一种低温升被釉电阻器的制造方法

文档序号:10933507阅读:325来源:国知局
一种低温升被釉电阻器的制造方法
【专利摘要】本实用新型涉及一种低温升被釉电阻器,包括陶瓷骨架(1),陶瓷骨架(1)上配合缠绕有电阻丝(4),其特征在于:陶瓷骨架(1)为中部开设散热通孔(1a)的管状骨架,陶瓷骨架(1)的两端分别扣紧配合有帽盖(2),在每个帽盖(2)的外侧分别焊接配合一个端片(3),电阻丝(4)与帽盖(2)配合连接,陶瓷骨架(1)、帽盖(2)和电阻丝(4)的外表面均烧结配合一层被釉(5)。本实用新型的优点:本实用新型结构简单易做,采用改变瓷骨架截面的形状,在瓷骨架上开散热孔的方式,增加了电阻的散热面积,降低了电阻工作时的温度,同时,通过改变瓷骨架和端帽的结构,解决了高温状态下电阻端帽容易脱落的缺陷,保证了电阻的可靠性。
【专利说明】
一种低温升被釉电阻器
技术领域
[0001]本实用新型涉及电子元器件领域,特别涉及一种低温升被釉电阻器。
【背景技术】
[0002]低温升被釉型电阻器一般要求耐潮湿,可靠性好、稳定性好,温升小,功率大、耐电流冲击,过载能力强。老式的被釉电阻器由于瓷骨架为圆柱形,截面积小,中间没有散热孔,所以电阻的散热面积小,电阻工作时产生的热量散发慢,电阻的温度高,容易影响电阻周围的其它元件正常工作;还有一种卡环式电阻,是在骨架的两端压紧配合卡环,电阻丝与卡环连接,卡环固定安装在电路板上,由于卡环占用了一部分骨架,供电阻丝缠绕的部分就很小了,另外卡环在安装到电路板上时,其根部受力后容易导致电阻丝与卡环断开,可靠性和稳定性降低,同时表面保护层也容易被震裂。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型的目的是为了解决现有电阻散热面积小,加大电阻直径安装空间又不满足要求,及卡环式电阻在安装时根部受力电阻丝易断、保护层开裂等缺点,而提出的一种低温升被釉电阻器。
[0004]为了实现上述目的,本实用新型采用了如下技术方案:
[0005]—种低温升被釉电阻器,包括陶瓷骨架,陶瓷骨架上配合缠绕有电阻丝,其特征在于:所述陶瓷骨架为中部开设散热通孔的管状骨架,陶瓷骨架的两端分别扣紧配合有帽盖,在每个帽盖的外侧分别焊接配合一个端片,所述电阻丝与所述帽盖配合连接,陶瓷骨架、帽盖和电阻丝的外表面均烧结配合一层被釉。
[0006]在上述技术方案的基础上,可以有以下进一步的技术方案:
[0007]所述陶瓷骨架截面的外轮廓为椭圆形。
[0008]所述每个帽盖和端片上均开设与陶瓷骨架上散热通孔贯通配合的通孔。
[0009]所述帽盖与所述陶瓷骨架的两端相互自锁扣接。
[0010]本实用新型的有益效果:本实用新型结构简单易做,采用改变瓷骨架截面的形状,在瓷骨架上开散热孔的方式,增加了电阻的散热面积,降低了电阻工作时的温度,同时,通过改变瓷骨架和端帽的结构,解决了现有技术中高温状态下电阻端帽容易脱落的缺陷,保证了电阻的可靠性。
【附图说明】
[0011]图1是本实用新型的基本结构不意图;
[0012]图2是图1的左侧视图。
【具体实施方式】
[0013]如图1和图2所示,本实用新型提供的一种低温升被釉电阻器,包括陶瓷骨架I,陶瓷骨架I上配合缠绕有电阻丝4,其特征在于:所述陶瓷骨架I为中部开设散热通孔Ia的管状骨架,陶瓷骨架I截面的外轮廓为椭圆形,陶瓷骨架I做成椭圆形且开设热通孔Ia增大了电阻的有效散热面积,降低了电阻的表面温度,保证了狭小空间内电阻周围其它元件的正常工作,陶瓷骨架I的两端分别扣紧配合有帽盖2,其两端的所述帽盖2也均为与瓷管骨架I端面相互自锁扣接的椭圆形,在每个帽盖2的外侧分别焊接配合一个端片3,每个端片3的底部均设置成一个半腰型的引脚3a,每个引脚3a均向下伸出整个电阻与外界电路板配合连接,每个所述帽盖2和端片3上均设有与瓷管骨架I的内孔Ia贯通配合的散热通孔,所述电阻丝4与所述帽盖2配合连接,陶瓷骨架1、帽盖2和电阻丝4的外表面均烧结配合一层被釉5。
[0014]金属端帽盖2和瓷管骨架I加自锁结构,可以和电阻体一起烧结被釉而不至脱落,提高了电阻的成品率和可靠性,金属端片3和金属帽盖2熔融焊接,电阻丝4直接和帽盖2焊接在一起,提高了电阻的可靠性。
[0015]本实用新型并不限于上述实施方式,采用与本实用新型上述实施例相同或近似的结构,而得到的其他结构设计,均在本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.一种低温升被釉电阻器,包括陶瓷骨架(I),陶瓷骨架(I)上配合缠绕有电阻丝(4),其特征在于:所述陶瓷骨架(I)为中部开设散热通孔(Ia)的管状骨架,陶瓷骨架(I)的两端分别扣紧配合有帽盖(2),在每个帽盖(2)的外侧分别焊接配合一个端片(3),所述电阻丝(4)与所述帽盖(2)配合连接,陶瓷骨架(1)、帽盖(2)和电阻丝(4)的外表面均烧结配合一层被釉(5)。2.根据权利要求1所述的一种低温升被釉电阻器,其特征在于:所述陶瓷骨架(I)截面的外轮廓为椭圆形。3.根据权利要求1或2所述的一种低温升被釉电阻器,其特征在于:所述每个帽盖(2)和端片(3)上均开设与陶瓷骨架(I)上散热通孔(Ia)贯通配合的通孔。4.根据权利要求1或2所述的一种低温升被釉电阻器,其特征在于:所述帽盖(2)与所述陶瓷骨架(I)的两端相互自锁扣接。
【文档编号】H01C3/20GK205621529SQ201620231755
【公开日】2016年10月5日
【申请日】2016年3月24日
【发明人】吴亚楠, 金齐旺
【申请人】蚌埠万科电子科技有限公司
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