三电极多用型水平结构led芯片的制作方法
【专利摘要】本实用新型涉及一种三电极多用型水平结构LED芯片包括基板、外延层、第一电极、第二电极、第三电极、导电胶及导线，第三电极上点涂银浆，外延层形成于基板上，第一电极和第二电极形成于基板同一面，第三电极形成于基板另一面，导电胶形成于第一电极和第二电极上，并在第一电极和第二电极封装端打导线，第一电极和第三电极为相同电极，可选择性的在第一电极或第三电极或两者同时加载电流，这样结构的设计既增加了芯片封装的可靠性，又提供了多种电流加载方式，并可以选择性地使用银浆及打线模式，同时还克服垂直结构银浆老化脱落及水平结构散热不佳的状况，能有效避免因大电流加载脱线及银浆老化脱落问题或封装问题造成的死灯状况。
【专利说明】
三电极多用型水平结构LED芯片
【技术领域】
[0001 ]本实用新型涉及LED结构领域，尤其涉及一种三电极多用型水平结构LED芯片。【【背景技术】】
[0002]随着科技的发展，LED广泛地应用在社会上的各个领域里，例如:室内室外照明、手机领域、道路交通领域、移动物体领域、标示和显示屏领域等。其中，LED芯片作为LED灯的核心部件也在不断地发展，以满足人们日益增长的物质需求。目前公知的半导体LED芯片结构分为两种，分别为垂直结构和水平结构，垂直结构的构造为正面电极和反面电极，而水平结构的构造为单面双电极，对应的封装端则为垂直结构为背面点涂银浆正面打线，而水平结构为单面双打线状况，此两种结构都在大电流长期使用状况下存在易脱线或者银浆老化脱落的状况，且水平结构使用硅胶粘粘不利于散热。
【【实用新型内容】】
[0003]为克服现有垂直结构银浆老化脱落及水平结构散热不佳的状况，本实用新型提供了一种增加封装可靠性及多种使用方式的三电极多用型水平结构LED芯片。
[0004]本实用新型解决技术问题的技术方案是提供一种三电极多用型水平结构LED芯片，LED芯片包括基板、外延层、第一电极、第二电极、第三电极、导电胶及导线，第三电极上点涂银浆，所述外延层形成于基板上，第一电极和第二电极形成于基板同一面，第三电极形成于基板另一面，导电胶形成于第一电极和第二电极上，并在第一电极和第二电极封装端打导线，在第一电极、第二电极、第三电极端加载电流形成电路通路。
[0005]优选地，所述基板上外延层一面镀有双金合金的第一电极和第二电极。
[0006]优选地，所述第一电极和第二电极分别为芯片的η极和P极。
[0007]优选地，所述基板异于外延层一面镀有金合金的第三电极。
[0008]优选地，所述第一电极和第三电极为相同电极，可选择性的在第一电极或第三电极或两者同时加载电流。
[0009]优选地，进一步包括一打线碗杯，所述三电极多用型水平结构LED芯片封装于打线碗杯凹槽处。
[0010]优选地，所述一打线碗杯用于承载一个LED芯片。
[0011]与现有技术相比，本实用新型三电极多用型水平结构LED芯片采用垂直结构和水平结构结合，克服了垂直结构银浆老化及水平结构硅粘胶散热差的问题，并且可以在第一电极或第三电极或两电极同时加载电流，能有效避免第一电极或第三电极封装不良或脱线或银浆老化失效的情况，进而不会出现LED无法正常运作死灯的状况，提高了芯片的封装可靠性，这样的结构改良使芯片在封装端可以选择性的使用银浆和打线模式，并有多种电流加载方案，增加其使用方式，同时第三电极横截面积大可以有效地排走静电，当大电流加载在此封装端时不会出现静电击穿现象。【【附图说明】】
[0012]图1是本实用新型提供的三电极多用型水平结构LED芯片叠层结构示意图。
[0013]图2是本实用新型提供的三电极多用型水平结构LED芯片封装结构示意图。
【【具体实施方式】】
[0014]为了使本实用新型的目的，技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施实例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
[0015]请参阅图1和图2，本实用新型提供一种三电极多用型水平结构LED芯片I，包括一基板11、一外延层12、第一电极13、第二电极14、第三电极15、导电胶16及导线17，外延层12形成在基板11上，外延层12使用ICP(Inductively coupled plasma，感应親合等离子体)进行选择区域开孔，并在此单面上蒸镀双金合金(Au alloy)，形成第一电极13和第二电极14，在第一电极13和第二电极14上封装导电胶16，导电胶16上焊接导线17，对基板11的背面进行研磨抛光，同样蒸镀金合金，形成第三电极15，第一电极13和第三电极15作为相同的电极，分别位于基板11的正反两面，并与第二电极14形成正反电极。
[0016]基板11作为LED芯片的衬底，会根据LED器件的要求选择合适的衬底材料。基板11有三种衬底材料可选择:蓝宝石(A1203)、硅(Si)及碳化硅(SiC)。
[0017]ICP是感应耦合等离子体。采用ICP刻蚀外延层12是这样进行的:对蚀刻气体施加高频电压，利用气体在电场加速作用下形成等离子体的活性基，溅射在被蚀刻的物质表面，与之发生化学反应，形成挥发性的物质并随气流带走;或者是将等离子体经偏压加速，溅射到被蚀刻的材料表面，使被蚀刻物的原子团被击出，达到蚀刻目的。
[0018]第一电极13和第二电极14形成于外延层12的开孔处，位于基板11的同一面，形成LED芯片水平结构的正反电极，并在第一电极13和第二电极14封装端打导线17，第一电极13为LED芯片的η极，第二电极14为LED芯片的P极，第三电极15形成于基板11的另一面，在其封装端点涂银浆151封装，与第二电极14形成LED芯片垂直结构的正面电极和反面电极，第一电极13和第三电极15为LED芯片的同极，形成于相同位置分别位于基板11的正反面，因此可以选择性地对第一电极13或第三电极15或两极同时加载电流，与第二电极14形成电路结构，同时对第一电极13进行打线封装及第三电极15点涂银浆封装，这样的设计可以使得封装端的可靠性更高，即使在第一电极13或第三电极15任意一失效的情况下，电路也能正常导通，不会出现封装问题引起的死灯现象，从而避免因封装不良而需更换LED芯片的问题，也节约了人工和成本。同时第三电极15比第一电极13的横截面积大很多，因此当加载大电流时，第三电极15能排走静电，不易出现静电击穿，避免LED灯失效或影响其运作。
[0019]打线碗杯3用于封装LED芯片I，打线碗杯3由导电材料制备，呈碗杯型，中间有凹槽，这样的设计是为了在碗杯凹槽处承载LED芯片，每个打线碗杯3封装一个LED芯片I。
[0020]与现有技术相比，本实用新型三电极多用型水平结构LED芯片具有以下优点:LED芯片采用垂直结构和水平结构结合，克服了垂直结构银浆老化及水平结构硅粘胶散热差的问题，并且可以在第一电极或第三电极或两电极同时加载电流，能有效避免第一电极或第三电极封装不良或脱线或银浆老化失效的情况，进而不会出现LED无法正常运作死灯的状况，提高了芯片的封装可靠性，这样的结构改良使芯片在封装端可以选择性的使用银浆和打线模式，并有多种电流加载方案，增加其使用方式，同时第三电极横截面积大可以有效地排走静电，当大电流加载在此封装端时不会出现静电击穿现象。
[0021]以上所述仅为本实用新型较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型原则之内所作的任何修改，等同替换和改进等均应包含本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.一种三电极多用型水平结构LED芯片，其特征在于:LED芯片包括基板、外延层、第一电极、第二电极、第三电极、导电胶及导线，第三电极上点涂银浆，所述外延层形成于基板上，第一电极和第二电极形成于基板同一面，第三电极形成于基板另一面，导电胶形成于第一电极和第二电极上，并在第一电极和第二电极封装端打导线，在第一电极、第二电极、第三电极端加载电流形成电路通路。2.如权利要求1所述的三电极多用型水平结构LED芯片，其特征在于:所述基板上外延层一面镀有双金合金的第一电极和第二电极。3.如权利要求2所述的三电极多用型水平结构LED芯片，其特征在于:所述第一电极和第二电极分别为芯片的η极和P极。4.如权利要求1所述的三电极多用型水平结构LED芯片，其特征在于:所述基板异于外延层一面镀有金合金的第三电极。5.如权利要求1所述的三电极多用型水平结构LED芯片，其特征在于:所述第一电极和第三电极为相同电极，可选择性的在第一电极或第三电极或两者同时加载电流。6.如权利要求1所述的三电极多用型水平结构LED芯片，其特征在于:进一步包括一打线碗杯，所述三电极多用型水平结构LED芯片封装于打线碗杯凹槽处。7.如权利要求6所述的三电极多用型水平结构LED芯片，其特征在于:所述一打线碗杯用于承载一个LED芯片。
【文档编号】H01L33/64GK205582963SQ201620137397
【公开日】2016年9月14日
【申请日】2016年2月23日
【发明人】吴质朴, 何畏, 危功辉, 贾钊
【申请人】深圳市奥伦德科技股份有限公司