覆有荧光体层的光半导体元件的制作方法

覆有荧光体层的光半导体元件的制作方法
【专利摘要】本实用新型提供一种发光强度优异的覆有荧光体层的光半导体元件。以往的覆有荧光体层的光半导体元件存在不能满足所述发光强度这样的问题。本实用新型的覆有荧光体层的光半导体元件，其特征在于，具备：光半导体元件、覆盖所述光半导体元件的荧光体层、和覆盖所述荧光体层的至少一部分的透明层。由于该覆有荧光体层的光半导体元件具备覆盖荧光体层的至少一部分的透明层，因此能够提高发光强度。
【专利说明】
覆有黄光体层的光半导体元件
技术领域
[0001] 本实用新型设及覆有巧光体层的光半导体元件，详细而言，设及覆有巧光体层的 光半导体元件和用于制造覆有巧光体层的光半导体元件的方法。
【背景技术】
[0002] W往，提出一种覆有巧光体层的光半导体元件，该覆有巧光体层的光半导体元件 包括下表面暴露的光半导体元件和用于覆盖光半导体元件的上表面和侧面的巧光体层(例 如，参照日本特开2012-39013号公报）。 【实用新型内容】
[0003] 然而，要求覆有巧光体层的光半导体元件具有优异的发光强度。但是，日本特开 2012-39013号所记载的覆有巧光体层的光半导体元件存在不能满足所述发光强度运样的 问题。
[0004] 本实用新型的目的在于，提供一种发光强度优异的覆有巧光体层的光半导体元 件。
[0005] 本实用新型的技术方案（1)提供一种覆有巧光体层的光半导体元件，其中，具备： 光半导体元件、覆盖所述光半导体元件的巧光体层、和覆盖所述巧光体层的至少一部分的 透明层。
[0006] 由于该覆有巧光体层的光半导体元件具备覆盖巧光体层的至少一部分的透明层， 因此能够提高发光强度。
[0007] 本实用新型的技术方案(2)是根据技术方案（1)所述的覆有巧光体层的光半导体 元件，其中，所述光半导体元件具有:元件侧可接触面，其能够与基板相接触;元件侧相对 面，其相对于所述元件侧可接触面在一方向的一侧隔开距离X地相对配置；和元件侧连结 面，其与所述元件侧可接触面W及所述元件侧相对面相连结，所述巧光体层具有：巧光体 侧第1相对面，其相对于所述元件侧相对面在所述一侧隔开距离y地相对配置;巧光体侧第2 相对面，其相对于所述元件侧连结面在与所述一方向正交的正交方向上隔开距离a地相对 配置，所述透明层具有:透明侧相对面，其相对于所述巧光体侧第1相对面在所述一侧隔开 距离Z地相对配置;和透明侧连结面，其与所述透明侧相对面相连结，并且在所述一方向上 投影时，相对于所述元件侧连结面在所述正交方向上隔开间隔地配置，所述覆有巧光体层 的光半导体元件满足下述(1)~(4)的全部条件。
[000引（1)所述距离y除W所述距离X的值(y/x)为1~5;
[0009] (2)所述距离y与所述距离Z的和(y+z)为0.25mm~2mm;
[0010] (3)所述距离a与所述巧光体侧第2相对面和所述透明侧连结面之间的距离0之和 (a+0)为50皿~2000皿，其中，所述距离0为OW上；
[0011] (4)所述距离y除W所述距离a的值(y/a)为1~2.5。
[0012] 由于该覆有巧光体层的光半导体元件满足所述（1)~(4)的全部条件，因此能够进 一步提高发光强度并具有优异的颜色均匀性且能够抑制颜色不均匀。
[0013] 本实用新型的技术方案(3)是根据技术方案（1)或技术方案(2)所述的覆有巧光体 层的光半导体元件，其中，所述巧光体层含有巧光体和第1透明组合物，所述第1透明组合物 的折射率RIp为1.45~1.60。
[0014] 在该覆有巧光体层的光半导体元件中，由于第1透明组合物的折射率RIp为1.45~ 1.60，因此能够提高发光强度。
[0015] 本实用新型的技术方案(4)是根据技术方案（1)至(3)中任一项所述的覆有巧光体 层的光半导体元件，其中，所述巧光体层含有巧光体和第1透明组合物，所述透明层含有第2 透明组合物，所述第1透明组合物的折射率RIp减去所述第2透明组合物的折射率RIt的值 (RIp-RIt)为-0.70~0.20。
[0016] 在该覆有巧光体层的光半导体元件中，由于第1透明组合物的折射率RIp减去第2 透明组合物的折射率RIt的值(RIp-RIt)为-0.70~0.20,因此能够提高发光强度。
[0017] 本实用新型的技术方案(5)是根据技术方案(4)所述的覆有巧光体层的光半导体 元件，其中，所述RIp减去所述RIt为0.05W上。
[001引在该覆有巧光体层的光半导体元件中，由于RIp-RIt为0.05W上，因此能够进一步 提高发光强度。
[0019] 本实用新型的技术方案(6)是根据技术方案(2)所述的覆有巧光体层的光半导体 元件，其中，所述巧光体侧第2相对面和所述透明侧连结面在所述一方向上形成为一个面。
[0020] 能够利用简单的方法使巧光体侧第2相对面和透明侧连结面分别形成于覆有巧光 体层的光半导体元件中的巧光体层和透明层。
[0021] 本实用新型的技术方案(7)是根据技术方案(2)或技术方案(6)所述的覆有巧光体 层的光半导体元件，其中，所述距离a超过50WI1。
[0022] 在该覆有巧光体层的光半导体元件中，由于距离a超过50皿，因此能够提高颜色均 匀性。
【附图说明】
[0023] 图1表示作为本实用新型的覆有巧光体层的光半导体元件的第1实施方式的被巧 光体层密封的LED(是透明层的侧面和巧光体层的侧面形成为一个面的形态)的剖视图。
[0024] 图2A~图2F是表示图1所示的被巧光体层密封的Lm)的制造方法和使用被巧光体 层密封的L邸的L邸装置的制造方法的工序图，其中，
[0025] 图2A表示准备密封片的工序，
[00%] 图2B表示准备多个L邸的工序，
[0027] 图2C表示利用密封片来密封多个L邸的工序，
[0028] 图2D表示单片化为被巧光体层密封的L邸的工序，
[0029] 图沈表示获得被巧光体层密封的L邸的工序，
[0030] 图2F表示将被巧光体层密封的L邸安装于基板的工序。
[0031] 图3A~图3D是表示图2A~图2F所示的被巧光体层密封的Lm)的制造方法和Lm)装 置的制造方法的变形例的工序图，其中，
[0032] 图3A表示准备L邸和第1堪的工序，
[0033] 图3B表示配置第I堪的工序，
[0034] 图3C表示使巧光体层形成于第1堪内的工序，
[0035] 图3D表示提起第1堪并接着准备第2堪的工序，
[0036] 图3E表示配置第2堪的工序。
[0037] 图4A~图4D是表示接着图3E继续说明图2A~图2E所示的被巧光体层密封的L邸的 制造方法和L邸装置的制造方法的变形例的工序图，其中，
[0038] 图4A表示使透明层形成于第2堪内的工序，
[0039] 图4B表示沿着巧光体层和透明层运两者与第2堪之间的界面将巧光体层、透明层 W及第2堪切断的工序，
[0040] 图4C表示获得被巧光体层密封的L邸的工序，
[0041 ]图4D表示将被巧光体层密封的L邸安装于基板的工序。
[0042] 图5表示图1所示的被巧光体层密封的LED的变形例（是巧光体层的下表面位于比 L邸的下表面靠上侧的位置的形态)的剖视图。
[0043] 图6表示作为本实用新型的覆有巧光体层的光半导体元件的第2实施方式的被巧 光体层密封的LED(是透明层的侧面形成于比巧光体层的侧面靠外侧的位置的形态)的剖视 图。
[0044] 图7A~图7F是表示图6所示的被巧光体层密封的Lm)的制造方法和使用被巧光体 层密封的L邸的L邸装置的制造方法的工序图，其中，
[0045] 图7A表示准备多个LED和巧光密封片的工序，
[0046] 图7B表示利用巧光体层来密封多个LED的工序，
[0047] 图7C表示将剥离片自巧光体层剥下的工序，
[004引图7D表示单片化为被巧光体层密封的L邸的工序，
[0049] 图7E表示将被巧光体层密封的LED自支承板剥离的工序，
[0050] 图7F表示获得被巧光体层密封的L邸的工序。
[0051] 图8A~图8F是表示接着图7F继续说明图6所示的被巧光体层密封的LED的制造方 法和使用被巧光体层密封的L邸的L邸装置的制造方法的工序图，其中，
[0052] 图8A表示将多个被巧光体层密封的L邸再配置于第2支承板并准备透明片的工序，
[0053] 图8B表示利用透明层来密封多个被巧光体层密封的L邸的工序，
[0054] 图8C表示将第域幅片自透明层剥下的工序，
[0055] 图8D表示单片化为被巧光体层密封的L邸的工序，
[0056] 图8E表示获得被巧光体层密封的L邸的工序，
[0057] 图8F表示将被巧光体层密封的L邸安装于基板的工序。
[0058] 图9表示图6所示的被巧光体层密封的LED的变形例（是巧光体层的下表面和透明 层的下表面均具有自Lm)暴露的暴露面且暴露面具有位于比Lm)的下表面靠上侧的位置的 部分的形态)的剖视图。
[0059] 图IOA~图IOE是表示用于获得图7所示的被巧光体层密封的Lm)的方法的变形例 的工序图，其中，
[0060] 图IOA表示准备多个L邸和巧光密封片的工序，
[0061] 图IOB表示利用巧光体层来密封多个LED的工序，
[0062] 图IOC表示将剥离片自巧光体层剥下的工序，
[0063] 图IOD表示单片化为被巧光体层密封的L邸的工序，
[0064] 图IOE表示获得被巧光体层密封的L邸的工序。
[0065] 图11表示作为本实用新型的覆有巧光体层的光半导体元件的第3实施方式的被巧 光体层密封的LED(是透明层具有凸缘部的形态)的剖视图。
[0066] 图12A~图12D是表示图11所示的被巧光体层密封的Lm)的制造方法和使用巧光体 层密封LE的L邸装置的制造方法的工序图，其中，
[0067] 图12A表示准备多个L邸和巧光密封片的工序，
[0068] 图12B表示利用巧光体层来密封多个L邸的工序，
[0069] 图12C表示在巧光体层形成凹部的工序，
[0070] 图12D表示准备透明片的工序。
[0071] 图13A~图13E是表示接着图12D继续说明图11所示的被巧光体层密封的LED的制 造方法和使用被巧光体层密封的L邸的L邸装置的制造方法的工序图，其中，
[0072] 图13A表示将透明层配置于巧光体层的上表面并接着将第2剥离片自透明层剥下 的工序，
[0073] 图13B表示单片化为被巧光体层密封的L邸的工序，
[0074] 图13C表示获得被巧光体层密封的L邸工序，
[0075] 图13D表示将被巧光体层密封的L邸转印到转印片上的工序，
[0076] 图13E表示将被巧光体层密封的L邸安装于基板的工序。
[0077] 图14A~图14D是表示图11所示的被巧光体层密封的Lm)的制造方法和使用被巧光 体层密封的L邸的L邸装置的制造方法的变形例的工序图，其中，
[0078] 图14A表示准备多个L邸和巧光密封片的工序，
[0079] 图14B表示利用巧光体层来密封多个L邸的工序，
[0080] 图14C表示将剥离片自巧光体层剥下的工序，
[0081] 图14D表示准备透明片的工序。
[0082] 图15A~图15D是表示接着图14D继续说明图11所示的被巧光体层密封的LED的制 造方法和使用被巧光体层密封的L邸的L邸装置的制造方法的变形例的工序图，其中，
[0083] 图15A表示将透明层配置于巧光体层的上表面并接着将第2剥离片自透明层剥下 的工序，
[0084] 图15B表示单片化为被巧光体层密封的L邸的工序，
[0085] 图15C表示获得被巧光体层密封的L邸的工序，
[0086] 图15D表示将被巧光体层密封的L邸安装于基板的工序。
[0087] 图16表示比较例1的被巧光体层密封的LED(是没有透明层的形态)的剖视图。
[008引图17表示比较例2的被巧光体层密封的LED(是在巧光体层形成有凸缘部、而没有 透明层的形态）的剖视图。
【具体实施方式】
[0089]本实用新型的覆有巧光体层的光半导体元件具备:光半导体元件、覆盖光半导体 元件的巧光体层、和覆盖巧光体层的至少一部分的透明层。
[0090] W下，利用第I实施方式~第3实施方式并参照图I~图I加来说明本实用新型的覆 有巧光体层的光半导体元件和其制造方法的一个例子。
[0091] 第1实施方式
[0092] 在图1中，纸面上下方向是上下方向（第1方向、即厚度方向），纸面上侧是上侧(第1 方向的一侧、即厚度方向的一侧），纸面下侧是下侧(第1方向的另一侧、即厚度方向的另一 侧）。纸面左右方向是左右方向（与第1方向正交的第2方向），纸面左侧是左侧(第2方向的一 侧），纸面右侧是右侧(第2方向的另一侧）。纸厚方向是前后方向（与第1方向和第2方向正交 的第3方向），纸面近前侧是前侧(第3方向的一侧），纸面进深侧是后侧(第3方向的另一侧）。
[0093] 被巧光体层密封的LED
[0094] 如图1所示，作为覆有巧光体层的光半导体元件的一个例子的被巧光体层密封的 LEDl包括:L抓2,其是光半导体元件的一个例子；巧光体层3,其覆盖LED2的上表面和侧面； 和透明层4,其覆盖巧光体层3的上表面。
[00M]各构件的说明
[0096] LED2为能将电能转换为光能的光半导体元件。光半导体元件不包括在技术领域上 与光半导体元件不同的晶体管等整流器。LED2形成为例如厚度(上下方向上的最大长度)比 面方向长度(具体而言，左右方向长度和前后方向长度)短的剖视大致矩形形状和俯视大 致矩形形状。LED2具有下表面21、上表面22、W及侧面23。
[0097] LED2的下表面21是能够与基板50相接触的元件侧可接触面的一个例子。LED2的下 表面21的一部分由凸块(未图示)形成并与设于基板50的上表面的端子(没有在图2中图示） 电连接。LED2的下表面21是被巧光体层密封的LEDl的最下表面。
[0098] LED2的上表面22是相对于LED2的下表面21在上侧(是一侧的一个例子)隔开距离X 地相对配置的元件侧相对面的一个例子。此外，所述LED2的上表面22在上侧与下表面21隔 开的距离X与LED2的厚度X相同。
[0099] LED2的侧面23、也就是说前表面、后表面、左表面W及右表面是与下表面21和上表 面22相连结的元件侧连结面的一个例子。
[0100] LED2的上表面22和侧面23由发光层(未图示)形成。
[0101] 作为LED2,可列举出例如发出蓝色光的蓝色LED(发光二极管元件）。
[0102] 巧光体层3是将自LED2发出的蓝色光的一部分转换为黄色光的波长转换层。巧光 体层3形成为在俯视时包括LED2的形状。巧光体层3W覆盖LED2的上表面22和侧面23而使 LED2的下表面21暴露的方式配置。也就是说，在巧光体层3的下部的中央形成有用于容纳 LED2的容纳部30。容纳部30是自巧光体层3的下表面32朝向上侧凹入的凹部，其W与LED2的 外形形状相对应的方式形成。也就是说，巧光体层3形成为形成有容纳部30的剖视大致矩形 形状和俯视大致矩形形状。巧光体层3具有下表面32、上表面31、侧面33、W及形成于容纳部 30内的内表面34。
[0103] 巧光体层3的下表面32是巧光体层3的最下表面且是能够与基板50相接触的巧光 体侧可接触面。
[0104] 巧光体层3的上表面31是相对于LED2的上表面22在上侧(是一侧的一个例子)隔开 距离y地相对配置的巧光体侧第1相对面的一个例子。另外，巧光体层3的上表面31还是相 对于LED2的上表面22在上侧隔开距离y地相对配置的面。此外，在巧光体层3中，上表面31在 上侧与巧光体层3的下表面32(即，LED2的上表面22)隔开的距离y是巧光体层3中的与LED2 的上侧相对配置的部分的厚度y。
[0105] 巧光体层3的侧面33、也就是说，前表面、后表面、左表面W及右表面是相对于LED2 的侧面23在面方向（是正交方向的一个例子)外侧隔开距离a地相对配置的巧光体侧第2相 对面的一个例子。另外，巧光体层3的侧面33形成为在侧方暴露的暴露面。此外，巧光体层3 的侦晒33在外侧与LED2的侧面23隔开的距离a是巧光体层3中的相对配置于LED2的外侧的 部分(侧部35)的左右方向长度和前后方向长度(最小长度)a。
[0106] 巧光体层3的容纳部30的内表面34与LED2的上表面22和侧面23相接触。
[0107] 巧光体层3由例如巧光体树脂组合物形成。
[0108] 巧光体树脂组合物含有巧光体和透明树脂组合物(是作为第1透明组合物的一个 例子的第1透明树脂组合物）。
[0109] 作为巧光体，可列举出例如能够将蓝色光转换成黄色光的黄色巧光体、能够将蓝 色光转换成红色光的红色巧光体等。
[0110] 作为黄色巧光体，可列举出例如(8曰，5'，〔曰)251〇4:611、（5'，8曰)251〇4:611(原娃酸领 (BOS))等娃酸盐巧光体、例如YsAl日0i2:Ce(YAG(锭?侣?石恼石）：〔6)、化3413〇12:〔6(1八6 (铺?侣?石恼石）：Ce)等具有石恼石型结晶构造的石恼石型巧光体、例如化-Q-SiAlON等 氮氧化物巧光体等。
[0111] 作为红色巧光体，可列举出例如CaAlSi化:Eu XaSi化:化等氮化物巧光体等。
[0112] 作为巧光体的形状，可列举出例如球状、板状、针状等。从流动性的观点看，优选列 举出球状。
[0113] 巧光体的最大长度的平均值（巧光体为球状的情况下是平均粒径)例如为0.1皿 W上，优选为1皿W上，并且例如为200皿^下，优选为lOOwnW下。
[0114] 巧光体的比重例如超过2.0，并且例如为9. OW下。
[0115] 巧光体能够单独使用或组合使用。
[0116] 相对于100质量份透明树脂组合物，巧光体的配混比例例如为0.1质量份W上，优 选为0.5质量份W上，并且例如为80质量份W下，还优选为50质量份W下。另外，相对于巧光 体树脂组合物，巧光体的配混比例例如为0.1质量％ ^上，优选为0.5质量％ ^上，并且例如 为90质量％ ^下，优选为80质量％ W下。
[0117] 作为透明树脂组合物，可列举出例如作为用于将LED2密封的密封材料而使用的透 明性的树脂组合物。具体而言，作为透明树脂组合物，可列举出例如热固性树脂组合物、热 塑性树脂组合物，优选列举出热固性树脂组合物。
[0118] 作为热固性树脂组合物，可列举出例如两阶段反应固化性树脂组合物、一阶段反 应固化性树脂组合物。
[0119] 两阶段反应固化性树脂组合物具有两个反应机理，其能够在第1阶段的反应中自A 阶段状态实现郎介段化(半固化）、接着在第2阶段的反应中自郎介段状态实现C阶段化(完全 固化）。也就是说，两阶段反应固化性树脂组合物是能够通过适度的加热条件而成为郎介段 状态的热固性树脂组合物。但是，在剧烈的加热作用下，两阶段反应固化性树脂组合物也能 够自A阶段状态一次性地成为邱介段状态，而不维持郎介段状态。此外，B阶段状态为热固性树 脂组合物在液状的A阶段状态和完全固化后的邱介段状态之间的状态，为固化和凝胶化稍稍 进行且压缩弹性模量比邱介段状态的压缩弹性模量小的半固体状态或固体状态。
[0120] -阶段反应固化性树脂组合物具有一个反应机理，其能够在第1阶段的反应中自A 阶段状态实现邱介段化(完全固化）。此外，一阶段反应固化性树脂组合物包括如下那样的热 固性树脂组合物:在第1阶段的反应的中途使该热固性树脂组合物的反应停止，该热固性 树脂组合物能够自A阶段状态成为郎介段状态，通过之后的进一步的加热而再次开始第1阶 段的反应，该热固性树脂组合物能够自郎介段状态实现邱介段化(完全固化）。也就是说，该热 固性树脂组合物是能够成为郎介段状态的热固性树脂组合物。另一方面，一阶段反应固化性 树脂组合物包括如下那样的热固性树脂组合物:不能W使该热固性树脂组合物在一阶段的 反应的中途停止的方式对该热固性树脂组合物进行控制，也就是说，该热固性树脂组合物 不能成为郎介段状态，而是一次性地自A阶段状态实现邱介段化(完全固化）。
[0121] 作为透明树脂组合物，可列举出例如有机娃树脂、环氧树脂、聚氨醋树脂、聚酷亚 胺树脂、酪醒树脂、脈醒树脂、密胺树脂、不饱和聚醋树脂等。作为透明树脂组合物，优选列 举出有机娃树脂、环氧树脂。
[0122] 所述透明树脂组合物可W为同一种或多种。
[0123] 作为有机娃树脂，从透明性、耐久性、耐热性、耐光性的观点考虑，可列举出例如加 成反应固化型有机娃树脂组合物、缩合?加成反应固化型有机娃树脂组合物等有机娃树脂 组合物。有机娃树脂既能够单独使用，也能够组合使用。
[0124] 加成反应固化型有机娃树脂组合物是一阶段反应固化性树脂组合物，其含有例如 含締基聚硅氧烷、含氨化甲娃烷基聚硅氧烷、W及娃氨化催化剂。
[0125] 含締基聚硅氧烷在分子内含有两个W上的链締基和/或环締基。含締基聚硅氧烷 具体而言通过下述平均组成式（1)来表示。
[0126] 平均组成式（1):
[0127] RlaR\SiO(4-a-b)/2
[0128] (式中，Ri表示碳数2~10的链締基和/或碳数3~10的环締基。R2表示非取代或取代 的碳数1~10的一价控基（其中，不包括链締基和环締基。）。3为0.05~0.50，b为0.80~ 1.80。）
[0129] 在式（1)中，作为Ri所示的链締基，可列举出例如乙締基、締丙基、丙締基、下締基、 戊締基、己締基、庚締基、辛締基等碳数2~10的链締基。作为Ri所示环締基，可列举出例如 环己締基、降冰片締基等碳数3~10的环締基。
[0130] 作为Ri,优选列举出链締基，更优选列举出碳数2~4的链締基，进一步优选列举出 乙締基。
[0131] Ri所示的链締基可W为同一种或多种。
[0132] R2所示的一价控基是链締基和环締基W外的非取代或取代的碳原子数1~10的一 价控基。
[0133] 作为非取代的一价控基，可列举出：例如甲基、乙基、丙基、异丙基、下基、异下基、 仲下基、叔下基、戊基、己基、庚基、辛基、2-乙基己基、壬基、癸基等碳数1~10的烷基；例如 环丙基、环下基、环戊基、环己基等碳数3~6的环烷基;例如苯基、甲苯基、糞基等碳数6~10 的芳基;例如苄基、苄基乙基等碳数7~8的芳烷基。优选列举出碳数1~3的烷基、碳数6~10 的芳基，更优选列举出甲基和/或苯基。
[0134] 另一方面，作为取代的一价控基，可列举出用取代基来取代所前述非取代的一价 控基中的氨原子而成的一价控基。
[0135] 作为取代基，可列举出例如氯原子等面原子、例如缩水甘油酸基等。
[0136] 作为取代的一价控基，具体而言，可列举出3-氯丙基、环氧丙氧基丙基等。
[0137] -价控基可W为非取代和取代中的任一者，优选为非取代。
[0138] R2所示的一价控基可W为同一种或多种。优选列举出甲基和/或苯基，更优选组合 使用甲基和苯基。
[0139] a 优选为 0.10 ~0.40。
[0140] b 优选为 1.5 ~1.75。
[0141] 含締基聚硅氧烷的重均分子量例如为100 W上，优选为500 W上，并且例如为10000 W下，优选为5000W下。含締基聚硅氧烷的重均分子量是通过凝胶渗透色谱法测定的标准 聚苯乙締的换算值。
[0142] 含締基聚硅氧烷可W利用适当的方法来制备，另外，也可W使用市售品。
[0143] 另外，含締基聚硅氧烷可W为同一种或多种。
[0144] 含氨化甲娃烷基聚硅氧烷例如在分子内含有两个W上的氨化甲娃烷基（SiH基）。 具体而言，含氨化甲娃烷基聚硅氧烷由下述平均组成式(2)来表示。
[0145] 平均组成式(2):
[0146] HcR^dSiO(4-c-d)/2
[0147] (在式子中，R3表示非取代或取代的碳数1~10的一价控基（其中，不包括链締基 和/或环締基。）dC为0.30~1.0，d为0.90~2.0。）
[0148] 在式(2)中，作为R3所示的非取代或取代的碳数1~10的一价控基，可例示与式（1) 的R2所示的非取代或取代的碳数1~10的一价控基相同的一价控基。优选列举出非取代的 碳数1~10的一价控基，更优选列举出碳数1~10的烷基、碳数6~10的芳基，进一步优选列 举出甲基和/或苯基。
[0149] C优选为0.5 W下。
[0150] d 优选为 1.3 ~1.7。
[0151] 含氨化甲娃烷基聚硅氧烷的重均分子量例如为IOOW上，优选为500W上，并且例 如为1000 OW下，优选为5000W下。含氨化甲娃烷基聚硅氧烷的重均分子量是通过凝胶渗透 色谱法测定的标准聚苯乙締的换算值。
[0152] 含氨化甲娃烷基聚硅氧烷可W通过适当的方法来制备，另外，也可W使用市售品。
[0153] 另外，含氨化甲娃烷基聚硅氧烷可W为同一种或多种。
[0154] 在上述平均组成式（1)和平均组成式（2)中，R2和R3中的至少任一者的控基优选含 有苯基，更优选的是，R2和R3运两者的控基均含有苯基。其中，在R2和R 3中的至少任一者的控 基含有苯基的情况下，加成反应固化型有机娃树脂组合物为苯基系有机娃树脂组合物。该 苯基系有机娃树脂组合物是能够形成郎介段状态的一阶段反应固化性树脂组合物。苯基系 有机娃树脂组合物的折射率例如为1.45 W上，优选为1.50 W上。
[0155] 另一方面，在R2和R3运两者的控均为甲基的情况下，加成反应固化型有机娃树脂组 合物为甲基系有机娃树脂组合物。甲基系有机娃树脂组合物是不能形成郎介段状态的一阶 段反应固化性树脂组合物。甲基系有机娃树脂组合物的折射率例如为1.50 W下，优选为 1.45?下。
[0156] 在加成反应固化型有机娃树脂组合物中，从获得优异的气体透过率的观点考虑， 优选列举出甲基系有机娃树脂组合物。
[0157] 对含氨化甲娃烷基聚硅氧烷的配混比例进行调整，使得含締基聚硅氧烷中的链締 基和环締基的摩尔数相对于含氨化甲娃烷基聚硅氧烷中的氨化甲娃烷基的摩尔数的比例 (链締基和环締基的摩尔数/氨化甲娃烷基的摩尔数)例如为1/30W上，优选为1/3W上，并 且例如为30/1W下，优选为3/1W下。
[0158] 只要娃氨化催化剂为能提高含締基聚硅氧烷中的链締基和/或环締基与含氨化甲 娃烷基聚硅氧烷中的氨化甲娃烷基的娃氨化反应(娃氨加成）的反应速度的物质（加成催化 剂），就对其没有特别限定，可列举出例如金属催化剂。作为金属催化剂，可列举出例如销 黑、氯化销、氯销酸、销-締控络合物、销-幾基络合物、销-乙酷醋酸醋(acetyl acetate)等 销催化剂、例如钮催化剂、例如锭催化剂等。
[0159] 关于娃氨化催化剂的配混比例，按照W金属催化剂的金属量(具体而言为金属原 子)为准的质量基准计，相对于含締基聚硅氧烷和含氨化甲娃烷基聚硅氧烷例如为1.化pm W上，并且例如为lOOOOppmW下，优选为1000 ppmW下，更优选为SOOppmW下。
[0160] 加成反应固化型有机娃树脂组合物是通过W上述比例配混含締基聚硅氧烷、含氨 化甲娃烷基聚硅氧烷W及娃氨化催化剂而制备的。
[0161] 所述加成反应固化型有机娃树脂组合物通过配混含締基聚硅氧烷、含氨化甲硅烷 基聚硅氧烷W及娃氨化催化剂而制备成A阶段(液体)的状态使用。
[0162] 如上所述，在苯基系有机娃树脂组合物中，通过期望条件的加热而使含締基聚娃 氧烧中的链締基和/或环締基与含氨化甲娃烷基聚硅氧烷中的氨化甲娃烷基发生娃氨加成 反应，之后，使娃氨加成反应暂时停止。由此，能够自A阶段状态变为郎介段(半固化)状态。之 后，通过进一步期望条件的加热，使上述娃氨加成反应再次开始，结束。由此，能够自郎介段 状态变为邱介段(完全固化)状态。
[0163] 需要说明的是，苯基系有机娃树脂组合物在处于郎介段(半固化)状态时为固体状。 并且，该郎介段状态的苯基系有机娃树脂组合物能够兼具热塑性和热固性。也就是说，B阶段 的苯基系有机娃树脂组合物会通过加热而暂时塑化，然后完全固化。
[0164] 另一方面，在上述甲基系有机娃树脂组合物中，使链締基和/或环締基与氨化甲娃 烷基发生娃氨加成反应，并在不使娃氨加成反应停止的情况下促进娃氨加成反应，之后结 束。由此，能够自A阶段状态变为C阶段(完全固化)状态。作为甲基系有机娃树脂组合物，可 W使用市售品。作为市售品，可列举出例如ELASTOSIL系列(旭化成威克娃（日文:旭化成口y 力一シリ3 -シ）公司制造），具体而言为ELAST0SIL LR7665等甲基系有机娃树脂组合物）、 K邸系列(信越娃（日文:信越シリ3 -シ)公司制造)等。
[0165] 缩合.加成反应固化型有机娃树脂组合物为两阶段反应固化性树脂，具体而言， 可列举出例如日本特开2010-265436号公报、日本特开2013-187227号公报等记载的第1~ 第8缩合?加成反应固化型有机娃树脂组合物、例如日本特开2013-091705号公报、日本特 开2013-001815号公报、日本特开2013-001814号公报、日本特开2013-001813号公报、日本 特开2012-102167号公报等记载的含笼型八聚倍半硅氧烷的有机娃树脂组合物等。需要说 明的是，缩合?加成反应固化型有机娃树脂组合物为固体状，其兼具热塑性和热固性。
[0166] 作为环氧树脂，可列举出例如双酪型环氧树脂(例如双酪A型环氧树脂、双酪F型环 氧树脂、双酪S型环氧树脂、氨化双酪A型环氧树脂、二聚酸改性双酪型环氧树脂等）、酪醒清 漆型环氧树脂(例如苯酪酪醒清漆型环氧树脂、甲酪酪醒清漆型环氧树脂、联苯型环氧树 脂等）、糞型环氧树脂、巧型环氧树脂(例如联芳基巧型环氧树脂等）、=苯基甲烧型环氧树 月旨(例如=径基苯基甲烧型环氧树脂等)等芳香族系环氧树脂、例如=环氧基丙基异氯脈酸 醋（异氯脈酸=缩水甘油醋）、乙内酷脈环氧树脂等含氮环环氧树脂、例如脂肪族系环氧树 月旨、例如脂环式环氧树脂(例如二环戊二締型环氧树脂等二环型环氧树脂等）、例如缩水甘 油酸型环氧树脂、例如缩水甘油胺型环氧树脂等。另外，作为环氧树脂，还可列举出例如邻 苯二甲酸、四氨邻苯二甲酸、六氨邻苯二甲酸、甲基四氨邻苯二甲酸、纳迪克酸、甲基纳迪克 酸等二元簇酸的二缩水甘油醋等。进而，作为环氧树脂，还可列举出具有芳香环被氨化的脂 环式结构的核氨化偏苯=酸、核氨化均苯四酸等的缩水甘油醋等。
[0167] 环氧树脂可W单独使用或组合使用。
[0168] 环氧树脂可W为液状、半固态W及固态中的任一形态。环氧树脂的平均环氧当量 例如为90~1000。在环氧树脂为固态的情况下，从处理的便利性的观点考虑，例如软化点为 50°C ~160°C。
[0169] 环氧树脂通常与固化剂组合使用。作为固化剂，可列举出例如酸酢系固化剂、异氯 脈酸衍生物系固化剂等。
[0170] 作为酸酢系固化剂，可列举出例如邻苯二甲酸酢、马来酸酢、偏苯S酸酢、均苯四 酸酢、六氨邻苯二甲酸酢、四氨邻苯二甲酸酢、甲基纳迪克酸酢、纳迪克酸酢、戊二酸酢、甲 基六氨邻苯二甲酸酢、甲基四氨邻苯二甲酸酢等。酸酢系固化剂可W单独使用或两种W上 组合使用。
[0171] 作为异氯脈酸衍生物系固化剂，可列举出例如1，3,5-S(1-簇甲基)异氯脈酸醋、 1，3,5-S(2-簇乙基）异氯脈酸醋、1，3,5-S(3-簇丙基)异氯脈酸醋、1,3-双（2-簇乙基）异 氯脈酸醋等。异氯脈酸衍生物系固化剂可W单独使用或两种W上组合使用。
[0172] 固化剂可W单独使用或两种W上组合使用。
[0173] 例如W如下方式对环氧树脂与固化剂之间的配混比例进行设定:相对于环氧树脂 中的环氧基1当量，使能够与固化剂中的环氧基发生反应的活性基团（酸酢基或簇基）为 0.5当量~1.5当量，优选为0.7当量~1.2当量。
[0174] 另外，透明树脂组合物还可W进一步含有填料。
[0175] 作为填料，可列举出无机颗粒、有机颗粒等颗粒。
[0176] 作为无机颗粒，可列举出例如二氧化娃（Si〇2)、滑石(Mg3(Si地1〇)化0)2)、氧化侣 (Al2〇3)、氧化棚（日2〇3)、氧化巧（CaO)、氧化锋（ZnO)、氧化锁（SrO)、氧化儀(MgO)、氧化错 (Zr〇2)、氧化领(BaO)、氧化錬(Sb2〇3)等氧化物、例如氮化侣(A1N)、氮化娃间3抓)等氮化物 等无机物颗粒(无机物）。另外，作为无机颗粒，可列举出例如由上述例示的无机物制备的复 合无机物颗粒，优选列举出由氧化物制备的复合无机氧化物颗粒（具体而言为玻璃颗粒 等)。
[0177] 在复合无机氧化物颗粒中，作为主成分而含有例如二氧化娃或二氧化娃和氧化 棚，另外，作为副成分而含有氧化侣、氧化巧、氧化锋、氧化锁、氧化儀、氧化错、氧化领、氧化 錬等。关于复合无机氧化物颗粒中的主成分含有比例，相对于复合无机氧化物颗粒例如大 于40质量％，优选为50质量％ ^上，并且例如为90质量％ ^下，优选为80质量％ ^下。副成 分的含有比例是上述主成分的含有比例的剩余部分。
[0178] 复合氧化物颗粒是通过W下方式制得的：配混上述主成分和副成分，进行加热而 使之烙融，接着将它们的烙融物快速冷却，之后，利用例如球磨机等进行粉碎，之后，根据需 要进行适当的表面加工(具体而言为球体化等），由此制得。
[0179] 无机颗粒可W单独使用或组合使用。
[0180] 作为有机颗粒的有机材料，可列举出例如丙締酸类树脂、苯乙締系树脂、丙締酸- 苯乙締系树脂、有机娃系树脂、聚碳酸醋系树脂、苯并脈胺系树脂、聚締控系树脂、聚醋系树 月旨、聚酷胺系树脂、聚酷亚胺系树脂等。运些树脂可W单独使用或组合使用。
[0181] 在运样的有机材料之中，从光扩散性、获得性的观点考虑，优选列举出有机娃系树 脂。
[0182] 有机颗粒可W单独使用或组合使用。
[0183] 填料可W单独使用或组合使用。
[0184] 填料的折射率例如为1.40W上，并且例如为1.600W下。
[0185] 填料的形状并不特别限定，可列举出例如球状、板状、针状等。从流动性的观点看， 优选列举出球状。
[0186] 填料的平均粒径例如为3]imW上，优选为扣mW上，并且例如为70]imW下，优选为50 皿W下。
[0187] 关于填料的含有比例，相对于透明树脂组合物，例如为1质量％ ^上，优选为3质 量％ ^上，并且例如为80质量％ ^下，优选为75质量％ W下。
[01则透明树脂组合物(第1透明组合物的一个例子）的折射率RIp例如为1.40W上，优选 为1.45W上，更优选为1.50W上，并且例如为1.63W下，优选为1.60W下，更优选为1.57W 下。若透明树脂组合物的折射率RIp为上述下限W上，则能够提高被巧光体层密封的LEDl的 发光强度。
[0189] 透明树脂组合物的折射率RIp可W通过阿贝折射计算出。需要说明的是，在透明树 脂组合物含有热固性树脂的情况下，W固化状态(完全固化状态）的折射率的形式算出。此 夕h固化前的透明树脂组合物的折射率与固化后的透明树脂组合物的折射率实质上相同。
[0190] 此外，根据需要，可W W适当的比例向巧光体树脂组合物中添加硅烷偶联剂、防老 剂、改性剂、表面活性剂、染料、颜料(不包括上述填料）、防变色剂、紫外线吸收剂等公知的 添加物。
[0191] 如图1所示，透明层4是被巧光体层密封的LEDl的最上层。具体而言，透明层4W覆 盖巧光体层3的巧光体侧第1相对面31的整个面的方式配置。透明层4的俯视形状形成为与 巧光体层3的巧光体侧第1相对面31的形状相同。也就是说，透明层4形成为剖视大致矩形形 状和俯视大致矩形形状。透明层4具有下表面41、上表面42、W及侧面43。
[0192] 透明层4的下表面41是与巧光体侧第1相对面31相接触的透明侧接触面。
[0193] 透明层4的上表面42是相对于巧光体层3的上表面31在上侧(是一侧的一个例子） 隔开距离Z地相对配置的透明侧相对面的一个例子。透明层4的上表面42是被巧光体层密封 的LEDl的最上面。透明层4的上表面42相对于巧光体层3的上表面31在上侧隔开的距离Z与 透明层4的厚度Z相同。
[0194] 透明层4的侧面43分别与透明层4的下表面41和上表面42相连结。透明层4的侧面 43是在上下方向（是一方向的一个例子)上投影时、相对于LED2的侧面23在面方向（是正交 方向的一个例子)外侧隔开间隔a地配置的透明侧连结面的一个例子。透明层4的侧面43和 巧光体层3的侧面33在上下方向上形成为一个面。
[0195] 透明层4由例如透明树脂组合物、无机物等第2透明组合物形成。
[0196] 作为透明树脂组合物，可列举出例如所述透明树脂组合物(在巧光体树脂组合物 中含有的透明树脂组合物）。在透明树脂组合物中含有的各成分和各成分的配混比例处于 与在透明树脂组合物(在巧光体树脂组合物中含有的透明树脂组合物）中含有的各成分和 各成分的配混比例重复的范围。
[0197] 作为无机物，可列举出玻璃等。作为玻璃，其并不特别限定，可列举出例如无碱玻 璃、钢玻璃、石英玻璃、棚娃酸玻璃、铅玻璃、氣化物玻璃等。另外，作为玻璃，还可列举出耐 热玻璃，具体而言，作为商品名，可列举出市场上销售的tempax玻璃、vycor玻璃、pyrex玻璃 等。作为玻璃，优选列举出无碱玻璃、钢玻璃。
[0198] 对第2透明组合物的折射率RIt进行设定，使得第1透明树脂组合物(在巧光体层3 中含有的透明树脂组合物)的折射率RIp减去第2透明组合物的折射率RI t的值(RIp-RI t)例 如为-1. OW上，优选为-0.7 W上，更优选为OW上，进一步优选为0.05 W上，尤其优选为0.10 W上，并例如为0.20W下。若RIp-RIt为所述下限W上，则能够获得更优异的发光强度。若 RIp-RIt为所述上限W下，则能够抑制光在透明层4与巧光体层3之间的界面处的反射。
[0199] 透明层4也可W由例如多层形成。
[0200] 尺寸
[0201] 根据用途和目的来适当设定LED2、巧光体层3W及透明层4运几者的尺寸。
[0202] 距离x(LED2的厚度X)例如为10皿W上，优选为50皿W上，并且例如为1000皿W下， 优选为500皿^下。
[0203] LED2的左右方向长度丫和前后方向长度(没有在图1中图示)是LED2的面方向上的 最小长度，例如为0.1皿W上，优选为0.2皿W上，并且例如为SOOOiimW下，优选为2000]imW 下。
[0204] 距离y(巧光体层3中的相对配置于LED2的上侧的部分的厚度y)例如为SOwiiW上， 优选为150皿^上。另外，距离y例如为1000 limW下，优选为500皿^下，更优选为小于350皿， 进一步优选为300wiiW下，尤其优选为200wiiW下，更尤其优选为ISOwiiW下，进一步尤其优 选为lOOwnW下。若距离y小于所述上限，则能够提高巧光体层3的气体透过率，在Lm)装置60 中设有被巧光体层密封的LEDl时，能够抑制巧光体层3产生烧黑（日文:黒二巧），从而能够 提高被巧光体层密封的LEDl的可靠性，进而能够提高LED装置60的可靠性。
[0205] 距离z(透明层4的厚度Z)例如为100皿W上，优选为200皿W上。另外，距离Z例如为 1000 lim W下，优选为SOOiimW下，更优选为小于400]im，进一步优选为300]im W下，尤其优选为 200皿W下，最优选为100皿W下。若距离Z小于所述上限，则能够提高透明层4的气体透过 率，在L邸装置60中设有被巧光体层密封的LEDl时，能够抑制透明层4产生烧黑，从而能够提 高被巧光体层密封的LEDl的可靠性，进而能够提高LED装置60的可靠性。
[0206] 另外，LED2、巧光体层3W及透明层4优选满足下述(1)~(4)的全部条件。
[0207] (1)距离y除W距离X的值(y/x)例如为IW上，优选为1.25W上，并且例如为5W下， 优选小于5,更优选为4W下，进一步优选为3W下。若y/x为所述下限W上，则能够获得优异 的颜色均匀性。若y/x为所述上限W下，能够抑制颜色不均匀。
[020引 （2)距离y与距离Z的和（y+z)例如为0.20mmW上，优选为0.25mm W上，更优选为 0.5mmW上，并且例如为2mmW下，优选为1.5mmW下。若y+z为所述下限W上，则能够获得优 异的发光强度。若y+z为所述上限W下，则能够抑制材料成本。
[0209] (3)距离a(巧光体层3的侧部35的最小长度a)例如为50皿W上，优选超过50皿，更 优选为lOOwnW上，并且例如为2000wiiW下，优选为lOOOwnW下。若距离a为所述下限W上， 则能够防止颜色均匀性的降低或抑制颜色不均匀。
[0210] (4)距离y除W距离a的值(y/a)例如为IW上，优选为1.2W上，并且例如为2.5W 下，优选为2.OW下。若y/a为所述上限W下，则能够抑制颜色不均匀。
[0211] 被巧光体层密封的L邸的制造方法
[0212] 接下来，参照图2A~图2F说明制造图1所示的被巧光体层密封的L邸的方法和使用 被巧光体层密封的L邸来制造L邸装置的方法。
[0213] 被巧光体层密封的LEDl的制造方法包括:制造作为包括透明层4和巧光体层3的覆 盖片的一个例子的密封片5的工序(参照图2A);将密封片5W巧光体层3覆盖多个LED2的方 式进行配置的工序(参照图2C);和将密封片5W单片化为被巧光体层密封的LEDl的方式切 断的工序(参照图2D)。在制造密封片5的工序(参照图2A)中，包括准备透明层4的工序和在 透明层4的表面形成巧光体层3的工序。
[0214] 如图2A所示，在准备透明层4的工序中，在由透明树脂组合物形成透明层4的情况 下，首先，准备假想线所示的剥离片6。
[0215] 将剥离片6W能够剥离的方式粘合于透明层4的背面（图1中的下表面），W保护透 明层4,直到利用透明层4密封LED2(在透明层4由热固性树脂组合物形成的情况下，直到使 透明层4固化）。也就是说，剥离片6是如下那样的晓性薄膜:该晓性薄膜在密封片5的出厂? 输送?保管时W覆盖透明层4的背面的方式层叠于透明层4的背面，在即将使用密封片5时， 能够将该晓性薄膜W呈大致U字状弯曲自透明层4的背面剥下。即，剥离片6仅由晓性薄膜的 构成。另外，根据需要，对剥离片6的粘合面、也就是说剥离片6的与透明层4接触的接触面 进行氣处理等剥离处理。
[0216] 作为剥离片6,可列举出例如聚乙締薄膜、聚醋薄膜(PET等)等聚合物薄膜、例如陶 瓷片、例如金属锥等。优选列举出聚合物薄膜。另外，剥离片6的形状并不特别限定，例如，剥 离片6形成为俯视大致矩形形状(包括矩形条状、纵长状)等。剥离片6的厚度例如为化mW 上，优选为lOwnW上，并且例如为2000]imW下，优选为lOOOymW下。
[0217] 接着，在由透明树脂组合物形成透明层4的情况下，将透明树脂组合物的清漆涂敷 在剥离片6的表面上。为了将透明树脂组合物涂敷在剥离片6的表面上，能够使用例如分配 器、涂敷器、狭缝式模涂敷机（日文：乂UA歹^ 3 -夕）等涂敷装置。
[0218] 通过将透明树脂组合物涂敷在剥离片6上，从而形成透明树脂组合物的涂膜。
[0219] 之后，使涂膜完全固化(C阶段化）。作为加热条件，加热溫度为screw上，优选为 100°CW上，并且为200°CW下，优选为150°CW下。另外，加热时间例如为10分钟W上，优选 为30分钟W上，并且例如为5小时W下。
[0220] 由此，使涂膜中的A阶段的透明树脂组合物完全固化(邱介段化）。
[0221] 在透明树脂组合物含有加成反应固化型有机娃树脂组合物的情况下，使链締基 和/或环締基与氨化甲娃烷基之间的娃氨反应进行到中途，之后使娃氨反应暂时停止。
[0222] 另一方面，在透明树脂组合物含有缩合反应.加成反应固化型有机娃树脂的情况 下，使缩合反应结束。
[0223] 由此，由郎介段的透明树脂组合物形成透明层4。
[0224] 另一方面，在透明层4由无机物形成的情况下，具体而言，准备预先成形为板状的 无机物。优选的是，不使用剥离片6(参照图2A的假想线)而准备玻璃板。
[0225] 由此，由无机物形成透明层4。
[0226] 接着，如图2A所示，在透明层4的表面形成巧光体层3。
[0227] 在巧光体层3由巧光体树脂组合物形成的情况下，使用所述涂敷装置在透明层4的 表面上涂敷巧光体树脂组合物。由此，形成巧光体树脂组合物的涂膜。
[0228] 之后，在巧光体树脂组合物含有能够成为郎介段状态的热固性树脂组合物的情况 下，使涂膜实现郎介段化。加热条件与所述范围相同。由此，使涂膜B实现阶段化。
[0229] 在巧光体树脂组合物含有加成反应固化型有机娃树脂组合物的情况下，使链締基 和/或环締基与氨化甲娃烷基之间的娃氨反应进行到中途，之后使娃氨反应暂时停止。
[0230] 另一方面，在巧光体树脂组合物含有缩合反应.加成反应固化型有机娃树脂的情 况下，使缩合反应结束。
[0231 ]由此，由巧光体树脂组合物形成巧光体层3。
[0232] 接着，将板状的巧光体层3配置在透明层4的上表面上。
[0233] 由此，如图2A所示，获得包括透明层4和巧光体层3的密封片5。优选的是，密封片5 由透明层4和巧光体层3构成。
[0234] 该密封片5具有平板形状，具体而言，该密封片5具有规定的厚度，并具有沿左右方 向和前后方向延伸的、平坦的表面和平坦的背面。另外，密封片5不是L邸装置60(后述，参照 图2F)而是Lm)装置60的一个零件、即是用于制作Lm)装置60的零件，密封片5不包括LED2和 安装有LED2的基板50,其是作为零件单独流通的、能够在产业上使用的器件。
[0235] 此外，在透明层4由透明树脂组合物形成的情况下，密封片5包括剥离片6、透明层 4、巧光体层3。优选的是，密封片5由剥离片6、透明层4、W及巧光体层3构成。
[0236] 如图2B所示，另行准备多个LED2。具体而言，将多个LED2配置在支承板7的上表面 上。
[0237] 支承板7W能够剥离的方式粘合在被巧光体层密封的LEDl中的LED2的暴露面(图 1中的下表面21)上，W保护被巧光体层密封的LEDl的LED2,直到获得被巧光体层密封的 LEDl之后剥离被巧光体层密封的LEDl，该被巧光体层密封的LEDl通过如下方式获得，即，利 用巧光体层3覆盖支承板7上的多个LED2而将该多个LED2密封，从而获得密封Lm)集合体8 (后述，参照图2C)，将密封Lm)集合体8切断而获得被巧光体层密封的LED1。也就是说，支承 板7是如下那样的剥离板:该剥离板在被巧光体层密封的LEDl的出厂?输送?保管时W支 承LED2且覆盖LED2的下表面21的方式层叠于LED2的下表面21，在即将将LED2安装于基板50 时，能够如图2D的假想线所示那样将被巧光体层密封的LEDl剥下。也就是说，支承板7仅由 剥离板构成。
[0238] 支承板7由与所述剥离片6相同的材料形成。另外，也可W由能够使密封Lm)集合体 8在加热作用下容易剥离的热剥离片来形成支承板7。并且，能够在支承板7的表面上配置压 敏粘接剂层。
[0239] 支承板7的厚度例如为lOwnW上，优选为SOlimW上，并且例如为1000 limW下，优选 为 IOOtimW 下。
[0240] 并且，将多个LED2配置在支承板7的表面(上表面)上。具体而言，将多个LED2W在 左右方向和前后方向上隔开间隔的方式排列配置。另外，W使LED2的下表面21(包括未图示 的凸块)与支承板7的表面(上表面)相接触的方式将多个LED2配置在支承板7的表面(上表 面)上。
[0241] 多个LED2的间距P、即一个LED2与同该一个LED2相邻的LED2之间的间隔之间的总 和P例如为0.3mm W上，优选为0.5mmW上，并且例如为5mm W下，优选为3mm W下。另外，多个 LED2的间隔例如为0.1 mm W上，优选为0.3mm W上，并且例如为3mii拟下，优选为2mii拟下。
[0242] 之后，如图2B的箭头和图2C所示，利用密封片5来密封多个LED2。
[0243] 例如，将密封片5相对于支承多个LED2的支承板7进行压接。优选的是，将密封片5 相对于支承多个LED2的支承板7进行热压接(热加压）。
[0244] 具体而言，首先，将密封片5和多个LED2、支承板7设置于具有热源的平板加压装置 等。平板加压装置包括下模和相对配置于该下模的上侧的上模，对此没有图示。具体而言， W使多个LED2朝上的方式将剥离片6配置于下模的上表面。另外，在使图2A所示的密封片5 上下翻转之后，W使巧光体层3朝下的方式、即W使巧光体层3与LED2相对的方式将剥离片6 配置于上模的下表面。
[0245] 然后，利用平板加压装置对密封片5和多个LED2、支承板7进行热加压。
[0246] 在巧光体层3和/或透明层4含有具有热塑性和热固性的苯基系有机娃树脂组合物 的情况下，平板加压装置中的溫度为苯基系有机娃树脂组合物的热塑溫度或热塑溫度W 上，从一次性实施苯基系有机娃树脂组合物的热塑和热固化的观点考虑，平板加压装置中 的溫度优选为热固化溫度或热固化溫度W上，具体而言，例如为60°C W上，优选为80°C W 上，并且例如为150°CW下，优选为120°CW下。
[0247] 加压压力例如为0.1 M化W上，优选为IM化W上，并且例如为IOMPaW下，优选为 W下。
[024引加压时间例如为1分钟W上，优选为5分钟W上，并且例如为60分钟W下，优选为20 分钟W下。
[0249] 在巧光体层3含有具有热塑性和热固性的苯基系有机娃树脂组合物的情况下，利 用所述热加压使巧光体层3塑化。接着，利用塑化后的巧光体层3来埋设多个LED2。具体而 言，如图1所示，利用巧光体层3来覆盖LED2的上表面22和侧面23。
[0250] 另外，在透明层4含有具有热塑性和热固性的苯基系有机娃树脂组合物的情况下， 利用所述热加压来使透明层4塑化，从而使透明层4贴紧于巧光体层3。
[0251] 由此，如图2C所示，利用密封片5的巧光体层3来密封多个LED2。
[0252] 之后，在巧光体层3和/或透明层4含有郎介段化状态的两阶段反应固化性树脂组合 物的情况下，使该两阶段反应固化性树脂组合物邱介段化。
[0253] 在两阶段反应固化性树脂组合物含有苯基系有机娃树脂组合物的情况下，在苯基 系有机娃树脂组合物的反应(C阶段化反应）中，含締基聚硅氧烷中的链締基和/或环締基 与含氨化甲娃烷基聚硅氧烷中的氨化甲娃烷基之间的娃氨加成反应被进一步促进。之后， 链締基和/或环締基、或者含氨化甲娃烷基聚硅氧烷中的氨化甲娃烷基消失，娃氨加成反应 结束，由此获得邱介段的苯基系有机娃树脂组合物的生成物、即固化物。也就是说，通过娃氨 加成反应的结束，苯基系有机娃树脂组合物表现出固化性(具体而言为热固性）。
[0254]上述生成物由下述平均组成式(3)表示。
[0巧日]平均组成式(3):
[0 巧 6] R 日 eSiO(4-e)/2
[0257] (式中，R5表示含有苯基的、非取代或取代的碳数1~10的一价控基(其中，不包括 链締基和环締基。）。e为0.5~2.0。）
[0258] 作为R5所示的非取代或取代的碳数1~10的一价控基，可例示出与式（1)的R2所示 的非取代或取代的碳数1~10的一价控基W及式(2)的R3所示的非取代或取代的碳数1~10 的一价控基相同的一价控基。优选列举出非取代的一价控基，更优选列举出碳数1~10的烧 基、碳数6~10的芳基，进一步优选列举出苯基和甲基的组合使用。
[0巧9] e优选为0.7~1.0。
[0260] 并且，生成物的平均组成式(3)的R5中的苯基的含有比例例如为30摩尔％^上，优 选为35摩尔％ ^上，并且例如为55摩尔％ ^下，优选为50摩尔％ W下。
[0261] 生成物的平均组成式(3)的R5中的苯基的含有比例是与生成物的娃原子直接键合 的一价控基(在平均组成式(3)中WR5表示）中的苯基的浓度。
[0%2] 生成物的平均组成式(3)的R5中的苯基的含有比例通过Ih-NMR和29Si-NMR算出。r5 中的苯基的含有比例的详细的计算方法如下：根据例如W02011/125463等的记载，利用Ih- NMR和29Si-NMR来算出。
[026引接着，如图2C的箭头所示，将剥离片6自透明层4剥下。
[0264] 由此，获得被支承板7支承的状态下的、包括多个LED2、巧光体层3、W及透明层4 的密封LED集合体8。
[0265] 之后，如图2D的单点划线所示，将密封L邸集合体8切断而单片化为多个LED2。具体 而言，将与各LED2相对应的巧光体层3和透明层4沿着前后方向和左右方向切断。由此，获得 被支承板7支承的状态下的、包括1个LED2、W将LED2埋设的方式覆盖LED2的巧光体层3、W 及配置于巧光体层3的上表面的透明层4的被巧光体层密封的LED1。
[0266] 接着，如图2D的箭头和和假想线所示，将多个被巧光体层密封的LEDl自支承板7剥 离。
[0267] 由此，如图沈所示，获得包括1个LED2、W埋设LED2的方式覆盖LED2的巧光体层3、 W及配置于巧光体层3的上表面的透明层4的被巧光体层密封的LED1。
[0268] 被巧光体层密封的LEDl不包括支承板7(参照图2C)和基板50(后述，参照图2F)，优 选的是，被巧光体层密封的LEDl由LED2、巧光体层3、透明层4构成。即，被巧光体层密封的 LEDl并不是接下来说明的Lm)装置60(图2F)，也就是说，不包括设于L邸装置60的基板50。也 就是说，被巧光体层密封的LEDl W还未与在Lm)装置60的基板50上设置的端子(未图示）电 连接的方式构成。另外，被巧光体层密封的LEDl是Lm)装置60的一个零件、即是用于制作LED 装置60的零件，其是作为零件单独流通的、能够在产业上使用的器件。
[0269] 之后，根据发光波长、发光效率来挑选出多个被巧光体层密封的LED1。
[0270] 接着，如图2F所示，将被巧光体层密封的LEDl安装于基板50。
[0271] 具体而言，首先，准备在上表面设有端子(未图示)的基板50。
[0272] 基板50构成沿前后方向和左右方向延伸的大致矩形平板状，其例如为绝缘基板。 另外，基板50具有配置在其上表面的端子(未图示）。
[0273] 之后，如图2F所示，将被巧光体层密封的LEDl安装于基板50。
[0274] 具体而言，使被巧光体层密封的LEDl中的LED2的凸块(未图示）与基板50的端子 (未图示)相接触而使两者电连接。也就是说，将被巧光体层密封的LEDl的LED2倒装法安装 于基板50。另外，使巧光体层3的下表面32与基板50相接触。
[0275] 由此，获得包括基板50和安装于基板50的被巧光体层密封的LEDl的Lm)装置60。优 选的是，L邸装置60由基板50和被巧光体层密封的LEDl构成。也就是说，Lm)装置60不包括剥 离片6和/或支承板7，优选的是，L邸装置60由基板50、LED2、巧光体层3、透明层4构成。
[0276] 第1实施方式的作用效果
[0277] 并且，如图1所示，由于该被巧光体层密封的LEDl包括覆盖巧光体层3的上表面31 的透明层4,因此能够提高发光强度。具体而言，能够使透明树脂组合物(透明层4)与空气之 间的界面远离(离开)作为光吸收体的基板50、L抓2(LED2与巧光体层3之间的界面）。因此， 自LED2朝向上侧发光而被巧光体层3波长转换后的光和没有被巧光体层3波长转换而透过 巧光体层3的光即使在透明树脂组合物(透明层4)与空气之间的界面处被反射也不易返回 到基板50、LED2(光吸收体），因而能够提高被巧光体层密封的LEDl的发光强度。
[0278] 另外，由于该被巧光体层密封的LEDl满足与所述x、y、zW及a有关的（1)~(4)的全 部条件，因此能够进一步提高发光强度，并且该被巧光体层密封的LEDl具有优异的颜色均 匀性且能够抑制颜色不均匀。
[0279] 另外，在该被巧光体层密封的LEDl中，若第1透明组合物(在巧光体层3中含有的透 明树脂组合物）的折射率RIp为1.45~1.60，则能够提高被巧光体层密封的LEDl的发光强 度。
[0280] 另外，在该被巧光体层密封的LEDl中，若第1透明组合物(在巧光体层3中含有的透 明树脂组合物）的折射率RIp减去第2透明组合物(在透明层4中含有的透明树脂组合物）的 折射率RIt的值(折射率RIp-折射率RIt)为-0.70~0.20,则能够提高被巧光体层密封的 LEDl的发光强度。
[0281] 另外，在该被巧光体层密封的LEDl中，若RIp-RIt为0.05W上，则能够进一步提高 被巧光体层密封的LEDl的发光强度。
[0282] 另外，在该被巧光体层密封的LEDl中，若距离a超过50M1，则能够提高颜色均匀性。
[0283] 采用该被巧光体层密封的LEDl的制造方法，能够使用密封片5来简单地制造被巧 光体层密封的LEDl。
[0284] 采用该被巧光体层密封的LEDl的制造方法，能够简单地制造具有期望的尺寸(y、 z、a等）的被巧光体层密封的LED1。
[0285] 变形例
[0286] 在变形例中，对于与所述第1实施方式相同的构件和工序，标注相同的附图标记而 省略其详细的说明。
[0287] 在第1实施方式中，使LED2、巧光体层3、透明层4分别形成为俯视大致矩形形状，但 它们的形状并不特别限定。也可W使LED2、巧光体层3、透明层4分别形成为例如俯视大致圆 形形状、俯视大致多边形形状(不包括大致矩形形状），对此没有图示。
[0288] 并且，在第1实施方式中，如图1所示，使透明层4形成为剖视大致矩形形状，但也可 W形成为例如上表面弯曲的截面圆顶形状(或凸透镜形状），对此没有图示。在该情况下，距 离Z是自巧光体层3的上表面31起到透明层4的最上面为止的距离。
[0289] 并且，也可W使透明层4形成为朝向上侧去横截面变小的大致锥形状、具体而言形 成为四角锥形状、=角锥形状等多角锥形状。
[0290] 另外，在第1实施方式中，如图1所示，巧光体层3的容纳部30的周围的下表面32构 成为能够与基板50相接触的巧光体侧可接触面。但是，例如，如图5所示，能够使下表面32构 成为可与基板50隔开间隔的可确保间隔面。
[0291] 如图5所示，巧光体层3的容纳部30的周围的下表面32自LED2暴露且位于LED2的比 下表面21靠上侧的部分。具体而言，在面方向上投影时，巧光体层3的下表面32位于LED2的 下表面21和上表面22之间。即，在前后方向和左右方向上投影时，巧光体层3的下表面32配 置在被包含在LED2的侧面23内的位置。
[0292] 由此，巧光体层3的下表面32使LED2的侧面23的下端部暴露。
[0293] 并且，在第1实施方式中，依次使巧光体层3和透明层4实现C阶段化，也就是说，使 巧光体层3实现邱介段化，之后，使透明层4实现邱介段化，但也可W是，例如使郎介段状态的巧 光体层3和透明层4同时实现邱介段化。
[0294] 另外，在所述第1实施方式中，如图2A~图沈所示，使密封片5形成剥离片6之上，之 后，利用密封片5来密封LED2。
[02对但是，如图3A~图4C所示，能够是，不将密封片5形成在剥离片6之上，在支承板7之 上依次滴下（诱灌)巧光体树脂组合物的清漆和透明树脂组合物的清漆而依次形成巧光体 层3和透明层4。
[0296] 在该方法中，如图3C所示，在支承板7之上滴下(诱灌)巧光体树脂组合物的清漆。
[0297] 为了在支承板7之上滴下巧光体树脂组合物的清漆，首先，如图3A所示，将1个LED2 配置在支承板7的上表面。由此，准备了被支承板7支承的1个LED2。
[0298] 如图3A所示，另行准备第1堪11。
[0299] 第1堪11形成为俯视大致矩形形状。另外，在第1堪11的中央部形成有沿上下方向 贯穿第1堪11的第1开口部13。第1开口部13形成为与巧光体层3的外形形状相对应的俯视大 致矩形形状。
[0300] 作为第1堪11的材料，可列举出例如树脂、浸溃有树脂的玻璃布、金属等。运些材料 能够单独使用或组合使用。优选列举出树脂。
[0301] 作为树脂，可列举出热固性树脂、热塑性树脂。优选列举出热固性树脂。优选的是， 作为热固化树脂，可列举出不能成为郎介段状态的一阶段反应固化性树脂。作为运样的一阶 段反应固化性树脂，可列举出一阶段反应固化性的甲基系有机娃树脂组合物。作为一阶段 反应固化性的甲基系有机娃树脂组合物，能够使用例如ELAST0SIL系列(旭化成威克娃公司 制造），具体而言，ELAST0SIL LR7665等甲基系有机娃树脂组合物）、邸R系列(信越娃公司制 造)等市售品。
[0302] 此外，也可W作为配混有填料的树脂组合物来制备树脂。
[0303] 第I堪11的厚度例如为100皿W上，优选为200皿W上，更优选为400皿W上，并且例 如为1500皿^下。
[0304] 接着，如图3B所示，将第1堪11W包围LED2的方式配置在支承板7的上表面上。
[0305] 为了将第1堪11W包围LED2的方式配置在支承板7的上表面上，首先，在第1堪11的 材料为树脂的情况下，制备含有树脂的清漆，接着，将清漆涂敷在未图示的剥离片的表面 上。之后，在材料含有热固性树脂的情况下，对清漆进行加热而使其固化。之后，将固化物外 形加工成所述图案。
[0306] 之后，如图3A的箭头和图3B所示，WLED2被插入到第1堪11的第1开口部13中的方 式将第1堪11载置在支承板7的上表面上。
[0307] 或者，也可W是，如图3B所示，将清漆W所述图案直接涂敷在LED2的周围，从而在 支承板7的上表面上直接形成第1堪11。
[030引由此，将第1堪11W包围LED2的方式配置在支承板7的上表面上。
[0309] 接着，如图3C所示，向支承板7上的第1堪11的第1开口部13内滴下巧光体树脂组合 物的清漆。具体而言，向第1开口部13内滴下清漆而使清漆的液面和第1堪11的上表面成为 一个面。
[0310] 之后，在巧光体树脂组合物含有能够成为郎介段状态的热固性树脂组合物的情况 下，使巧光体树脂组合物实现郎介段化。
[0311] 由此，在第1堪11的第1开口部13内形成覆盖LED2的上表面22和侧面23的巧光体层 3。
[0312] 接着，如图3C的箭头所示，将第1堪11自支承板7剥下。此时，第1堪11的第1开口部 13的侧面被自巧光体层3的侧面33剥离。
[0313] 接着，如图3D和图3E所示，将第2堪12配置在支承板7的上表面上。
[0314] 除厚度之外，第2堪12与所述第1堪11同样地构成。第2堪12的厚度形成得厚于第1 堪11的厚度，具体而言，将第2堪12的厚度调整为能够嵌入巧光体层3且能够形成透明层4的 厚度。第2堪12的厚度例如为0.1 wnW上，优选为0.2]imW上，并且例如为2]imW下，优选为化 mW下。
[0315] 如图3D所示，在第2堪12上，在俯视时形成有与巧光体层3的形状相同形状的第2开 口部14。
[0316] 如图3E所示，在支承板7之上，W巧光体层3被插入到第2开口部14内的方式将第2 堪12载置在支承板7的上表面上。由此，将巧光体层3嵌入到第2开口部14内。
[0317] 之后，如图4A所示，向第2开口部14内的巧光体层3的上表面上滴下(诱灌)透明树 脂组合物的清漆。具体而言，向第2开口部14内滴下清漆而使清漆的液面和第2堪12的上表 面成为一个面。
[0318] 之后，在透明树脂组合物含有能够成为郎介段状态的热固性树脂组合物的情况下， 使透明树脂组合物热固化(具体而言，邱介段化）。由此，在巧光体层3的上表面上形成透明层 4。
[0319] 在要使透明树脂组合物实现邱介段化时，若巧光体层3的巧光体树脂组合物为两阶 段反应固化性树脂组合物的郎介段化状态，则使巧光体树脂组合物实现邱介段化。
[0320] 之后，如图4B所示，沿着巧光体层3和透明层4运两者与第2堪12之间的界面将巧光 体层3、透明层4和第2堪12切断。
[0321] 由此，获得被支承板7支承的状态下的、包括1个LED2、巧光体层3W及透明层4的被 巧光体层密封的LEDl。
[0322] 接下来，如图4B的箭头、假想线和图4C所示，将被巧光体层密封的LEDl自支承板7 剥罔。
[0323] 之后，根据发光波长、发光效率来挑选被巧光体层密封的LEDl。
[0324] 之后，如图4D所示，将被巧光体层密封的LEDl安装于基板50。
[0325] 并且，采用图3A~图4D的方法，由于不必如第1实施方式那样在剥离片6之上暂时 制造密封片5(参照图2A)，因此能够由巧光体树脂组合物的清漆和透明树脂组合物的清漆 简单地依次形成巧光体层3和透明层4。
[0326] 第2实施方式
[0327] 在第2实施方式中，对于与所述第1实施方式相同的构件和工序，标注相同的附图 标记而省略其详细的说明。
[0328] 被巧光体层密封的LED
[0329] 在第1实施方式中，如图1所示，使巧光体层3的侧面33暴露。但是，在第2实施方式 中，如图6所示，巧光体层3的侧面33被透明层4覆盖。
[0330] 也就是说，透明层4覆盖巧光体层3的上表面31和侧面33。另外，透明层4形成为在 俯视时包含巧光体层3的形状。透明层4具有覆盖巧光体层3的侧面33的侧部45。另外，透明 层4的侧部45的下表面41是能够与基板50(假想线)相接触的透明侧可接触面。
[0331] 并且，由于透明层4具有侧部45,因此透明层4的侧面43(透明侧连结面）与巧光体 层3的侧面33隔开距离故也相对配置在巧光体层3的侧面33的外侧。
[0332] 透明层4的侧面43与巧光体层3的侧面33隔开的距离0是透明层4的侧部45的左右 方向长度和前后方向长度(最小长度）。
[0333] 在超过0的范围内适当选择距离0。
[0334] 在第2实施方式中，优选的是，替代第1实施方式的（1)~(4)中的（3)，而满足下述 (3)'。
[0335] (3)'距离a与距离0的和(a+e)例如为50皿W上，优选超过50皿，更优选为100皿W 上，并且例如为2000WHW下，优选为lOOOwnW下。若a+e为所述下限W上，则能够防止颜色均 匀性的降低或能够抑制颜色不均匀。若a+e为所述上限W下，则能够抑制材料的无谓的使 用。
[0336] 此外，在第1实施方式中，峽10。因此，在本实用新型中，0优选为OW上。
[0337] 被巧光体层密封的L邸的制造方法
[0338] 接下来，参照图7A~图8F说明制造图6所示的被巧光体层密封的L邸的方法和使用 被巧光体层密封的L邸来制造L邸装置的方法。
[0339] 被巧光体层密封的LEDl的制造方法包括:制造包括巧光体层3的巧光密封片15的 工序(巧光体层准备工序的一个例子，参照图7A)、将巧光密封片15W巧光体层3覆盖多个 LED2的方式进行配置的工序(巧光体层配置工序的一个例子，参照图7B)、去除巧光体层3中 的远离LED2的部分的工序(单片化/去除工序的一个例子，参照图7D)、制造包括透明层4的 透明片18的工序(透明层准备工序的一个例子，参照图8A)、将被巧光体层密封的LEDl再配 置于第2支承板17的工序(参照图8A)、将透明片18配置在巧光体层3之上的工序(透明层配 置工序的一个例子，参照图8B)。
[0340]在该方法中，首先，如图7A所示，准备多个LED。
[0341 ]另行准备包括巧光体层3的巧光密封片15。
[0342] 为了准备巧光密封片15,首先，如图7A所示，准备剥离片6。
[0343] 接着，在剥离片6的下表面W片状形成巧光体层3。巧光体层3的形成方法与第1实 施方式中的巧光体层3的形成方法相同。
[0344] 由此，准备了包括剥离片6和形成于剥离片6的下表面的巧光体层3的巧光密封片 15。
[0345] 此外，巧光密封片15不具有后面说明的透明层4(参照图8A)。优选的是，巧光密封 片15由剥离片6和巧光体层3构成。
[0346] 接着，如图7B所示，利用巧光体层3来密封多个LED2。也就是说，将巧光密封片15相 对于支承LED2的支承板7进行压接。由此，使巧光密封片15中的下表面32埋设多个LED2并形 成与多个LED2的表面相对应的形状。另一方面，巧光密封片15中的巧光体层3的上表面31形 成为平坦状。此外，巧光体层3覆盖LED2的侧面23和上表面22。
[0347] 之后，在该方法中，如图7C所示，将剥离片6自巧光体层3剥下。
[0；34引接着，在该方法中，如图7D所示，去除巧光体层3中的远离LED2的部分。
[0349] 具体而言，利用具有规定宽度(壁厚）的圆盘状的切割银(切割刀片)9对巧光体层3 中的远离LED2的部分进行切削。由此，在巧光体层3中，将侧部35的长度a调解为期望尺寸。 也就是说，对巧光体层3进行外形加工而使巧光体层3成为规定的尺寸。
[0350] 同时，使被巧光体层密封的LEDl单片化。也就是说，将巧光密封片15 W使被巧光 体层密封的LEDl单片化的方式切断。此时，保留巧光体层3的覆盖LED2的侧面2的部分。
[0351] 接着，如图7E所示，之后，将单片化后的被巧光体层密封的LEDl自支承板7剥下。
[0352] 由此，获得包括LED2和具有规定的尺寸的巧光体层3的被巧光体层密封的LED1。在 该第2实施方式中，如图7E的假想线和图7F的实线所示的被巧光体层密封的LEDl不包括透 明层4。也就是说，该被巧光体层密封的LEDl优选由LED2和巧光体层3构成。
[0353] 在该方法中，接着，如图8A所示，将多个被巧光体层密封的LEDl W在左右方向和前 后方向上互相隔开间隔的方式排列配置于第2支承板17。也就是说，相对于第2支承板17再 配置被巧光体层密封的LEDl。
[0354] 第2支承板17具有与所述支承板7相同的结构。
[03W]如图8A所示，另行准备包括透明层4的透明片18。
[0356] 为了准备透明片18,首先，如图8A所示，在第2剥离片19的下表面W片状形成透明 层4。第2剥离片19具有与所述剥离片6相同的结构。透明层4的形成方法与第1实施方式中的 巧光体层3的形成方法相同。第2透明组合物优选含有填料。
[0357] 由此，准备了包括第2剥离片19和形成于第2剥离片19的下表面的透明层4的透明 片18。
[0358] 此外，透明片18不具有所述巧光体层3。优选的是，透明片18由第2剥离片19和透明 层4构成。
[0359] 接着，在该方法中，如图8B所示，利用透明层4来覆盖多个巧光体层3,该多个巧光 体层3覆盖多个LED2。
[0360] 具体而言，将第2剥离片19相对于支承被巧光体层密封的LEDl的第2支承板17进行 压接。
[0361] 此外，在透明树脂组合物含有郎介段(半固化)状态的苯基系有机娃树脂组合物的 情况下，进行热压接。由此，使B阶段的苯基系有机娃树脂组合物在加热的作用下暂时塑 化，从而将透明树脂组合物填充到多个巧光体层3之间。之后，使透明树脂组合物完全固化。 [036^ 接着，如图8C所示，将第2剥离片19自透明层4剥下。
[0363] 由此，如图8C所示，获得支承于第2支承板17的状态下的、密封L抓集合体8,该密封 L邸集合体8是利用层叠有透明层4的巧光体层3密封有多个LED2而成的。
[0364] 接着，如图8D所示，W单片化为多个LED2的方式将密封L邸集合体8切断。
[0365] 接着，如图8D的箭头和图8E所示，将多个被巧光体层密封的LEDl自支承板7剥下， 从而获得被巧光体层密封的LEDl。
[0366] 之后，如图8F所示，将被巧光体层密封的LEDl安装于基板50，从而获得L邸装置60。 具体而言，如参照图6的假想线那样，使透明层4的侧部45的下表面41与基板50相接触。
[0367] 第2实施方式的作用效果
[0368] 并且，在该被巧光体层密封的LEDl中，如图6所示，由于透明层4具有对巧光体层3 的侧面33进行覆盖的侧部45,因此，与第1实施方式同样地，能够使透明树脂组合物(透明层 4)与空气之间的界面远离(离开)作为光吸收体的基板50、LED2化邸2与巧光体层3之间的界 面）。因此，自LED2朝向上侧发光而被巧光体层3波长转换后的光和没有被巧光体层3波长转 换而透过巧光体层3的光即使在透明树脂组合物(透明层4)与空气之间的界面处被反射也 不易返回到基板50、LED2(光吸收体），因而能够提高被巧光体层密封的LEDl的发光强度。
[0369] 另一方面，在该第2实施方式中，如图8A所示，之后，将配置有巧光体层3的被巧光 体层密封的LEDl再配置于与支承板7不同的支承台、即第2支承板17,接着，如图8B所示，利 用透明层4来覆盖巧光体层3。
[0370] 与此相对，在第1实施方式的方法中，如上所述，与第2实施方式不同，不必将配置 有巧光体层3的LED2再配置于第2支承板17。因此，能够利用简单的方法来制造被巧光体层 密封的LEDl。
[0371] 另外，能够通过切断等简单的方法在被巧光体层密封的LEDl中的巧光体层3和透 明层4上分别形成侧面33和侧面43。
[0372] 如图7A所示，由于该被巧光体层密封的LEDl的制造方法包括准备包括片状的巧光 体层3的巧光密封片15的巧光体层准备工序和将片状的巧光体层3W覆盖LED2的方式进行 配置的巧光体层配置工序，因此能够使用片状的巧光体层3来简单地制造发光强度优异的 被巧光体层密封的LEDl。
[0373] 另外，采用该被巧光体层密封的LEDl的制造方法，如图7D所示，在单片化/去除工 序中，在巧光体层配置工序之后、透明层配置工序之前，在将巧光体层3对应于多个LED2进 行单片化的同时，去除巧光体层3中的远离LED2的部分，因此，能够利用较少的工时来制造 具有期望的尺寸的被巧光体层密封的LEDl。
[0374] 并且，采用该被巧光体层密封的LEDl的制造方法，如图7D所示，在单片化/去除工 序中，使巧光体层3的覆盖LED2的侧面23的部分残存，能够简单地制造包括期望的尺寸的巧 光体层3的被巧光体层密封的LEDl。
[0375] 另外，采用该被巧光体层密封的LEDl的制造方法，如图8A所示，由于使用片状的透 明层4，因此能够简单地制造发光强度优异的被巧光体层密封的LEDl。
[0376] 变形例
[0377] 在第2实施方式中，如图6所示，使巧光体层3的容纳部30的周围的下表面32和透明 层4的侧部45的下表面41分别构成为能够与基板50相接触的巧光体侧可接触面和透明侧可 接触面。但是，例如，如图9所示，能够使巧光体层3的容纳部30的周围的下表面32和透明层4 的侧部45的下表面41运两个表面构成为能够与基板50隔开间隔的可确保间隔面。
[0378] 如图9所示，巧光体层3的容纳部30的周围的下表面32和透明层4的侧部45的下表 面41位于LED2的比下表面21靠上侧的部分。具体而言，在面方向上投影时，巧光体层3的容 纳部30的周围的下表面32和透明层4的侧部45的下表面41位于LED2的下表面21和上表面 22之间。即，在前后方向和左右方向上投影时，巧光体层3的容纳部30的周围的下表面32和 透明层4的侧部45的下表面41配置在被包含在LED2的侧面23内的位置。
[0379] 另外，在第2实施方式中，如图7B所示，使巧光密封片15中的巧光体层3的上表面31 形成为平坦状，但也可W是例如，如图IOB所示，使巧光体层3的上表面31形成为与多个LED2 的表面相对应的凹凸形状。
[0380] 运样的变形例具备制造包括巧光体层3的巧光密封片15的工序（巧光体层准备工 序的一个例子，参照图10A)、将巧光密封片15W巧光体层3覆盖多个LED2的方式进行配置的 工序(巧光体层配置工序的一个例子，参照图10B)、去除巧光体层3中的远离LED2的部分的 工序(去除工序的一个例子，参照图10D)、制造包括透明层4的透明片18的工序(透明层准备 工序的一个例子，参照图8A)、将被巧光体层密封的LEDl再配置于第2支承板17的工序(参照 图8A)、W及将透明片18配置在巧光体层3之上的工序(参照图8B)。
[038。 在该方法中，首先，如图1OA所示，准备多个LED。
[0382] 另行准备包括巧光体层3的巧光密封片15。在准备巧光密封片15时，首先，如图IOA 所示，准备剥离片6。
[0383] 接着，在剥离片6的下表面形成巧光体层3。由此，准备了包括剥离片6和形成于剥 离片6的下表面的巧光体层3的巧光密封片15。
[0384] 接着，如图IOB所示，利用巧光体层3来密封多个LED2。也就是说，将巧光密封片15 相对于支承LED2的支承板7进行压接。此时，利用加压装置将巧光密封片15相对于LED2和支 承板7进行压接，该加压装置包括:上模，其配置于剥离片6的上侧且具有与多个LED2相对应 的凹部;下模，其为平板状。利用所述加压装置使巧光体层3具有与多个LED2相对应的多个 凸部。剥离片6覆盖在巧光体层3的表面(包含突部的表面的侧面)上。
[0385] 之后，在该方法中，如图IOC所示，将剥离片6自巧光体层3剥下。
[0386] 接着，在该方法中，如图IOD所示，将巧光体层3切断，接着，如图IOE所示，单片化为 被巧光体层密封的LED1。之后，将单片化后的被巧光体层密封的LEDl自支承板7剥下。
[0387] 也就是说，如图IOD所示，对巧光体层3进行外形加工而使其成为规定的尺寸。由 此，去除巧光体层3中的远离LED2的部分。
[0388] 由此，如图IOE所示，获得包括LED2和具有规定的尺寸的巧光体层3的被巧光体层 密封的LED1。在该第2实施方式中，图IOD的假想线和图10的实线所示的被巧光体层密封的 LEDl不包括透明层4。也就是说，该被巧光体层密封的LEDl优选由LED2和巧光体层3构成。
[0389] 之后，与第2实施方式(参照图8A~图8F)同样地将透明层4层叠于巧光体层3。
[0390] 具体而言，如图8A所示，首先，将多个被巧光体层密封的LEDl在前后方向和左右方 向互相隔开间隔地排列配置于第2支承板17。如图8A所示，另行准备包括透明层4的透明片 18。
[0391] 接着，如图8B所示，利用透明层4来覆盖多个巧光体层3，该多个巧光体层3覆盖多 个LED2。具体而言，利用包括下模和下模的平板加压装置将透明层4相对于巧光体层3和第2 支承板17进行压接。
[0392] 接着，如图8C所示，将第2剥离片19自透明层4剥下。接着，如图8D所示，W使多个 LED2单片化的方式将密封LED集合体8切断。接着，如图8D的箭头和图8E所示，将多个被巧光 体层密封的LEDl自支承板7剥下，从而获得被巧光体层密封的LEDl。之后，如图8F所示，将被 巧光体层密封的LEDl安装于基板50,从而获得L邸装置60。
[0393] 另外，在第2实施方式中，如图8A所示，首先，准备包括透明层4的透明片18,之后， 利用片状的透明层4来覆盖多个巧光体层3,该多个巧光体层3覆盖多个LED2,但也可W是例 如，如参照图8C那样，能够通过例如诱灌、传递成形、压缩成形等由透明树脂组合物（由透明 树脂组合物制备的清漆、粉末、压片等)直接在第2支承板17之上将透明层4W覆盖LED2的方 式成形为片状。
[0394] 第3实施方式
[0395] 在第3实施方式中，对于与所述第1实施方式相同的构件和工序，标注相同的附图 标记而省略其详细的说明。
[0396] 被巧光体层密封的LED
[0397] 如图11所示，巧光体层3在其周端部具有凸缘部36。
[0398] 凸缘部36是自巧光体层3的覆盖LED2的侧面23部分向面方向外侧突出的突出部。 巧光体层3的凸缘部36的上表面位于比巧光体层3中的覆盖LED2的上表面22的部分向下侧 下降一层的位置，因此，在凸缘部36的上表面和所述部分的上表面31之间形成有台阶。凸缘 部36的外周面37自透明层4的侧面43向外侧暴露。凸缘部36的外周面37与透明层4的侧面43 在上下方向上形成为一个面。
[0399] 凸缘部36的上表面39与透明层4的侧部45的下表面41相接触。
[0400] 被巧光体层密封的L邸的制造方法和L邸装置的制造方法
[0401] 接下来，参照图12A~图13E说明制造图11所示的被巧光体层密封的Lm)的方法和 使用被巧光体层密封的L邸来制造L邸装置的方法。
[0402] 该被巧光体层密封的LEDl的制造方法包括制造巧光密封片15的工序（参照图 12A)、将巧光密封片15W巧光体层3覆盖多个LED2的方式进行配置的工序(参照图12B)、在 巧光体层3的位于相邻的LED2之间的部分上形成凹部24的工序(参照图12C)、制造包括透明 层4的透明片18的工序（参照图12D)、将透明片18配置在巧光体层3之上的工序（参照图 13A)、W及将巧光体层3和透明层4中的远离LED2的部分切断而使被巧光体层密封的LEDl单 片化的工序(参照图13B)。
[0403] 如图12B的箭头所示，在将巧光密封片15相对于支承板7配置之后，将剥离片6剥 离。
[0404] 巧光体层3的上表面具有平坦的表面。
[0405] 如图12C所示，为了在巧光体层3上形成凹部24,去除巧光体层3中的远离LED2的部 分。
[0406] 具体而言，利用切割银9对巧光体层3中的远离LED2的部分的上端部进行半切割。
[0407] 通过形成凹部24而在巧光体层3上形成凸缘部36。
[0408] 之后，如图13A所示，将透明片18的透明层4配置在巧光体层3之上。从获得优异的 气体透过率的观点考虑，透明层4优选由透明树脂组合物构成，该透明树脂组合物由甲基系 有机娃树脂组合物构成。
[0409] 接着，如图13B所示，将巧光体层3和透明层4中的远离LED2的部分切断。
[0410] 由此，如图13C所示，获得被第2支承板17支承的状态下的多个被巧光体层密封的 L邸1。
[0411] 之后，如图13D所示，将多个被巧光体层密封的LEDl转印到转印片25上。
[0412] 之后，如图13E所示，将被巧光体层密封的LEDl自转印片25再转印到基板50上，而 将被巧光体层密封的LEDl安装于基板50。由此，获得L邸装置60。
[0413] 第3实施方式的作用效果
[0414] 在该被巧光体层密封的LEDl中，如图11所示，容纳部30的内周面38覆盖LED2的侧 面23且巧光体层3的凸缘部36的外周面37在侧方暴露。因此，对于自LED2朝向侧方发出的 光，被巧光体层3的凸缘部36充分地波长转换，而对于自LED2朝向上方发出的光，能够将被 巧光体层3波长转换的光和没有被波长转换而透过巧光体层3的光在透明层4中适度地混 合。其结果，使被巧光体层密封的LEDl的配光性(抑制颜色不均匀)优异。
[0415] 另外，在透明层4中含有的甲基系有机娃树脂组合物的压敏粘接力（粘合力）高于 苯基系有机娃树脂组合物的压敏粘接力(粘合力）。因此，在第2实施方式的图7A~图8E所示 的方法中，若在图8B的工序中利用所述透明层4将在第2支承板17的上表面暴露的多个LED2 覆盖，则会将透明层4W较高的压敏粘接力(粘合力)压敏粘接(粘合)于第2支承板17的上表 面。因此，之后，存在不能良好地转印到转印片25(参照图13C和图13D)上的情况(也就是说， 透明层4没有自第2支承板17的上表面剥离的情况）。
[0416] 但是，在第3实施方式的图12A~图13E所示方法中，由于透明层4没有接触(压敏粘 接)于支承板7的上表面，因此能够防止透明层4压敏粘接(粘合)于支承板7。
[0417] 并且，该方法不必如第2实施方式那样包括图8A所示的、将被巧光体层密封的LEDl 再配置于第2支承板17的工序。因此，能够减少制造工时，从而能够降低制造成本。
[041引变形例
[0419] 在被巧光体层密封的LEDl的制造方法的变形例中，除了不包括图7D所示的、去除 巧光体层3中的远离LED2的部分的工序和图8A所示的、将被巧光体层密封的LEDl再配置于 第2支承板17的工序W外，与第2实施方式的制造方法相同。
[0420] 另外，该变形例除了不包括形成第3实施方式的凹部24的工序(参照图12C) W外， 与第3实施方式的制造方法相同。
[0421 ]目P，在该方法中，首先，如图14A所示，在支承板7之上准备多个LED2。与此同时，准 备包括剥离片6和巧光体层3的巧光密封片15。
[0422]接着，如图14B所示，利用巧光密封片15的巧光体层3来密封多个LED2。具体而言， 利用包括下模和下模的平板加压装置将巧光体层3相对于多个LED2和支承板7进行压接。
[0423] 由此，在巧光体层3上形成凹部24。因此，使巧光体层3形成有凸缘部36。
[0424] 接着，如图14C所示，将剥离片6自巧光体层3剥下。
[0425] 接着，如图14D所示，准备了包括透明层4和第2剥离片19的透明片18。
[0426] 接着，如图15A所示，将透明片18的透明层4配置于巧光体层3的上表面，接着，将第 2剥离片19自透明层4剥下。由此，获得密封L邸集合体8。
[0427] 之后，如图15B所示，将密封LED集合体8切断而使其单片化为被巧光体层密封的 L邸1。
[0心8]由此，如图15C所示，获得被巧光体层密封的LEDl。
[0429] 之后，在对被巧光体层密封的LEDl进行挑选之后，如图15D所示，将挑选出的被巧 光体层密封的LEDl安装于基板50,从而获得L邸装置60。
[0430] 并且，在该变形例中，能起到与所述第3实施方式相同的作用效果。
[0431] 另外，在图14A~图15C所示的方法中，与第2实施方式中的被巧光体层密封的LEDl 的制造方法相比，不必包括图7D所示的、去除巧光体层3中的远离LED2的部分的工序和图8A 所示的、将被巧光体层密封的LEDl再配置于第2支承板17的工序。因此，能够减少制造工时， 从而能够降低制造成本。
[043^ 实施例
[0433] 能够将在W下的记载中使用的配混比例(含有比例）、物理属性值、参数等具体的 数值代替为在所述"【具体实施方式】"中记载的、与其相对应的配混比例(含有比例）、物理属 性值、参数等所述的上限值（W 下"、"小于"的形式定义的数值)或下限值（W 上"、"超 过"的形式定义的数值）。
[0434] 含締基聚硅氧烷和含氨化甲娃烷基聚硅氧烷的合成 [043引合成例1
[0436] 将1,3-二乙締基-1，1，3,3-四甲基二硅氧烷93.2g、水140g、S氣甲横酸0.38gW及 甲苯500g投入到装备有揽拌机、冷凝回流管、投入口 W及溫度计的四口烧瓶中并进行混合， 一边揽拌一边经1小时滴加甲基苯基二甲氧基硅烷729.2g与苯基=甲氧基硅烷330.5g的混 合物四口烧瓶中，之后，进行了 1小时加热回流。之后，进行冷却将下层(水层)分离并去除， 对上层（甲苯溶液)进行了 3次水洗。向水洗后的甲苯溶液加入氨氧化钟0.40g，并一边将水 自水分离管去除一边进行回流。在完成水的去除之后，进一步回流了5小时，然后进行了冷 却。之后，投入乙酸〇.6g进行中和，之后，对过滤而得到的甲苯溶液进行了 3次水洗。之后，通 过减压浓缩而得到了液体状的含締基聚硅氧烷A。含締基聚硅氧烷A的平均单元式和平均组 成式如下。
[0437] 平均单元式：
[0438] ((C 出=CHKC 出）2SiOl/2)0.15(C 出 Cs 也 Si〇2/2)0.60(C6 也 Si〇3/2)0.2 已
[0439] 平均组成式：
[0440] (C 出=CH)o.i5(C 出）o.9〇(C6 也）o.ssSiOi.o 已
[0441 ] 也就是说，含締基聚硅氧烷A显不为r1为乙締基、R2为甲基和苯基、a = 0.15、b = 1.75的上述平均组成式（1)。
[0442]另外，通过凝胶渗透色谱法对含締基聚硅氧烷A的聚苯乙締换算重均分子量进行 了测定，结果该重均分子量为2300。
[0443] 合成例2
[0444] 将1,3-二乙締基-1，1，3,3-四甲基二硅氧烷93.2g、水140g、S氣甲横酸0.38gW及 甲苯500g投入到装备有揽拌机、冷凝回流管、投入口 W及溫度计的四口烧瓶中并进行混合， 一边揽拌一边经1小时滴加二苯基二甲氧基硅烷173.4g与苯基S甲氧基硅烷300.6g的混合 物，在滴下结束后，进行了 1小时加热回流。之后，进行冷却将下层(水层)分离去除，对上层 (甲苯溶液)进行了 3次水洗。向水洗后的甲苯溶液加入氨氧化钟0.40g，一边将水自水分离 管去除一边进行了回流。在完成水的去除之后，进一步回流了 5小时，然后进行了冷却。投入 乙酸0.6g进行中和，之后，对过滤而得到了甲苯溶液进行了 3次水洗。之后，通过减压浓缩而 得到了液体状的含締基聚硅氧烷B。含締基聚硅氧烷B的平均单元式和平均组成式如下。
[0445] 平均单元式：
[0446] (C 出=CH(C 出）2SiOl/2)0.31((C6 也）2Si 化/2)0.22(C6 也 Si〇3/2)0.47
[0447] 平均组成式：
[044引（C出=CH)0.31 (C出）0. 62 (Cs也）0. 9lSi0l. 08
[0449] 也就是说，含締基聚硅氧烷B显示为Ri为乙締基、R2为甲基和苯基、a = 0.31、b = 1.53的上述平均组成式（I)。
[0450] 另外，通过凝胶渗透色谱法对含締基聚硅氧烷B的聚苯乙締换算重均分子量进行 了测定，结果该重均分子量为1000。
[0451] 合成例3
[0452] 将二苯基二甲氧基硅烷325.9g、苯基S甲氧基硅烷564.9g W及S氣甲横酸2.36g 投入到装备有揽拌机、冷凝回流管、投入口 W及溫度计的四口烧瓶中并进行混合，加入1，1， 3，3-四甲基二硅氧烷134.3g，一边揽拌一边经30分钟滴加乙酸432g。在滴加结束后，一边 对混合物进行揽拌一边升溫至50°C使之反应3小时。在冷却到室溫之后，加入甲苯和水，良 好地进行混合并静置，然后将下层(水层)分离并去除。之后，对上层（甲苯溶液)进行了 3次 水洗，之后，通过减压浓缩而得到了含氨化甲娃烷基聚硅氧烷C(交联剂C)。
[0453] 含氨化娃烷基聚硅氧烷C的平均单元式和平均组成式如下。
[0454] 平均单元式：
[045引（H(C 出）2SiOl/2)0.33((C6 也）2Si02/2)0.22(C6 也化Si03/2)0.45
[0456] 平均组成式：
[0457] 曲.33 ( C出）日.66 ( Cs也）日.89SiOl. 06
[045引也就是说，含氨化甲娃烷基聚硅氧烷C显示为R3为甲基和苯基、C = 0.33、d = 1.55 上述平均组成式(2)。
[0459] 另外，利用凝胶渗透色谱法对含氨化甲娃烷基聚硅氧烷C的聚苯乙締换算重均分 子量进行了测定，结果该重均分子量为1000。
[0460] 其他原料
[0461 ]下面，详细叙述含締基聚硅氧烷和含氨化甲娃烷基聚硅氧烷W外的原料。
[0462] LR7665:其是商品名且为甲基系有机娃树脂组合物，折射率为1.41、旭化成威克娃 公司制造
[0463] 无机填料A:其是折射率为1.55且组成W及组成比率（质量％ )为Si化/Ab化/CaO/ Mg0 = 60/20/15/5的无机填料，平均粒径为15皿巧Ij用分级调整了平均粒径。）
[0464] Tospear TS2000B:其是有机娃系树脂颗粒，平均粒径为6.0皿，日本迈图性能材料 (日文：子;^シテ斗ク?パフ才一ッシス?ッテリア/レ乂 ?ッ中パシ）公司制造
[0465] 有机娃树脂组合物的制备
[0466] 制备例1
[0467] 将含締基聚硅氧烷A(合成例l)20g、含締基聚硅氧烷B(合成例2)25g、含氨化甲娃 烷基聚硅氧烷C(合成例3、交联剂C)25g、W及销幾基络合物5mg混合而制备了有机娃树脂组 合物A。
[0468] 制备例2
[0469] 作为有机娃树脂组合物B(缩合?加成反应固化型有机娃树脂组合物），准备了日 本特开2010-265436号公报所记载的实施例1的有机娃树脂用组合物。
[0470] 制造被巧光体层密封的LED
[0471] 实施例1
[0472] 向有机娃树脂组合物A中混合了无机填料A，使得无机填料A相对于有机娃树脂组 合物A和无机填料A的总量达到50质量％，作为清漆而制备了透明树脂组合物X。透明树脂组 合物X的折射率RIt为1.56。
[0473] 向透明树脂组合物X中混合了 YAG468(巧光体、根元特殊化学公司制造），使得 YAG468相对于透明树脂组合物X和YAG468的总量达到20质量％，并对它们进行混合，由此制 备了巧光体树脂组合物。
[0474] 之后，利用涂敷器将透明树脂组合物X W其加热后的厚度达到650皿的方式涂敷在 厚度50皿的剥离片(PTE片、商品名"SS4C"、新羽（日文：二方、°)公司制造）的表面上，之后W 90°C进行20分钟加热，由此制作了郎介段的透明层。
[0475] 接着，利用涂敷器将巧光体树脂组合物W其加热后的厚度达到350WI1的方式涂敷 在透明层的表面(上表面)上，之后W8(TC进行11分钟加热，由此制作了郎介段的巧光体层。
[0476] 由此，制作了由剥离片、透明层、巧光体层构成的密封片(参照图2A)。
[0477] 之后，在不诱钢板之上粘贴双面带(压敏粘接剂层），并在该双面带之上，W1.44mm 的间距配置了多个LED(抓I-FA4545A、尺寸：1.14mmX1.14mmX150皿、晶圆光电（日文：工t° 乂夕一）公司制造）（参照图2B)。之后，使用加热到9(TC的真空平板加压装置将密封片相对 于多个L抓进行了 10分钟热压接(参照图2C)。具体而言，W使巧光体层与L抓W及该L抓的 周围的双面带相接触的方式将密封片相对于多个Lm)进行了热压接。通过该热压接使巧光 体层和透明层暂时塑化。由此，利用密封片密封了多个LED。
[0478] 之后，W150°C进行了两小时的后固化。由此，使巧光体层和透明层实现了C阶段 化。之后，将密封片切断而使其单片化，从而在不诱钢板之上制造了包括1个LED、巧光体层 W及透明层的被巧光体层密封的LED(参照图2C)。
[0479] 接着，将剥离片自透明层剥下（参照图2C的假想线）。接着，W使多个LED单片化的 方式将密封L邸集合体切断(参照图2D)。
[0480] 之后，将被巧光体层密封的L邸自双面带剥下（参照图2D的箭头和图沈）。
[0481 ]由此，获得了被巧光体层密封的LED(参照图沈）。
[0482] 实施例2
[0483] 向有机娃树脂组合物A中混合了无机填料A,使得无机填料A相对于有机娃树脂组 合物A和无机填料A的总量达到50质量％，作为清漆而制备了透明树脂组合物X。透明树脂组 合物X的折射率RIt为1.56。
[0484] 另外，向透明树脂组合物X中混合了YAG468谈光体、根元特殊化学公司制造），使 得YAG468相对于透明树脂组合物X和YAG468的总量达到12质量％，并对它们进行混合，由此 制备了巧光体树脂组合物。
[0485] 之后，利用涂敷器将透明树脂组合物X W其加热后的厚度达到500皿的方式涂敷在 厚度50皿的剥离片(PTE片、商品名"SS4C"、新羽公司制造）的表面上，之后W90°C进行20分 钟加热，由此制作了郎介段的透明层。
[0486] 利用涂敷器将巧光体树脂组合物W其加热后的厚度达到50化m的方式涂敷在郎介 段的透明层之上，之后W8(TC进行11分钟加热，由此制作了郎介段的巧光体层。
[0487] 由此，制作了由剥离片、透明层、W及巧光体层构成的密封片(参照图2A)。
[0488] 之后，在不诱钢板之上粘贴双面带(压敏粘接剂层），并在该双面带之上，W1.64mm 的间距配置了多个LED化DI-FA4545A、尺寸：1.14mmX 1.14mmX 150WH、晶圆光电公司制造） (参照图2B)。之后，使用加热到90°C的真空平板加压装置将密封片相对于多个Lm)进行了 10 分钟热压接(参照图2C)。具体而言，W使巧光体层与Lm)W及该Lm)的周围的双面带相接触 的方式将密封片相对于多个Lm)进行了热压接。通过该热压接使巧光体层和透明层暂时塑 化。由此，利用密封片密封了多个LED。
[0489] 之后，W150°C进行了两小时的后固化。由此，使巧光体层和透明层实现了C阶段 化。之后，将密封片切断而使其单片化，从而在不诱钢板之上制造了包括1个LED、巧光体层 W及透明层的被巧光体层密封的LED(参照图2C)。
[0490] 接着，将剥离片自透明层剥下（参照图2C的假想线）。接着，W使多个LED单片化的 方式将密封L邸集合体切断(参照图2D)。
[0491] 之后，将被巧光体层密封的L邸自双面带剥下（参照图2D的箭头和图沈）。
[0492] 由此，获得了被巧光体层密封的LED(参照图沈）。
[0493] 实施例3
[0494] 向有机娃树脂组合物A中混合了无机填料A，使得无机填料A相对于有机娃树脂组 合物A和无机填料A的总量达到50质量％，作为清漆而制备了透明树脂组合物X。透明树脂组 合物X的折射率RIt为1.56。
[04M]向透明树脂组合物X中配混了YAG468(巧光体、根元特殊化学公司制造），使得 YAG468相对于透明树脂组合物X和YAG468的总量达到10质量％，并对它们进行混合，由此制 备了巧光体树脂组合物。
[0496] 之后，利用涂敷器将透明树脂组合物X W其加热后的厚度达到400皿的方式涂敷在 厚度50皿的剥离片(PTE片、商品名"SS4C"、新羽公司制造）的表面上，之后W90°C进行20分 钟加热，由此制作了郎介段的透明层。
[0497] 接着，利用涂敷器将巧光体树脂组合物W其加热后的厚度达到600WI1的方式涂敷 在透明层的表面(上表面)上，之后W8(TC进行11分钟加热，由此制作了郎介段的巧光体层。
[0498] 由此，制作了由剥离片、透明层、巧光体层构成的密封片(参照图2A)。
[0499] 之后，在不诱钢板之上粘贴双面带(压敏粘接剂层），并在该双面带之上，W1.84mm 的间距配置了多个LED化DI-FA4545A、尺寸：1.14mmX 1.14mmX 150WH、晶圆光电公司制造） (参照图2B)。之后，使用加热到90°C的真空平板加压装置将密封片相对于多个Lm)进行了 10 分钟热压接(参照图2C)。具体而言，W使巧光体层与Lm)W及该Lm)的周围的双面带相接触 的方式将密封片相对于多个Lm)进行了热压接。通过该热压接使巧光体层和透明层暂时塑 化。由此，利用密封片密封了多个LED。
[0500] 之后，W150°C进行了两小时的后固化。由此，使巧光体层和透明层实现了C阶段 化。之后，将密封片切断而使其单片化，从而在不诱钢板之上制造了包括1个LED、巧光体层 W及透明层的被巧光体层密封的LED(参照图2C)。
[0501] 接着，将剥离片自透明层剥下（参照图2C的假想线）。接着，W使多个LED单片化的 方式将密封L邸集合体切断(参照图2D)。
[0502] 之后，将被巧光体层密封的L邸自双面带剥下（参照图2D的箭头和图沈）。
[0503] 由此，获得了被巧光体层密封的LED(参照图沈）。
[0如4] 实施例4
[0505] 向有机娃树脂组合物A中混合了无机填料A，使得无机填料A相对于有机娃树脂组 合物A和无机填料A的总量达到50质量％，作为清漆而制备了透明树脂组合物X。透明树脂组 合物X的折射率RIt为1.56。
[0506] 向透明树脂组合物X中配混了YAG468(巧光体、根元特殊化学公司制造），使得 YAG468相对于透明树脂组合物X和YAG468的总量达到10质量％，并对它们进行混合，由此制 备了巧光体树脂组合物。
[0507] 之后，利用涂敷器将透明树脂组合物XW其加热后的厚度达到900WI1的方式涂敷 在厚度50皿的剥离片(PTE片、商品名"SS4C"、新羽公司制造）的表面上，之后W90°C进行20 分钟加热，由此制作了郎介段的透明层。
[0508] 接着，利用涂敷器将巧光体树脂组合物W其加热后的厚度达到600WI1的方式涂敷 在透明层的表面(上表面)上，之后W8(TC进行11分钟加热，由此制作了郎介段的巧光体层。
[0509] 由此，制作了由剥离片、透明层、巧光体层构成的密封片(参照图2A)。
[0510] 之后，在不诱钢板之上粘贴双面带(压敏粘接剂层），并在该双面带之上，m . 84mm 的间距配置了多个LED化DI-FA4545A、尺寸：1.14mmX 1.14mmX 150WH、晶圆光电公司制造） (参照图2B)。之后，使用加热到90°C的真空平板加压装置将密封片相对于多个Lm)进行了 10 分钟热压接(参照图2C)。具体而言，W使巧光体层与Lm)W及该Lm)的周围的双面带相接触 的方式将密封片相对于多个Lm)进行了热压接。通过该热压接使巧光体层和透明层暂时塑 化。由此，利用密封片密封了多个LED。
[0511] 之后，W150°C进行了两小时的后固化。由此，使巧光体层和透明层实现了C阶段 化。之后，将密封片切断而使其单片化，从而在不诱钢板之上制造了包括1个LED、巧光体层 W及透明层的被巧光体层密封的LED(参照图2C)。
[0512] 接着，将剥离片自透明层剥下（参照图2C的假想线）。接着，W使多个LED单片化的 方式将密封L邸集合体切断(参照图2D)。
[0513] 之后，将被巧光体层密封的L邸自双面带剥下（参照图2D的箭头和图沈）。
[0514] 由此，获得了被巧光体层密封的LED(参照图沈）。
[051引实施例5
[0516] 向有机娃树脂组合物A中混合了无机填料A,使得无机填料A相对于有机娃树脂组 合物A和无机填料A的总量达到50质量％，作为清漆而制备了透明树脂组合物X。透明树脂组 合物X的折射率RIt为1.56。
[0517] 另外，向透明树脂组合物帥配混了YAG468谈光体、根元特殊化学公司制造），使 得YAG468相对于透明树脂组合物X和YAG468的总量达到11质量％，并对它们进行混合，由此 制备了巧光体树脂组合物。
[0518] 之后，利用涂敷器将透明树脂组合物XW其加热后的厚度达到500皿的方式涂敷在 厚度50皿的剥离片(PTE片、商品名"SS4C"、新羽公司制造）的表面上，之后W90°C进行20分 钟加热，由此制作了郎介段的透明层。
[0519] 接着，利用涂敷器将巧光体树脂组合物W其加热后的厚度达到500WI1的方式涂敷 在透明层的表面(上表面)上，之后W8(TC进行11分钟加热，由此制作了郎介段的巧光体层。
[0520] 由此，制作了由剥离片、透明层、巧光体层构成的密封片(参照图2A)。
[0521 ]之后，在不诱钢板之上粘贴双面带(压敏粘接剂层），并在该双面带之上，m . 84mm 的间距配置了多个LED化DI-FA4545A、尺寸：1.14mmX 1.14mmX 150WH、晶圆光电公司制造） (参照图2B)。之后，使用加热到90°C的真空平板加压装置将密封片相对于多个Lm)进行了 10 分钟热压接(参照图2C)。具体而言，W使巧光体层与Lm)W及该Lm)的周围的双面带相接触 的方式将密封片相对于多个Lm)进行了热压接。通过该热压接使巧光体层和透明层暂时塑 化。由此，利用密封片密封了多个LED。
[0522] 之后，W150°C进行了两小时的后固化。由此，使巧光体层和透明层实现了C阶段 化。之后，将密封片切断而使其单片化，从而在不诱钢板之上制造了包括1个LED、巧光体层 W及透明层的被巧光体层密封的LED(参照图2C)。
[0523] 接着，将剥离片自透明层剥下（参照图2C的假想线）。接着，W使多个LED单片化的 方式将密封L邸集合体切断(参照图2D)。
[0524] 之后，将被巧光体层密封的L邸自双面带剥下（参照图2D的箭头和图沈）。
[0525] 由此，获得了被巧光体层密封的LED(参照图沈）。
[05%] 实施例6
[0527] 向有机娃树脂组合物A中混合了无机填料A，使得无机填料A相对于有机娃树脂组 合物A和无机填料A的总量达到50质量％，作为清漆而制备了透明树脂组合物X。透明树脂组 合物X的折射率RIt为1.56。
[0528] 向透明树脂组合物X中配混了YAG468(巧光体、根元特殊化学公司制造），使得 YAG468相对于透明树脂组合物X和YAG468的总量达到13质量％，并对它们进行混合，由此制 备了巧光体树脂组合物。
[0529] 之后，利用涂敷器将透明树脂组合物X W其加热后的厚度达到500皿的方式涂敷在 厚度50皿的剥离片(PTE片、商品名"SS4C"、新羽公司制造）的表面上，之后W90°C进行20分 钟加热，由此制作了郎介段的透明层。
[0530] 接着，利用涂敷器将巧光体树脂组合物W其加热后的厚度达到500WI1的方式涂敷 在透明层的表面(上表面)上，之后W8(TC进行11分钟加热，由此制作了郎介段的巧光体层。
[0531] 由此，制作了由剥离片、透明层、W及巧光体层构成的密封片(参照图2A)。
[0532] 之后，在不诱钢板之上粘贴双面带(压敏粘接剂层），并在该双面带之上，W1.44mm 的间距配置了多个LED化DI-FA4545A、尺寸：1.14mmX 1.14mmX 150WH、晶圆光电公司制造） (参照图2B)。之后，使用加热到90°C的真空平板加压装置将密封片相对于多个Lm)进行了 10 分钟热压接(参照图2C)。具体而言，W使巧光体层与Lm)W及该Lm)的周围的双面带相接触 的方式将密封片相对于多个Lm)进行了热压接。通过该热压接使巧光体层和透明层暂时塑 化。由此，利用密封片密封了多个LED。
[0533] 之后，W15(TC进行了两小时的后固化(邱介段化），之后，将密封片切断而使其单片 化，从而在不诱钢板之上制造了包括1个LED、巧光体层W及透明层的被巧光体层密封的LED (参照图2C)。
[0534] 接着，将剥离片自透明层剥下（参照图2C的假想线）。接着，W使多个LED单片化的 方式将密封L邸集合体切断(参照图2D)。
[0535] 之后，将被巧光体层密封的L邸自双面带剥下（参照图2D的箭头和图沈）。
[0536] 由此，获得了被巧光体层密封的LED(参照图沈）。
[0537] 实施例7
[化3引向有机娃树脂组合物B中混合了 TospearTS2000B，使得TospeadS2000B相对于有 机娃树脂组合物B和TospeadS2000B的总量达到30质量％，作为清漆而制备了透明树脂组 合物Y。
[0539] 另外，向透明树脂组合物X中配混了YAG468谈光体、根元特殊化学公司制造），使 得YAG468相对于透明树脂组合物X和YAG468的总量达到18质量％，并对它们进行混合，由此 制备了巧光体树脂组合物。
[0540] 接着，利用涂敷器将巧光体树脂组合物W其加热后的厚度达到500WI1的方式涂敷 在500WI1的、作为透明层的玻璃板(折射率31*:1.52)之上，之后^135°(：进行15分钟加热，由 此在玻璃板之上制备了 B阶段的巧光体层。由此，制备了包括玻璃板和巧光体层的密封片 (参照图2A)。
[0541] 之后，在不诱钢板之上粘贴双面带(压敏粘接剂层），并在该双面带之上，W1.64mm 的间距配置了多个LED化DI-FA4545A、尺寸：1.14mmX 1.14mmX 150WH、晶圆光电公司制造） (参照图2B)。之后，使用室溫的真空平板加压装置将密封片相对于多个Lm)进行了 10分钟热 压接。具体而言，W使巧光体层与LEDW及该LED的周围的双面带相接触的方式将密封片相 对于多个L邸进行了压接。由此，利用密封片密封了多个LED。
[0542] 之后，W15(TC进行了两小时加热而使巧光体层热固化(邱介段化）。之后，将密封片 切断而使其单片化，从而在不诱钢板之上制造了包括1个LED、巧光体层W及玻璃板的被巧 光体层密封的LED(参照图2C)。
[0543] 接着，W使多个L邸单片化的方式将密封L邸集合体切断(参照图2D)。
[0544] 之后，将被巧光体层密封的L邸自双面带剥下（参照图2D的箭头和图沈）。
[0545] 由此，获得了被巧光体层密封的LED(参照图沈）。
[0546] 实施例8
[0547] 向有机娃树脂组合物A中混合了无机填料A，使得无机填料A相对于有机娃树脂组 合物A和无机填料A的总量达到50质量％，作为清漆而制备了透明树脂组合物X。透明树脂组 合物X的折射率RIt为1.56。
[054引向透明树脂组合物X中配混了YAG468(巧光体、根元特殊化学公司制造），使得 YAG468相对于透明树脂组合物X和YAG468的总量达到12质量％，并对它们进行混合，由此制 备了巧光体树脂组合物。
[0549] 接着，W使TospearTS2000B相对于LR7665和TospearTS2000B的总量达到30质量％ 的方式向〇?7665混合了1'〇396曰巧520008而构成了清漆(折射率1?1*:1.41)，利用涂敷器将该 清漆W其加热后的厚度达到500皿的方式涂敷在厚度50皿的剥离片(PTE片、商品名"SS4C"、 新羽公司制造)的表面上，之后Wiocrc进行10分钟加热，由此制作了邱介段的透明层。
[0550] 接着，利用涂敷器将巧光体树脂组合物W其加热后的厚度达到500WI1的方式涂敷 在透明层的表面(上表面)上，之后W8(TC进行11分钟加热，由此制作了郎介段的巧光体层。
[0551] 由此，制作了由剥离片、透明层、巧光体层构成的密封片(参照图2A)。
[0552] 之后，在不诱钢板之上粘贴双面带(压敏粘接剂层），并在该双面带之上，W1.64mm 的间距配置了多个LED化DI-FA4545A、尺寸：1.14mmX 1.14mmX 150WH、晶圆光电公司制造） (参照图2B)。之后，使用加热到90°C的真空平板加压装置将密封片相对于多个Lm)进行了 10 分钟热压接(参照图2C)。具体而言，W使巧光体层与Lm)W及该Lm)的周围的双面带相接触 的方式将密封片相对于多个Lm)进行了热压接。通过该热压接使巧光体层暂时塑化。由此， 利用密封片密封了多个LED。
[0553] 之后，W150°C进行了两小时的后固化。由此，使巧光体层实现了邱介段化。之后，将 密封片切断而使其单片化，从而在不诱钢板之上制造了包括1个LED、巧光体层W及透明层 的被巧光体层密封的LED(参照图2C)。
[0554] 接着，将剥离片自透明层剥下（参照图2C的假想线）。接着，W使多个LED单片化的 方式将密封L邸集合体切断(参照图2D)。
[0555] 之后，将被巧光体层密封的L邸自双面带剥下（参照图2D的箭头和图沈）。
[0556] 由此，获得了被巧光体层密封的LED(参照图沈）。
[0巧7] 实施例9
[0558] 向100质量份的有机娃树脂组合物A中混合了YAG468(根元特殊化学公司制造），使 得YAG468相对于有机娃树脂组合物A和YAG468的总量达到17质量％，作为清漆而制备了巧 光体树脂组合物。
[0559] 在不诱钢板之上粘贴双面带，并在该双面带之上搭载（配置）了 1个LED化DI- FA4545A、尺寸：1.14mmX 1.14mmX 150皿、晶圆光电公司制造）（参照图3A)。
[0560] 另行制作了第1堪和第2堪(参照图3A和图3D)。
[0561 ]旨P，涂敷LR7665(折射率1.41)而使LR7665的厚度达到500皿，Wl〇〇°C进行10分钟 固化(热固化），接着，将固化片加工成外框尺寸1 Omm X 1 Omm、内框尺寸（内尺寸）1.64mm X 1.64mm的矩形框形状，从而制作了第1堪(参照图3A)。也就是说，第1堪的外形尺寸为IOmmX 10mm，矩形形状的开口部的内尺寸为1.64mmX 1.64mm。
[0562] 接着，除了将第2堪的厚度变更为1mmW外，与第I堪同样地将制作了第2堪(参照图 3D)。
[0563] 接着，在不诱钢板之上的Lm)的周围设置了第1堪(参照图3B)。接着，将巧光体树脂 组合物的清漆滴在第1堪的第1开口部内，对液量进行调整而使液体厚度达到500WI1，W100 °C通过10分钟使巧光体树脂组合物实现了郎介段化(参照图3C)。由此，获得了郎介段状态的 巧光体层。之后，去除了第1堪(参照图3C的箭头）。
[0564] 然后，将第2堪设置在不诱钢板之上的巧光体层的周围（参照图3E)。之后，将有机 娃树脂组合物A滴在第2堪的第2开口部内，对液量进行调整而使合计的厚度达到1mm。接着， W150°C通过两小时使有机娃树脂组合物A热固化(邱介段化），从而得到了邱介段状态的透明 层(参照图4A)。接着，沿着巧光体层与透明层之间的边界(界面)进行切割（参照图4B)而制 备了被巧光体层密封的LED(参照图4C)。
[0565] 实施例10
[0566] 向有机娃树脂组合物A中混合了 YAG468(根元特殊化学公司制造），使得YAG468相 对于有机娃树脂组合物A和YAG468的总量达到18质量％，作为清漆而制备了巧光体树脂组 合物。
[0567] 在不诱钢板之上粘贴双面带，并在该双面带之上搭载（配置）了 1个LED化DI- FA4545A、尺寸：1.14mmX 1.14mmX 150皿、晶圆光电公司制造）（参照图3A)。
[0568] 另行制作了第1堪和第2堪(参照图3A和图3D)。
[化69]目P，涂敷LR7665(折射率1.41)而使LR7665的厚度达到500皿，W在IOCTC进行10分 钟固化(热固化），接着，将固化片加工成外框尺寸10mmX10mm、内框尺寸（内尺寸）1.64mmX 1.64mm的矩形框形状，从而制作了第1堪(参照图3A)。也就是说，第1堪的外形尺寸为IOmmX 10mm，矩形形状的开口部的内尺寸为1.64mmX 1.64mm。
[0570] 接着，除了将第2堪的厚度变更为1mmW外，与第I堪同样地制作了第2堪(参照图 3D)。
[0571] 接着，在不诱钢板之上的Lm)的周围设置了第1堪(参照图3B)。接着，将巧光体树脂 组合物的清漆滴在第1堪的第1开口部内，对液量进行调整而使液体厚度达到500WI1，W100 °C通过10分钟使巧光体树脂组合物实现了郎介段化(参照图3C)。由此，获得了郎介段状态的 巧光体层。之后，去除了第1堪(参照图3C的箭头）。
[0572] 然后，将第2堪设置在不诱钢板之上的巧光体层的周围（参照图3E)。之后，将 LR7665(折射率1.41)滴在第2堪的第2开口部内，对液量进行调整而使合计的厚度达到1mm。 接着，W150°C通过两小时使有机娃树脂组合物A热固化(邱介段化），从而得到了C阶段状态 的透明层（参照图4A)。接着，沿着巧光体层与透明层之间的边界（界面)进行切割（参照图 4B)而制备了被巧光体层密封的LED(参照图4C)。
[0573] 实施例11
[0574] 向有机娃树脂组合物A中混合了无机填料A，使得无机填料A相对于有机娃树脂组 合物A和无机填料A的总量达到50质量％，作为清漆而制备了透明树脂组合物X。透明树脂组 合物X的折射率为1.56。
[0575] 向透明树脂组合物X中配混了YAG468(巧光体、根元特殊化学公司制造），使得 YAG468相对于透明树脂组合物X和YAG468的总量达到50质量％，并对它们进行混合，由此制 备了巧光体树脂组合物。
[0576] 之后，利用涂敷器将透明树脂组合物X W其加热后的厚度达到800皿的方式涂敷在 厚度50皿的剥离片(PTE片、商品名"SS4C"、新羽公司制造）的表面上，之后W90°C进行20分 钟加热，由此制作了郎介段的透明层。
[0577] 接着，利用涂敷器将巧光体树脂组合物W其加热后的厚度达到200WI1的方式涂敷 在透明层的表面(上表面)上，之后W8(TC进行11分钟加热，由此制作了郎介段的巧光体层。
[0578] 由此，制作了由剥离片、透明层、巧光体层构成的密封片(参照图2A)。
[0579] 之后，在不诱钢板之上粘贴双面带(压敏粘接剂层），并在该双面带之上，W1.24mm 的间距配置了多个LED化DI-FA4545A、尺寸：1.14mmX 1.14mmX 150WH、晶圆光电公司制造） (参照图2B)。之后，使用加热到90°C的真空平板加压装置将密封片相对于多个Lm)进行了 10 分钟热压接(参照图2C)。具体而言，W使巧光体层与Lm)W及该Lm)的周围的双面带相接触 的方式将密封片相对于多个Lm)进行了热压接。通过该热压接使巧光体层和透明层暂时塑 化。由此，利用密封片密封了多个LED。
[0580] 之后，W150°C进行了两小时的后固化。由此，使巧光体层和透明层实现了C阶段 化。之后，将密封片切断而使其单片化，从而在不诱钢板之上制造了包括1个LED、巧光体层 W及透明层的被巧光体层密封的LED(参照图2C)。
[0581] 接着，将剥离片自透明层剥下（参照图2C的假想线）。接着，W使多个LED单片化的 方式将密封L邸集合体切断(参照图2D)。
[0582] 之后，将被巧光体层密封的L邸自双面带剥下（参照图2D的箭头和图沈）。
[0583] 由此，获得了被巧光体层密封的LED(参照图沈）。
[0584] 实施例12
[0585] 向有机娃树脂组合物A中混合了无机填料A，使得无机填料A相对于有机娃树脂组 合物A和无机填料A的总量达到50质量％，作为清漆而制备了透明树脂组合物X。透明树脂组 合物X的折射率为1.56。
[0586] 向透明树脂组合物X中配混了YAG468(巧光体、根元特殊化学公司制造），使得 YAG468相对于透明树脂组合物X和YAG468的总量达到30质量％，并对它们进行混合，由此制 备了巧光体树脂组合物。
[0587] 之后，利用涂敷器将透明树脂组合物XW其加热后的厚度达到50WI1的方式涂敷在 厚度50皿的剥离片(PTE片、商品名"SS4C"、新羽公司制造）的表面上，之后W90°C进行20分 钟加热，由此制作了郎介段的透明层。
[0588] 接着，利用涂敷器将巧光体树脂组合物W其加热后的厚度达到300WI1的方式涂敷 在透明层的表面(上表面)上，之后W8(TC进行11分钟加热，由此制作了郎介段的巧光体层。
[0589] 由此，制作了由剥离片、透明层、巧光体层构成的密封片(参照图2A)。
[0590] 之后，在不诱钢板之上粘贴双面带(压敏粘接剂层），并在该双面带之上，W1.34mm 的间距配置了多个LED化DI-FA4545A、尺寸：1.14mmX 1.14mmX 150WH、晶圆光电公司制造） (参照图2B)。之后，使用加热到90°C的真空平板加压装置将密封片相对于多个Lm)进行了 10 分钟热压接(参照图2C)。具体而言，W使巧光体层与Lm)W及该Lm)的周围的双面带相接触 的方式将密封片相对于多个Lm)进行了热压接。通过该热压接使巧光体层和透明层暂时塑 化。由此，利用密封片密封了多个LED。
[0591] 之后，W150°C进行了两小时的后固化。由此，使巧光体层和透明层实现了C阶段 化。之后，将密封片切断而使其单片化，从而在不诱钢板之上制造了包括1个LED、巧光体层 W及透明层的被巧光体层密封的LED(参照图2C)。
[0592] 接着，将剥离片自透明层剥下（参照图2C的假想线）。接着，W使多个LED单片化的 方式将密封L邸集合体切断(参照图2D)。
[0593] 之后，将被巧光体层密封的L邸自双面带剥下（参照图2D的箭头和图沈）。
[0594]由此，获得了被巧光体层密封的LED(参照图沈）。
[05巧]实施例13
[0596] 向有机娃树脂组合物A中混合了无机填料A，使得无机填料A相对于有机娃树脂组 合物A和无机填料A的总量达到50质量％，作为清漆而制备了透明树脂组合物X。透明树脂组 合物X的折射率为1.56。
[0597] 向透明树脂组合物X中配混了YAG468(巧光体、根元特殊化学公司制造），使得 YAG468相对于透明树脂组合物X和YAG468的总量达到8质量份，并对它们进行混合，由此制 备了巧光体树脂组合物。
[0598] 之后，利用涂敷器将透明树脂组合物XW其加热后的厚度达到100皿的方式涂敷在 厚度50皿的剥离片(PTE片、商品名"SS4C"、新羽公司制造）的表面上，之后W90°C进行20分 钟加热，由此制作了郎介段的透明层。
[0599] 接着，利用涂敷器将巧光体树脂组合物W其加热后的厚度达到900WI1的方式涂敷 在透明层的表面(上表面)上，之后W8(TC进行11分钟加热，由此制作了郎介段的巧光体层。 [0600]由此，制作了由剥离片、透明层、巧光体层构成的密封片(参照图2A)。
[0601 ]之后，在不诱钢板之上粘贴双面带(压敏粘接剂层），并在该双面带之上，W1.64mm 的间距配置了多个LED化DI-FA4545A、尺寸：1.14mmX 1.14mmX 150WH、晶圆光电公司制造） (参照图2B)。之后，使用加热到90°C的真空平板加压装置将密封片相对于多个Lm)进行了 10 分钟热压接(参照图2C)。具体而言，W使巧光体层与Lm)W及该Lm)的周围的双面带相接触 的方式将密封片相对于多个Lm)进行了热压接。通过该热压接使巧光体层和透明层暂时塑 化。由此，利用密封片密封了多个LED。
[0602]之后，W150°C进行了两小时的后固化。由此，使巧光体层和透明层实现了C阶段 化。之后，将密封片切断而使其单片化，从而在不诱钢板之上制造了包括1个LED、巧光体层 W及透明层的被巧光体层密封的LED(参照图2C)。
[060引接着，将剥离片自透明层剥下（参照图2C的假想线）。接着，W使多个LED单片化的 方式将密封L邸集合体切断(参照图2D)。
[0604] 之后，将被巧光体层密封的L邸自双面带剥下（参照图2D的箭头和图沈）。
[0605] 由此，获得了被巧光体层密封的LED(参照图沈）。
[0606] 实施例14
[0607] 向有机娃树脂组合物A中混合了无机填料A，使得无机填料A相对于有机娃树脂组 合物A和无机填料A的总量达到50质量％，作为清漆而制备了透明树脂组合物X。透明树脂组 合物X的折射率为1.56。
[060引向透明树脂组合物X中配混了YAG468(巧光体、根元特殊化学公司制造），使得 YAG468相对于透明树脂组合物X和YAG468的总量达到28质量％，并对它们进行混合，由此制 备了巧光体树脂组合物。
[0609] 之后，利用涂敷器将巧光体树脂组合物W其加热后的厚度达到150WI1的方式涂敷 在厚度50皿的剥离片(PTE片、商品名"SS4C"、新羽公司制造）的表面上，之后W90°C进行20 分钟加热，由此制作了郎介段的巧光体层。由此，制作了由剥离片和巧光体层构成的巧光密 封片(巧光体层准备工序、参照图7A)。
[0610] 之后，在不诱钢板之上粘贴双面带(压敏粘接剂层），并在该双面带之上，m . 54mm 的间距配置了多个LED(抓I-FA4545A、尺寸：1.14mmX 1.14mmX 150皿、晶圆光电公司制造）。 之后，使用加热到9(TC的真空平板加压装置将巧光密封片相对于多个Lm)进行了 10分钟热 压接。具体而言，使用真空平板加压装置W使巧光体层与LEDW及该LED的周围的双面带相 接触的方式将巧光密封片相对于多个Lm)进行了热压接(巧光体层配置工序、参照图7B)。 使巧光体层的上表面形成为平坦状。
[0611 ]之后，将剥离片自巧光体层剥下（参照图7C)。
[0612] 接着，在去除巧光体层中的远离Lm)的部分的同时，使被巧光体层密封的LED单片 化(单片化/去除工序、参照图7D)。也就是说，利用壁厚200WI1的切割银将透明片切断。
[0613] 由此，获得了被巧光体层密封的LED(参照图7F)。
[0614] 之后，将多个被巧光体层密封的Lm)在前后方向和左右方向上互相隔开间隔地排 列配置于第2支承板(参照图8A)。
[0615] 另外，利用涂敷器将透明树脂组合物XW其加热后的厚度达到850皿的方式涂敷在 厚度50皿的第2剥离片(PTE片、商品名"SS4C'、新羽公司制造)的表面上，之后W90°C进行20 分钟加热，由此制作了郎介段的透明层。由此，制备了由第2剥离片和透明层构成的透明片 (透明层准备工序、参照图8A)。
[0616] 接着，利用透明片的透明层来覆盖多个巧光体层(透明层配置工序、图8B)，该多个 巧光体层覆盖多个LED。
[0617] 接着，将第域幅片自透明层剥下(参照图8C)。接着，W使多个LED单片化的方式将 密封L邸集合体切断(参照图8D)。
[061引之后，将被巧光体层密封的LED自双面带剥下（参照图8D的箭头）。
[0619] 由此，获得了被巧光体层密封的LED(参照图8E)。
[0620] 比较例1
[0621] 制作未形成透明层的覆盖片，除了利用该覆盖片的透明层来覆盖L邸W外，与实施 例8同样地进行处理而获得了被巧光体层密封的LED(参照图16)。
[0622] 比较例2
[0623] 除了制作未形成透明层的覆盖片，除了利用该覆盖片的透明层来覆盖L邸W外，与 实施例14同样地进行处理而获得了被巧光体层密封的LED(参照图17)。
[0624] 评价
[0625] 发光强度
[0626] 将各实施例和各比较例的被巧光体层密封的L邸安装于基板而制造了 L邸装置(参 照图1的假想线、图2F、图16的假想线、图17的假想线）。接着，W300mA的电流将总光通量测 量装置点亮，并求出了发光强度。
[0627] 根据下述基准评价了得到的发光强度。
[062引 A:发光强度为1351mW上
[06巧]B:发光强度为12別mW上且小于1351m
[0630] C:发光强度为11別mW上且小于12別m
[0631] D:发光强度为IlOlmW上且小于11別m
[0632] E:发光强度小于IlOlm
[0633] 颜色均匀性
[0634] 准备了各10个(n=10)各实施例和各比较例的被巧光体层密封的LED,将所述被巧 光体层密封的L邸安装于基板而制造了 L邸装置(参照图1的假想线、图2F、图16的假想线、图 17的假想线）。接着，对光学特性的CIE y进行测量，并求出了 10个被巧光体层密封的Lm)的 偏差。然后，将最大值与最小值之差为0.03W下的情况评价为〇,将最大值与最小值之差超 过0.03的情况评价为0.03评价为X。
[0635] 配光性(颜色不均匀）
[0636] 将各实施例和各比较例的被巧光体层密封的L邸安装于基板而制造了 L邸装置(参 照图1的假想线、图2F、图16的假想线、图17的假想线）。接着，利用配光测量装置(大塚电子 公司制造GP-7)，W5°为单位对该L邸装置的-85°~85°方向的色度进行了测量。求出了各方 向上的色度的偏差。并且，将最大值与最小值之差为0.02W下的情况评价为〇,将最大值与 最小值之差超过0.02的情况评价为X。
[0637] 可靠性(烧黑）
[0638] 将各实施例和各比较例的被巧光体层密封的L邸安装于基板而制造了 L邸装置(参 照图1的假想线、图2F、图16的假想线、图17的假想线）。接着，WlA的电流将总光通量测量装 置点亮1000小时，利用目视来观察巧光体层和透明层，并根据W下的基准对被巧光体层密 封的LED和LED装置的可靠性进行了评价。
[0639] O :没有在巧光体层或透明层观察到烧黑。
[0640] A:在巧光体层或透明层观察到略微烧黑。
[0641] X :在巧光体层或透明层观察到烧黑。
[0642] 对通过有机娃树脂组合物A的反应获得的生成物的控基(R5)中的苯基的含有比例 进行测量
[0643] 利用Ih-NMR和29Si-NM时十算出通过有机娃树脂组合物A(也就是说，不含有填料的 有机娃树脂组合物A)的反应获得的生成物中的、与娃原子直接键合的控基(平均组成式(3) 的R5)中的苯基的含有比例(摩尔％)。
[0644] 具体而言，在不添加填料的情况下，Wiocrc使A阶段的有机娃树脂组合物A进行1 小时反应(完全固化、邱介段化），获得了生成物。
[0645] 接着，对获得的生成物的Ih-NMR和29si-NMR进行测量，计算出与娃原子直接键合的 控基(R5)中的苯基所占的比例(摩尔％)。
[0646] 其结果，该比例为48%。
[0647] 将各实施例和各比较例中的各层的结构和配方表示在表1中。
[064引 表1
[0649]
[0650] 将谷买施例和谷化较例甲的谷后的尺了和彼灾化体后凿巧的山13的巧价巧不在表 2中。
[0化1 ] 表2 [0化
[0653]此外，虽然作为本实用新型的例示的实施方式提供了所述说明，但运仅仅是例示， 不应做限定性解释。本领域技术人员能够明确的本实用新型的变形例是包括在本实用新型 的权利要求书的范围内的。
【主权项】
1. 一种覆有荧光体层的光半导体元件，其特征在于， 具备:光半导体元件、 覆盖所述光半导体元件的荧光体层、和 覆盖所述荧光体层的至少一部分的透明层。2. 根据权利要求1所述的覆有荧光体层的光半导体元件，其特征在于， 所述光半导体元件具有： 元件侧可接触面，其能够与基板接触； 元件侧相对面，其相对于所述元件侧可接触面在一方向的一侧隔开距离X地相对配置； 和 元件侧连结面，其与所述元件侧可接触面以及所述元件侧相对面相连结， 所述荧光体层具有： 荧光体侧第1相对面，其相对于所述元件侧相对面在所述一侧隔开距离y地相对配置； 荧光体侧第2相对面，其相对于所述元件侧连结面在与所述一方向正交的正交方向上 隔开距离α地相对配置， 所述透明层具有： 透明侧相对面，其相对于所述荧光体侧第1相对面在所述一侧隔开距离ζ地相对配置； 和 透明侧连结面，其与所述透明侧相对面连结，并且在所述一方向上投影时，相对于所述 元件侧连结面在所述正交方向上隔开间隔地配置， 所述覆有荧光体层的光半导体元件满足下述(1)~(4)的全部条件： (1) 所述距离y除以所述距离X的值y/χ为1以上且5以下； (2) 所述距离y与所述距离ζ的和y+z为0.25mm以上且2mm以下； (3) 所述距离α与所述荧光体侧第2相对面和所述透明侧连结面之间的距离β之和α+β为 50μηι以上且2000μηι以下，其中，所述距离β为0以上； (4) 所述距离y除以所述距离α的值y/α为1以上且2.5以下。3. 根据权利要求1所述的覆有荧光体层的光半导体元件，其特征在于， 所述荧光体层含有荧光体和第1透明组合物， 所述第1透明组合物的折射率Rip为1.45以上且1.60以下。4. 根据权利要求1所述的覆有荧光体层的光半导体元件，其特征在于， 所述荧光体层含有荧光体和第1透明组合物， 所述透明层含有第2透明组合物， 所述第1透明组合物的折射率Rip减去所述第2透明组合物的折射率RIt的值RIp-RIt 为-0.70以上且0.20以下。5. 根据权利要求4所述的覆有荧光体层的光半导体元件，其特征在于， 所述Rip减去所述RIt为0.05以上。6. 根据权利要求2所述的覆有荧光体层的光半导体元件，其特征在于， 所述荧光体侧第2相对面和所述透明侧连结面在所述一方向上形成为一个面。7. 根据权利要求2所述的覆有荧光体层的光半导体元件，其特征在于， 所述距离α超过50μηι。
【文档编号】H01L33/44GK205609569SQ201521063247
【公开日】2016年9月28日
【申请日】2015年12月17日
【发明人】松田广和, 常诚, 吉田直子
【申请人】日东电工株式会社