内。
【主权项】
1.一种多芯片单搭混装堆叠夹芯封装结构,其特征在于:它包括第一引线框(21)、第二引线框(22)、第三引线框(23)、第一芯片(24)和第二芯片(25),所述第二引线框(22)和第三引线框(23)呈Z形,所述Z形的第二引线框(22)包括第一上水平段(221)、第一中间连接段(222)和第一下水平段(223),所述Z形的第三引线框(23)包括第二上水平段(231)、第二中间连接段(232)和第二下水平段(233),所述第一芯片(24)夹设在第一引线框(21)与第一上水平段(221)之间,所述第一芯片(24)背面配置于所述第一引线框(21)上,所述第一芯片(24)的背面和正面分别通过锡膏(26)与第一引线框(21)和第一上水平段(221)电性连接,所述第二芯片(25)夹设在第一上水平段(221)与第二上水平段(231)之间,所述第二芯片(25)正面配置于所述第一上水平段(221)上,所述第二芯片(25)的正面和背面分别通过锡膏(26)与第一上水平段(221)和第二上水平段(231)电性连接,所述第一引线框(21)、第二引线框(22)和第三引线框(23)外包封有塑封料(27),所述第一引线框(21)下表面和第一下水平段(223)下表面齐平且均暴露在塑封料(27)之外,所述第二下水平段(233)下表面搭设在第一引线框(21)上表面上。2.根据权利要求1所述的一种多芯片单搭混装堆叠夹芯封装结构,其特征在于:所述第一引线框、第二引线框和第三引线框的材质可以为合金铜材、纯铜材、铝镀铜材、锌镀铜材、镍铁合金材,也可以为其它CTE范围是8*10~-6/°C?25*10~-6/°C的导电材质。3.根据权利要求1所述的一种多芯片单搭混装堆叠夹芯封装结构,其特征在于:所述第一芯片和第二芯片为可以与金属锡结合的二极芯片、三极芯片或多极芯片。4.根据权利要求1所述的一种多芯片单搭混装堆叠夹芯封装结构,其特征在于:所述第一芯片(24)也可正面配置于所述第一引线框(21)上,此时所述第二芯片(25)背面配置于所述第一上水平段(221)上。
【文档编号】H01L23/31GK205582924SQ201521102854
【公开日】2016年9月14日
【申请日】2015年12月24日
【发明人】刘恺, 梁志忠, 王赵云, 陈益新
【申请人】江苏长电科技股份有限公司
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