一种可控混合电磁耦合基片集成波导滤波器的制造方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种可控混合电磁耦合基片集成波导滤波器，包括基片集成波导谐振腔。基片集成波导谐振腔包括介质基片、设置在介质基片正面和反面的两层金属层，以及沿介质基片边缘设置的贯穿两层金属层的外围金属化通孔；基片集成波导两端设有输入端口和输出端口，外围金属化通孔围成的区域内设有多组内部金属化通孔，内部金属化通孔包括共线的两列内部金属化通孔，共线的两列内部金属化通孔之间形成感性窗，上金属层上开设有位于感性窗上方的非谐振节点结构。本实用新型可通过调整非谐振节点结构的尺寸来控制电耦合强度，通过调整感性窗的宽度来控制磁耦合强度，从而控制传输零点位于上阻带还是下阻带。
【专利说明】
一种可控混合电磁耦合基片集成波导滤波器
技术领域
[0001] 本实用新型涉及基片集成波导滤波器，特别是涉及一种可控混合电磁耦合基片集 成波导滤波器。
【背景技术】
[0002] 基片集成波导是近年来出现在微波毫米波领域内的一种能够集成于介质基片中 的新型导波结构，用它构成的滤波器具有插入损耗小、辐射低、功率容量高等优点。
[0003] 现有技术中提出了能够产生混合电磁耦合的基片集成波导滤波器，但是其无法实 现电磁耦合的可控，也即无法通过控制电耦合和磁耦合的强弱来控制传输零点位于上阻带 或者下阻带，设计灵活性较差。 【实用新型内容】
[0004] 实用新型目的:本实用新型的目的是提供一种能够实现电磁耦合可控的基片集成 波导滤波器。
[0005] 技术方案:为达到此目的，本实用新型采用以下技术方案：
[0006] 本实用新型所述的可控混合电磁耦合基片集成波导滤波器，包括基片集成波导谐 振腔，所述基片集成波导谐振腔包括介质基片、设置在介质基片正面的上金属层、设置在介 质基片反面的下金属层，以及沿介质基片边缘设置的贯穿两层金属层的外围金属化通孔， 基片集成波导谐振腔两端设有输入端口和输出端口，所述外围金属化通孔围成的区域内设 有多组内部金属化通孔，内部金属化通孔包括共线的两列内部金属化通孔，共线的两列内 部金属化通孔之间形成感性窗，上金属层上开设有位于感性窗上方的非谐振节点结构，非 谐振节点结构包括三条平行的槽线。
[0007] 进一步，所述三条槽线的形状、尺寸均相同，且相邻两条槽线之间的距离也相同。
[0008] 进一步，所述非谐振节点结构与感性窗个数相同，且非谐振节点结构位于感性窗 的正上方。
[0009] 进一步，所述介质基片为长方体，外围金属化通孔关于介质基片中心对称。
[0010]进一步，所述外围金属化通孔包括沿介质基片长边设置的第一行外围金属化通孔 和第二行外围金属化通孔，以及沿介质基片宽边设置的第一列外围金属化通孔和第二列外 围金属化通孔，所述共线的两列内部金属化通孔分别垂直于第一行外围金属化通孔和第二 行外围金属化通孔，且所述滤波器中心对称。
[0011] 进一步，所有外围金属化通孔的形状、尺寸均相同，相邻两个外围金属化通孔之间 的距离也相同。
[0012] 进一步，所述每组内部金属化通孔中，所有内部金属化通孔的形状、尺寸均相同， 相邻两个内部金属化通孔之间的距离也相同。
[0013] 进一步，所述输入端口和输出端口均采用微带线到共面波导的过渡结构。
[0014] 有益效果:与现有技术相比，本实用新型具有如下的有益效果：
[0015] (1)本实用新型在感性窗上方引入非谐振节点结构，可通过调整非谐振节点结构 的尺寸来控制电耦合的强度，通过调整感性窗的宽度来控制磁耦合的强度，从而通过控制 电耦合占优还是磁耦合占优来控制传输零点位于上阻带还是下阻带；
[0016] (2)本实用新型设有多组内部金属化通孔、多个感性窗和多个非谐振节点结构，从 而构成N阶滤波器，能够实现N-1个可控的传输零点，N多1，便于实现较好的带内和带外滤波 特性；
[0017] (3)本实用新型具有设计灵活、结构简单、适用频率范围宽、易于平面集成和成本 低等优点。
【附图说明】
[0018] 图1为本实用新型的第一种【具体实施方式】和第二种【具体实施方式】的侧视图；
[0019] 图2为本实用新型的第一种【具体实施方式】的俯视图；
[0020] 图3为本实用新型的第一种【具体实施方式】的等效电路图；
[0021] 图4为本实用新型的实施例1、实施例2和实施例3的S21仿真结果图；
[0022] 图5为本实用新型的实施例4、实施例5和实施例6的S21仿真结果图；
[0023] 图6为本实用新型的第二种【具体实施方式】的俯视图；
[0024] 图7为本实用新型的实施例7的S11和S21的仿真结果图。
【具体实施方式】
[0025] 下面结合【具体实施方式】和附图对本实用新型的技术方案作进一步的介绍。
[0026]第一种【具体实施方式】：
[0027] 本【具体实施方式】的滤波器结构的侧视图如图1所示，包括基片集成波导谐振腔，基 片集成波导谐振腔包括介质基片2、设置在介质基片2正面的上金属层1、设置在介质基片2 反面的下金属层3,以及沿介质基片2边缘设置的贯穿两层金属层的外围金属化通孔41，如 图2所示。介质基片2为长方体，外围金属化通孔41包括沿介质基片2长边设置的第一行外围 金属化通孔和第二行外围金属化通孔，以及沿介质基片2短边设置的第一列外围金属化通 孔和第二列外围金属化通孔。外围金属化通孔41围成的区域内部设有一组内部金属化通孔 42，该组内部金属化通孔42包括共线的第一列内部金属化通孔和第二列内部金属化通孔， 第一列内部金属化通孔自第一行外围金属化通孔的中间部位向介质基片2的中轴线方向延 伸，第二列内部金属化通孔自第二行外围金属化通孔的中间部位向介质基片2的中轴线方 向延伸，且第一列内部金属化通孔与第二列内部金属化通孔之间形成一个感性窗口。上金 属层1上还开设有一个非谐振节点结构7,非谐振节点结构7位于上金属层1的正中间、感性 窗口的正上方，非谐振节点结构7包括三条平行的槽线71，三条槽线71的形状、尺寸均相同， 且相邻两条槽线71之间的距离也相同。此外，基片集成波导谐振腔的两端还设有输入端口 5 和输出端口6,输入端口 5和输出端口 6采用尺寸相同的微带线到共面波导的过渡结构，如图 2所示。整个滤波器中心对称。
[0028] 图3是本【具体实施方式】的等效电路图，本【具体实施方式】中由外围金属化通孔41和 内部金属化通孔42围成了两个谐振器，也即构成了一个二阶的滤波器。每个谐振器都由串 联的电感L和电容C组成，两个谐振器之间具有耦合电感Lm和耦合电容Cm，以分别产生磁耦 (1) 合和电親合。
[0029]滤波器的谐振频率fo由式（1)得到：
[0031]式（1)中，CQ和er分别表不自由空间中的光速和介质基片的介电常数，Leff和Weff分 别为谐振器的等效长度和等效宽度，分别如式(2)和式(3)所示；
(2) (3)
[0034] 式(2)、式(3)中，L为图2中的LX，W为图2中的Lyl或者Ly2，Dv为外围金属化通孔和内 部金属化通孔的直径，P为相邻两个金属化通孔之间的距离。
[0035]等效电路的耦合系数k可以通过式(4)来计算：
(4)
[0037]式(4)中，Mc，Ec分别为磁耦合系数和电耦合系数，如式(5)所示；
(5)
[0039] 式(5)中，Lm，Cm分别代表等效电路中的耦合电感和耦合电容。
[0040] 由式(4)、式(5)可以看出，总的耦合系数由Mc，Ec共同确定，同时其大小可以通过调 节Lm, Cm进行控制。
[0041] 对于此二阶滤波器，混合电磁耦合产生的传输零点位置匕与中心频率fQ之间存在 着一定关系，BP:
(6)
[0043] 由公式(6)可知，混合电磁耦合产生的传输零点，相对于通带而言，磁耦合占优时 传输零点位于下阻带，电耦合占优时传输零点位于上阻带。因此，可以通过调节M C，EC的大 小，也即通过调节非谐振节点结构的尺寸Lgx和S，以及感性窗口的尺寸Lx2,来控制传输零 点位于下阻带或者上阻带。
[0044] 下面介绍本【具体实施方式】的六个实施例：
[0045] 实施例1:
[0046] 图 2中各参数的尺寸为：Wm = 1 ? 534mm，Lm= 15mm，Lxl = 2 ? 8mm，Lx2 = 7 ? 5mm，Lx3 = 2.8mm，Lex = 0?51mm，Ley = 8?1mm，Lgx = 0?4mm，S = 0?8mm，Lgy = 18mm，Lx =16?34mm,Lyl = 18.25mm，Ly2 = 18 ? 25mm，Dv = 0 ? 6mm，P = 1mm，介质基片为 Rogers5880，其介电常数为2 ? 2，损 耗角正切为〇. 0009，厚度为0.508mm。
[0047] 实施例2:
[0048]图 2中各参数的尺寸为：Wm = 1 ? 534mm，Lm= 15mm，Lxl = 2 ? 8mm，Lx2 = 7 ? 5mm，Lx3 = 2.8mm, Lex = 0.51mm,Lcy = 8.1mm, Lgx = 0.43mm, S = 0.86mm, Lgy = 18mm，Lx = 16.34mm, Lyl =18.25mm，Ly2 = 18.25mm，Dv = 0.6mm，P = 1mm，介质基片为Rogers5880，其介电常数为2.2， 损耗角正切为0.0009，厚度为0.508mm。
[0049] 实施例3:
[0050] 图 2中各参数的尺寸为：Wm = 1 ? 534mm，Lm= 15mm，Lxl = 2 ? 8mm，Lx2 = 7 ? 5mm，Lx3 = 2.8mm ,Lcx = 0.51mm, Lcy = 8.1mm, Lgx = 0.45mm, S = 0.9mm, Lgy = 18mm, Lx = 16.34mm, Lyl = 18.25mm，Ly2 = 18 ? 25mm，Dv = 0 ? 6mm，P = 1mm，介质基片为 Rogers5880，其介电常数为2 ? 2，损 耗角正切为〇. 0009，厚度为0.508mm。
[0051 ] 实施例4:
[0052]图2中各参数的尺寸为:Wm= 1 ? 534mm，Lm= 15mm，Lxl = 2.8mm，Lx2 = 10.4mm，Lx3 = 2.8mm，Lex = 0?51mm，Ley = 8?1mm，Lgx = 0?25mm，S = 0?5mm，Lgy = 23mm，Lx = 16?34mm，Ly1 = 18.25mm，Ly2 = 18 ? 25mm，Dv = 0 ? 6mm，P = 1mm，介质基片为 Rogers5880，其介电常数为2 ? 2，损 耗角正切为〇. 0009，厚度为0.508mm。
[0053] 实施例5:
[0054]图2中各参数的尺寸为:Wm= 1 ? 534mm，Lm= 15mm，Lxl = 2.8mm，Lx2 = 10 ? 2mm，Lx3 = 2.8mm，Lex = 0?51mm，Ley = 8?1mm，Lgx = 0?25mm，S = 0?5mm，Lgy = 23mm，Lx = 16?34mm，Ly1 = 18.25mm，Ly2 = 18 ? 25mm，Dv = 0 ? 6mm，P = 1mm，介质基片为 Rogers5880，其介电常数为2 ? 2，损 耗角正切为〇. 0009，厚度为0.508mm。
[0055] 实施例6:
[0056]图2中各参数的尺寸为:Wm = 1 ? 534mm，Lm= 15mm，Lxl = 2 ? 8mm，Lx2 = 10mm，Lx3 = 2.8mm，Lex = 0?51mm，Ley = 8?1mm，Lgx = 0?25mm，S = 0?5mm，Lgy = 23mm，Lx = 16?34mm，Ly1 = 18.25mm，Ly2 = 18 ? 25mm，Dv = 0 ? 6mm，P = 1mm，介质基片为 Rogers5880，其介电常数为2 ? 2，损 耗角正切为〇. 0009，厚度为0.508mm。
[0057]实施例1、实施例2和实施例3的S21仿真结果如图4所示，这三种实施例中均是电耦 合占优，传输零点均位于上阻带。
[0058]实施例4、实施例5和实施例6的S21仿真结果如图5所示，这三种实施例中均是磁耦 合占优，传输零点均位于下阻带。
[0059]第二种【具体实施方式】：
[0060]本【具体实施方式】的滤波器结构的侧视图如图1所示，包括基片集成波导谐振腔，基 片集成波导谐振腔包括介质基片2、设置在介质基片2正面的上金属层1、设置在介质基片2 反面的下金属层3,以及沿介质基片2边缘设置的贯穿两层金属层的外围金属化通孔41，如 图6所示。介质基片2为长方体，外围金属化通孔41包括沿介质基片2长边设置的第一行外围 金属化通孔和第二行外围金属化通孔，以及沿介质基片2短边设置的第一列外围金属化通 孔和第二列外围金属化通孔。外围金属化通孔41围成的区域内部设有两组内部金属化通孔 42，第一组内部金属化通孔包括共线的第一组第一列内部金属化通孔和第一组第二列内部 金属化通孔，第一组第一列内部金属化通孔垂直于第一行外围金属化通孔，第一组第二列 内部金属化通孔垂直于第二行外围金属化通孔，且第一组第一列内部金属化通孔和第一组 第二列内部金属化通孔之间形成第一感性窗;第二组内部金属化通孔包括共线的第二组第 一列内部金属化通孔和第二组第二列内部金属化通孔，第二组第一列内部金属化通孔垂直 于第一行外围金属化通孔，第二组第二列内部金属化通孔垂直于第二行外围金属化通孔， 且第二组第一列内部金属化通孔和第二组第二列内部金属化通孔之间形成第二感性窗。上 金属层1上还开设有两个非谐振节点结构，分别是位于第一感性窗正上方的第一非谐振节 点结构8和位于第二感性窗正上方的第二非谐振节点结构9。第一非谐振节点结构8包括三 条平行均匀的第一槽线81，三条第一槽线81的形状、尺寸均相同，相邻两条第一槽线81之间 的距离也相同。第二非谐振节点结构9包括三条平行均匀的第二槽线91，三条第二槽线91的 形状、尺寸均相同，相邻两条第二槽线91之间的距离也相同。并且，第一槽线81和第二槽线 91的形状、尺寸均相同。此外，基片集成波导谐振腔的两端还设有输入端口5和输出端口6， 输入端口 5和输出端口 6采用尺寸相同的微带线到共面波导的过渡结构，如图6所示。整个滤 波器中心对称。
[0061]本【具体实施方式】中由外围金属化通孔41和内部金属化通孔42围成了三个谐振器， 也即构成了一个三阶滤波器。
[0062]下面介绍本【具体实施方式】的一个实施例。
[0063] 实施例7:
[0064] 图6中各参数的尺寸为：Wm = 1 ? 534mm，Lm= 15mm,Lx 1 = Lx4 = 2 ? 8mm，Lx2 = Lx3 = 7.5mm，Lex = 0?51mm，Ley = 8?1mm，Lgx = 0?45mm，S = 0?9mm，Lgy =19?4mm，Lx =16?34mm，Ly1 = Ly3 = 18 ? 24mm，Ly2 = 19 ? 24mm，Dv = 0 ? 6mm，P = 1mm，介质基片为 Rogers5880，其介电常数 为2.2，损耗角正切为0.0009，厚度为0.508mm。
[0065] 实施例7的S11和S21仿真结果如图7所示，可见，本实施例中相邻两个谐振器之间 均是电耦合占优，因此两个传输零点均位于上阻带。滤波器的中心频率为7.01GHz，带宽为 400MHz，通带内插入损耗0.77dB，波损耗优于25dB，上阻带7.89GHz、9.1GHz处产生了 2个传 输零点。
[0066] 以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技 术人员来说，在不脱离本实用新型技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变形，这些改 进和变形也应视为本实用新型的保护范围。
【主权项】
1. 一种可控混合电磁耦合基片集成波导滤波器，包括基片集成波导谐振腔，所述基片 集成波导谐振腔包括介质基片(2)、设置在介质基片(2)正面的上金属层（1)、设置在介质基 片（2)反面的下金属层(3)，以及沿介质基片（2)边缘设置的贯穿两层金属层的外围金属化 通孔(41)，基片集成波导谐振腔两端设有输入端口（5)和输出端口（6)，其特征在于:所述外 围金属化通孔(41)围成的区域内设有多组内部金属化通孔(42)，内部金属化通孔(42)包括 共线的两列内部金属化通孔，共线的两列内部金属化通孔之间形成感性窗，上金属层（1)上 开设有位于感性窗上方的非谐振节点结构，非谐振节点结构包括三条平行的槽线。2. 根据权利要求1所述的可控混合电磁耦合基片集成波导滤波器，其特征在于:所述三 条槽线的形状、尺寸均相同，且相邻两条槽线之间的距离也相同。3. 根据权利要求2所述的可控混合电磁耦合基片集成波导滤波器，其特征在于:所述非 谐振节点结构与感性窗个数相同，且非谐振节点结构位于感性窗的正上方。4. 根据权利要求1所述的可控混合电磁耦合基片集成波导滤波器，其特征在于:所述介 质基片(2)为长方体，外围金属化通孔(41)关于介质基片(2)中心对称。5. 根据权利要求4所述的可控混合电磁耦合基片集成波导滤波器，其特征在于:所述外 围金属化通孔(41)包括沿介质基片(2)长边设置的第一行外围金属化通孔和第二行外围金 属化通孔，以及沿介质基片(2)宽边设置的第一列外围金属化通孔和第二列外围金属化通 孔，所述共线的两列内部金属化通孔分别垂直于第一行外围金属化通孔和第二行外围金属 化通孔，且所述滤波器中心对称。6. 根据权利要求1所述的可控混合电磁耦合基片集成波导滤波器，其特征在于:所有外 围金属化通孔(41)的形状、尺寸均相同，相邻两个外围金属化通孔(41)之间的距离也相同。7. 根据权利要求1所述的可控混合电磁耦合基片集成波导滤波器，其特征在于:所述每 组内部金属化通孔中，所有内部金属化通孔(42)的形状、尺寸均相同，相邻两个内部金属化 通孔(42)之间的距离也相同。8. 根据权利要求1所述的可控混合电磁耦合基片集成波导滤波器，其特征在于:所述输 入端口（5)和输出端口（6)均采用微带线到共面波导的过渡结构。
【文档编号】H01P1/20GK205595429SQ201620381431
【公开日】2016年9月21日
【申请日】2016年4月29日
【发明人】龚克, 马东东, 仓玉萍, 刘彦, 胡鹏
【申请人】信阳师范学院