一种逆导型igbt背面结构的制作方法
【专利摘要】本实用新型提供一种逆导型IGBT背面结构。本实用新型通过在缓冲层和集电极之间增加低浓度掺杂的半导体层形成高阻区，此结构可有效抑制逆导型IGBT器件的电压回跳现象，同时减小集电极PN结的内建电势，提高集电极的注入效率，减小IGBT工作模式下的导通压降，降低逆导型IGBT器件正向导通损耗，显著的降低功耗。本实用新型提供的技术方案能实现生产线上连续生产，操作简单，实用性强，生产成本低。
【专利说明】
一种逆导型IGBT背面结构
技术领域
[0001]本实用新型涉及一种半导体器件，具体讲，涉及一种逆导型IGBT背面结构及其制备方法。
【背景技术】
[0002]逆导型IGBT(RC-1GBT)是一种新型功率器件，是将IGBT和快速恢复二极管(FRD)集成在同一芯片上制得的，具有尺寸小、功率密度高、成本低、寄生参数低、可靠性高等诸多优点。
[0003]逆导型IGBT与传统IGBT结构最大的差异是逆导型IGBT背面结构中集电极增加了N+短路结构，不再是连续的P+结构，由P+/N+交替排布而成。
[0004]逆导型IGBT在拥有诸多优点的同时，也存在一些问题，最主要的是电压回跳现象。逆导型IGBT的开启过程不同于传统没有集电极短路结构的IGBT器件，逆导型IGBT存在从单极到双极型导通模式的转换过程;当栅开启时，沟道反型形成电子沟道，电子在电场的驱动下向集电极迀移;到达集电极后，由于P+集电极/N缓冲层结的内建电场，电子更倾向于通过N+短路结构流入集电极；电流较小时，电子均通过N+短路结构流入集电极;随着电流增大，电子电流在缓冲层上产生的压降逐渐增大，当增大到P+集电极/N缓冲层结开启电压时，器件处于从单极到双极切换的临界状态;此时，注入P+集电极的电子开始变得活跃，空穴电流大量注入缓冲层和漂移区，导致电导调制的产生，器件进入双极工作模式，电压迅速减小，发生电压回跳现象。
[0005]因此，需要提供一种针对上述现有技术不足的改进技术方案。
【发明内容】
[0006]本实用新型为了抑制逆导型IGBT器件发生电压回跳现象，提供了一种逆导型IGBT背面结构及其制备方法。本实用新型是在传统逆导型IGBT背面结构的基础上，在缓冲层和集电极之间增加低浓度掺杂的半导体层形成高阻区，此结构可有效抑制逆导型IGBT器件的电压回跳现象，同时减小集电极PN结的内建电势，提高集电极的注入效率，减小IGBT工作模式下的导通压降，降低逆导型IGBT器件正向导通损耗。
[0007]为实现上述目的，本实用新型采用以下技术方案:
[0008]一种逆导型IGBT背面结构，依次包括基层、缓冲层、集电区、集电极金属层，在所述缓冲层与集电极金属层之间设置有低浓度掺杂的半导体层构成的高阻区；所述集电区包括P+惨杂区和N+短路区。
[0009]进一步的，所述缓冲层设置在所述基层与高阻区之间;所述缓冲层为N型低浓度缓冲区;所述基层为N型单晶硅片衬底。
[0010]进一步的，所述高阻区的半导体层采用外延方法生长。
[0011]进一步的，所述高阻区设置在所述缓冲层与集电区之间，且所述P+掺杂区和N+短路区并列交替设置在所述高阻区与集电极金属层之间。所述高阻区的掺杂浓度小于缓冲层的掺杂浓度;所述高阻区的外延层厚度大于N+短路区的结深;所述N+短路区与P+掺杂区的结深相同。
[0012]进一步的，所述高阻区设置在所述缓冲层与集电区之间，且所述P+掺杂区和N+短路区并列交替设置在所述高阻区与集电极金属层之间。所述高阻区的掺杂浓度小于缓冲层的掺杂浓度;所述高阻区的外延层厚度大于N+短路区结深;所述N+短路区的结深小于P+掺杂区的结深。
[0013]进一步的，所述高阻区设置于缓冲层与N+短路区之间，且高阻区和N+短路区构成一整体与P+掺杂区并列交替设置在所述缓冲层与集电极金属层之间。所述高阻区的掺杂浓度小于缓冲层的掺杂浓度;所述高阻区的外延层厚度大于N+短路区的结深;所述N+短路区的结深小于P+掺杂区的结深;所述高阻区的外延层厚度与N+短路区的结深相加等于P+掺杂区的结深。
[0014]一种逆导型IGBT背面结构的制备方法，所述方法包括以下步骤:
[0015]I)将芯片背面减薄后，采用离子注入方式进行N型低浓度掺杂缓冲区杂质的外延生成，退火、离子激活及推结，形成缓冲层；
[0016]2)在缓冲层结构上外延生长低浓度掺杂N型杂质，形成高阻区；
[0017]3)在高阻区形成后，进行背面P型注入和退火，离子激活及推结，形成P+掺杂区；
[0018]4)在P+掺杂区形成后，通过光刻形成掩膜，在开口处采用离子注入方式进行N型注入与退火，离子激活及推结，形成N+短路区；
[0019]5)P+集电区与N+短路区结构完成后，采用淀积或蒸发方式生长集电极金属层。
[0020]进一步的，所述步骤I)中退火为高温长时间退火工艺。所述步骤2)和3)中的退火为高温长时间退火或激光退火工艺。
[0021 ] 进一步的，所述步骤3)中P+掺杂区的结深为0.5?lum。
[0022]进一步的，所述步骤2)中高阻区的掺杂N型杂质材料为硅或锗。
[0023]进一步的，所述高阻区的掺杂浓度小于缓冲层的掺杂浓度;所述高阻区的外延层厚度大于N+短路区的结深。
[0024]进一步的，所述步骤I)中芯片背面减薄根据不同的击穿电压和正向导通压降需求进行制备，其减薄厚度>60umo
[0025]与最接近的现有技术相比，本实用新型提供的技术方案具有如下优异效果:
[0026]本实用新型提供的一种逆导型IGBT背面结构及其制备方法，通过在缓冲层和集电极之间增加低浓度掺杂的半导体层形成高阻区，增加集电极短路电阻，进而有效抑制逆导型IGBT器件的电压回跳现象，同时减小集电极PN结的内建电势，提高集电极的注入效率，减小IGBT工作模式下的导通压降，降低逆导型IGBT器件正向导通损耗，显著的降低功耗。本实用新型提供的技术方案能实现生产线上连续生产，操作简单，实用性强，生产成本低。
【附图说明】
[0027]为了更清楚地说明本实用新型中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0028]图1传统逆导型IGBT剖面示意图；
[0029]图2本实用新型提供的一种逆导型IGBT背面结构剖面示意图；
[0030]图3本实用新型提供的另一种逆导型IGBT背面结构剖面示意图；
[0031]图4本实用新型提供的另一种逆导型IGBT背面结构剖面示意图；
[0032]图5本实用新型提供的一种逆导型IGBT背面结构制备方法步骤示意图，(a)薄片，(b)N-buffer注入，(C)外延生长，(d)P+集电区注入，(e)N+短路结构，(f)淀积集电极金属。
【具体实施方式】
[0033]下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
[0034]实施例1
[0035]如图1所示，传统逆导型IGBT的背面结构包括:基层01、缓冲层02、N+短路区03、P+掺杂区04、集电极金属层05。缓冲层02设置在基层01与集电极金属层05;且P+掺杂区04和N+短路区03并列交替设置在缓冲层02与集电极金属层05之间。
[0036]实施例2
[0037]如图2所示，本实施例提供的一种逆导型IGBT背面结构包括:基层201、缓冲层202、高阻区206、集电区、集电极金属层205;集电区包括N+短路区203和P+掺杂区204。
[0038]在缓冲层202与集电极金属层205之间设置有低浓度掺杂的半导体层构成的高阻区206;集电区包括P+掺杂区203和N+短路区204。缓冲层202设置在基层201与高阻区206之间；缓冲层202为N型低浓度缓冲区；基层201为N型单晶硅片衬底。高阻区206的半导体层采用外延方法生长。
[0039]高阻区206设置在缓冲层202与集电区之间，且P+掺杂区204和N+短路区203并列交替设置在高阻区206与集电极金属层205之间。高阻区206的掺杂浓度小于缓冲层202的掺杂浓度;高阻区206的外延层厚度大于N+短路区203的结深;N+短路区203与P+掺杂区204的结深相同。
[0040]P+掺杂区204的结深为0.5?lum。高阻区206的掺杂N型杂质材料为硅。基层201芯片背面减薄根据不同的击穿电压和正向导通压降需求进行选择，其减薄厚度>60um。
[0041 ] 实施例3
[0042]如图3所示，本实施例提供的另一种逆导型IGBT背面结构包括:基层301、缓冲层302、高阻区306、集电区、集电极金属层305;集电区包括N+短路区303和P+掺杂区304。
[0043]在缓冲层302与集电极金属层305之间设置有低浓度掺杂的半导体层构成的高阻区306;集电区包括P+掺杂区303和N+短路区304。缓冲层302设置在基层301与高阻区306之间；缓冲层302为N型低浓度缓冲区；基层301为N型单晶硅片衬底。高阻区306的半导体层采用外延方法生长。
[0044]高阻区306设置在缓冲层302与集电区之间，且P+掺杂区304和N+短路区303并列交替设置在高阻区306与集电极金属层305之间。高阻区306的掺杂浓度小于缓冲层302的掺杂浓度;高阻区306的外延层厚度大于N+短路区303的结深;N+短路区303的结深小于P+掺杂区304的结深。
[0045]P+掺杂区304的结深为0.5?lum。高阻区306的掺杂N型杂质材料为硅。基层301芯片背面减薄根据不同的击穿电压和正向导通压降需求进行选择，其减薄厚度>60um。
[0046]实施例4
[0047]如图4所示，本实施例提供的另一种逆导型IGBT背面结构包括:基层401、缓冲层402、高阻区406、集电区、集电极金属层405;集电区包括N+短路区403和P+掺杂区404。
[0048]在缓冲层402与集电极金属层405之间设置有低浓度掺杂的半导体层构成的高阻区406;集电区包括P+掺杂区403和N+短路区404。缓冲层402设置在基层401与高阻区406之间；缓冲层402为N型低浓度缓冲区；基层401为N型单晶硅片衬底。高阻区406的半导体层采用外延方法生长。
[0049]高阻区406设置于缓冲层402与N+短路区403之间，且高阻区406和N+短路区403构成一整体与P+掺杂区404并列交替设置在缓冲层402与集电极金属层405之间。高阻区406的掺杂浓度小于缓冲层402的掺杂浓度;高阻区406的外延层厚度大于N+短路区403的结深;N+短路区403的结深小于P+掺杂区404的结深;高阻区406的外延层厚度与N+短路区403的结深相加等于P+掺杂区404的结深。
[0050]P+掺杂区404的结深为0.5?lum。高阻区406的掺杂N型杂质材料为硅。基层401芯片背面减薄根据不同的击穿电压和正向导通压降需求进行选择，其减薄厚度>60um。
[0051 ] 实施例5
[0052]如图5所示，本实施例提供的一种逆导型IGBT背面结构的制备方法包括以下步骤:
[0053]I)如图5中的a图，基层501为N型单晶硅片衬底，其衬底N杂质的掺杂浓度与衬底厚度需要根据不同的击穿电压和正向导通压降需求进行选择，衬底减薄至所需厚度，其减薄厚度彡60um，若衬底片厚度适宜也可不采用减薄工艺。
[0054]2)如图5中的b图，缓冲层502为N型低浓度掺杂缓冲区结构，对均匀掺杂的N型单晶硅片衬底背面采用离子注入方式进行N型低浓度掺杂发缓冲区的杂质生成，再进行高温长时间退火工艺，接着离子的激活与推结到所需要的深度，形成缓冲层502结构。
[0055]3)如图5中的c图，高阻区506为低浓度掺杂的半导体层结构，在均匀掺杂的N型单晶硅片衬底背面的缓冲层502结构上外延生长低浓度掺杂N型材料硅或锗，掺杂浓度小于缓冲层502掺杂浓度，厚度大于N+短路区503结构的结深，形成高阻区506结构。
[0056]4)如图5中的d图，芯片背面P+掺杂区504结构，在硅片背面采用离子注入方式进行P+掺杂区域的杂质生成，再进行高温长时间退火工艺或采用激光退火工艺，进行离子的激活与推结，推结到所需要的深度0.5?Ium，形成P+掺杂区504结构。
[0057]5)如图5中的e图，芯片背面N+短路区503结构，通过光刻形成掩膜，在开口处采用离子注入方式进行N+掺杂，再进行高温长时间退火工艺或激光退火工艺，接着离子激活，其结深必须小于高阻区506外延层厚度，形成N+短路区503结构。
[0058]6)如图5中的f图，制作芯片背面集电极金属层505结构，采用物理淀积或蒸发形成背面金属505结构，完成芯片背面电特性连接。
[0059]以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均在本实用新型待批权利要求保护范围之内。
【主权项】
1.一种逆导型IGBT背面结构，包括依次设置的基层、缓冲层、集电区、集电极金属层，其特征在于，在所述缓冲层与集电极金属层之间设置有低浓度掺杂的半导体构成的高阻区。2.如权利要求1所述的逆导型IGBT背面结构，其特征在于，所述缓冲层设置在所述基层与高阻区之间;所述缓冲层为N型低浓度缓冲区;所述基层为N型单晶硅片衬底。3.如权利要求1所述的逆导型IGBT背面结构，其特征在于，所述高阻区的掺杂浓度小于缓冲层的掺杂浓度;所述集电区包括P+掺杂区和N+短路区；所述高阻区为外延法生长，所述高阻区的外延层厚度大于N+短路区的结深。4.如权利要求3所述的逆导型IGBT背面结构，其特征在于，所述高阻区设置在所述缓冲层与集电区之间，且所述P+掺杂区和N+短路区并列交替设置在所述高阻区与集电极金属层之间。5.如权利要求4所述的逆导型IGBT背面结构，其特征在于，所述N+短路区与P+掺杂区的结深相同。6.如权利要求4所述的逆导型IGBT背面结构，其特征在于，所述N+短路区的结深小于P+掺杂区的结深。7.如权利要求3所述的逆导型IGBT背面结构，其特征在于，所述高阻区设置于缓冲层与N+短路区之间，且高阻区和N+短路区构成一整体与P+掺杂区并列交替设置在所述缓冲层与集电极金属层之间。8.如权利要求7所述的逆导型IGBT背面结构，其特征在于，所述高阻区的外延层厚度与N+短路区结深相加等于P+掺杂区的结深。9.如权利要求3所述的逆导型IGBT背面结构，其特征在于，所述P+掺杂区的结深为0.5?Ium0
【文档编号】H01L29/06GK205595336SQ201620356265
【公开日】2016年9月21日
【申请日】2016年4月25日
【发明人】李晓平, 潘艳, 温家良, 金锐, 刘江, 赵哿, 高明超, 王耀华, 李立
【申请人】全球能源互联网研究院, 国家电网公司, 国网上海市电力公司