一种具有水膜保护装置的晶体硅片刻蚀清洗设备的制造方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种具有水膜保护装置的晶体硅片刻蚀清洗设备，所述刻蚀清洗设备包括机架，所述机架上设置有刻蚀水槽和清洗水槽，所述机架上设置有硅片输送装置，所述硅片输送装置从刻蚀水槽和清洗水槽中穿过，所述机架上且位于所述硅片输送装置的上方设置有水膜保护装置，所述水膜保护装置包括用于储水的水箱、微型水泵和喷淋部件，所述喷淋部件上设置有细孔，所述微型水泵与所述水箱和喷淋部件上的细孔连通且所述微型水泵将水箱中的水注入到细孔中，所述细孔的出水口对着所述硅片输送装置。本实用新型使得水膜的设置更加均匀，因此其提高了晶体硅片加工的质量。
【专利说明】
一种具有水膜保护装置的晶体硅片刻蚀清洗设备
技术领域
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[0001]本实用新型涉及一种具有水膜保护装置的晶体硅片刻蚀清洗设备技术领域，更具体地说涉及一种具有水膜保护装置的晶体硅片刻蚀清洗设备。
【背景技术】
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[0002]晶体硅片需要经过多道工序的生产加工之后才能将其应用到太阳能设备上，其中较为重要的工序就有对晶体硅片进行刻蚀的工序，在刻蚀工序之后需要对晶体硅片进行清洗，刻蚀的过程是通过酸性溶液对其进行腐蚀加工，在刻蚀工艺进行之前需要在晶体硅片的表面设置一层薄水膜对晶体进行保护，现有技术中一般都是通过水龙头或是滴管直接从晶体硅片的上方进行喷淋，这种方式使得水膜的分布并不均匀，而且由于水流量不能调节，因此其水膜的设置效果不好，影响晶体硅片的加工质量。
【实用新型内容】:
[0003]本实用新型的目的就在于提供一种具有水膜保护装置的晶体硅片刻蚀清洗设备，它使得水膜的设置更加均匀，因此其提高了晶体硅片加工的质量。
[0004]为实现上述目的，本实用新型的一种具有水膜保护装置的晶体硅片刻蚀清洗设备，所述刻蚀清洗设备包括机架，所述机架上设置有刻蚀水槽和清洗水槽，所述机架上设置有硅片输送装置，所述硅片输送装置从刻蚀水槽和清洗水槽中穿过，所述机架上且位于所述硅片输送装置的上方设置有水膜保护装置，所述水膜保护装置包括用于储水的水箱、微型水栗和喷淋部件，所述喷淋部件上设置有细孔，所述微型水栗与所述水箱和喷淋部件上的细孔连通且所述微型水栗将水箱中的水注入到细孔中，所述细孔的出水口对着所述硅片输送装置。
[0005]作为上述技术方案的优选，所述喷淋部件为板体，所述板体上设置有半球形的注水腔，所述注水腔的尺寸较大一端设置在所述板体的上表面，所述注水腔的尺寸较小一端与所述细孔连通，所述细孔的出水口设置在所述板体的下表面。
[0006]作为上述技术方案的优选，所述板体的下表面且以细孔为中心设置有横截面为三角形的环形槽使得所述下表面具有锥形的凸出部。
[0007]作为上述技术方案的优选，所述喷淋部件上设置有安装部，所述微型水栗安装在所述安装部上。
[0008]作为上述技术方案的优选，所述安装部上设置有水管和走线管，所述水管的一端与水箱连通，所述水管的另一端与所述微型水栗的入口连通，所述走线管中设置有导线，所述导线一端连接电源，另一端连接微型水栗。
[0009]作为上述技术方案的优选，所述喷淋部件的两端分别设置有端板，所述走线管和水管的两端固定在端板。
[0010]作为上述技术方案的优选，所述端板的内侧表面上设置有第一卡口和第二卡口，所述水管的端部设置在所述第一卡口中，所述走线管的端部位于所述第二卡口中。
[0011]作为上述技术方案的优选，所述水箱上设置有液位计和进水管。
[0012]作为上述技术方案的优选，所述安装部上设置有护罩。
[0013]本实用新型的有益效果在于:本实用新型使得水膜的设置更加均匀，而且通过微型栗可以对水流量进行调节，根据不同规格的硅片设置不同厚度的水膜，可以更好地对晶体硅片起到保护作用，因此其提高了晶体硅片加工的质量和良品率。
【附图说明】
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[0014]下面结合附图对本实用新型做进一步的说明:
[0015]图1为本实用新型实施例的结构示意图
[0016]图2为本实用新型实施例中水膜保护装置的结构示意图
[0017]图3为本实用新型实施例中具有护罩的水膜保护装置的结构示意图
[0018]图4为本实用新型实施例中水膜保护装置的主视图
[0019]图5为图4的仰视图
[0020]图6为图4中A-A向示意图
[0021 ]图中:1、机架;2、硅片输送装置;3、刻蚀水槽;4、机罩;5、清洗水槽;6、中控柜;7、热风机;8、水膜保护装置;81、水箱;82、第一卡口 ；83、第二卡口 ；84、安装部;85、走线管;86、水管;87、微型水栗;88、端板;89、喷淋部件;810、液位计;811、进水管;812、护罩;813、细孔；814、注水加压装置;815、注水腔;816、凸出部;817、环形槽。
【具体实施方式】
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[0022]以下所述仅为体现本实用新型原理的较佳实施例，并不因此而限定本实用新型的保护范围。
[0023]如图1至6所示为本实用新型一种具有水膜保护装置的晶体硅片刻蚀清洗设备的实施例，所述刻蚀清洗设备包括机架I，所述机架I上设置有刻蚀水槽3和清洗水槽5，所述机架I上设置有硅片输送装置2，所述硅片输送装置2从刻蚀水槽3和清洗水槽5中穿过，其特征在于，所述机架I上且位于所述硅片输送装置2的上方设置有水膜保护装置8，所述水膜保护装置8包括用于储水的水箱81、微型水栗87和喷淋部件89，所述喷淋部件89上设置有细孔813，所述微型水栗87与所述水箱81和喷淋部件89上的细孔813连通且所述微型水栗87将水箱81中的水注入到细孔813中，所述细孔的出水口对着所述硅片输送装置2，另外，本实施例中，在机架I上设置有机罩4，机架I的侧面设置有热风机7和中控柜6。
[0024]本实施例使得水膜的设置更加均匀，因此其提高了晶体硅片加工的质量。
[0025]喷淋部件89为板体，所述板体上设置有半球形的注水腔815，所述注水腔815的尺寸较大一端设置在所述板体的上表面，所述注水腔815的尺寸较小一端与所述细孔813连通，所述细孔813的出水口设置在所述板体的下表面。
[0026]板体的下表面且以细孔813为中心设置有横截面为三角形的环形槽817使得所述下表面具有锥形的凸出部816。
[0027]更具体地说，本实施例中注水腔815的上端设置注水加压装置814，一则由于注水加压装置的出水口尺寸较大，因此需要设置一注水腔815与其配合，另外，本实施例中的注水腔815起到缓冲的作用，而且由于其为半球形，而且还可以具有一定的加压作用，环形槽817和凸出部816的设置可以防止在板体的下表面积水，进而影响水膜的均匀地，而且还可以改变水柱喷出的形状，增进喷洒效果。
[0028]喷淋部件89上设置有安装部84，所述微型水栗87安装在所述安装部84上。
[0029I 安装部84上设置有水管86和走线管85，所述水管86的一端与水箱81连通，所述水管86的另一端与所述微型水栗87的入口连通，所述走线管85中设置有导线，所述导线一端连接电源，另一端连接微型水栗87。
[0030]喷淋部件89的两端分别设置有端板88，所述走线管85和水管86的两端固定在端板
88 ο
[0031]上述的结构使得结构更加紧凑，节省了安装空间，使得安装更加方便。
[0032]端板88的内侧表面上设置有第一卡口82和第二卡口 83，所述水管86的端部设置在所述第一卡口 82中，所述走线管85的端部位于所述第二卡口 83中。
[0033]具体地说，本实施例中，走线管85对导线起到保护作用，而且由于本实施例中设置有多个微型水栗87，因此其走线更加方便。还有，本实施例中第一卡口 82和第二卡口 83的内侧为弧形缺口，该弧形缺口与走线管85和水管86的端部刚好配合，另外，第一卡口 82和第二卡口 83的入口呈开口状，可以方便走线管85和水管86放入，方便安装，而且，第一卡口 82和第二卡口 83起到承托的作用，可以使得走线管85和水管86安装更加牢固。
[0034]水箱81上设置有液位计810和进水管811，当水箱81中的水低于液位计810的时候，可以通过进水管811对水箱81进行自动补水。
[0035]安装部84上设置有护罩812，护罩812对整体结构起到保护作用。
[0036]本文中所描述的具体实施例仅仅是对本实施例精神作举例说明。本实用新型所属技术领域的技术人员可以对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代，但并不会偏离本实用新型的精神或者超越所附权利要求书所定义的范围。
【主权项】
1.一种具有水膜保护装置的晶体硅片刻蚀清洗设备，所述刻蚀清洗设备包括机架(I)，所述机架(I)上设置有刻蚀水槽(3)和清洗水槽(5)，所述机架(I)上设置有硅片输送装置(2)，所述硅片输送装置(2)从刻蚀水槽(3)和清洗水槽(5)中穿过，其特征在于，所述机架(I)上且位于所述硅片输送装置(2)的上方设置有水膜保护装置(8)，所述水膜保护装置(8)包括用于储水的水箱(81)、微型水栗(87)和喷淋部件(89)，所述喷淋部件(89)上设置有细孔(813)，所述微型水栗(87)与所述水箱(81)和喷淋部件(89)上的细孔(813)连通且所述微型水栗(87)将水箱(81)中的水注入到细孔(813)中，所述细孔的出水口对着所述硅片输送装置(2)。2.根据权利要求1所述的一种具有水膜保护装置的晶体硅片刻蚀清洗设备，其特征在于，所述喷淋部件(89)为板体，所述板体上设置有半球形的注水腔(815)，所述注水腔(815)的尺寸较大一端设置在所述板体的上表面，所述注水腔(815)的尺寸较小一端与所述细孔(813)连通，所述细孔(813)的出水口设置在所述板体的下表面。3.根据权利要求2所述的一种具有水膜保护装置的晶体硅片刻蚀清洗设备，其特征在于，所述板体的下表面且以细孔(813)为中心设置有横截面为三角形的环形槽(817)使得所述下表面具有锥形的凸出部(816)。4.根据权利要求2或3所述的一种具有水膜保护装置的晶体硅片刻蚀清洗设备，其特征在于，所述喷淋部件(89)上设置有安装部(84)，所述微型水栗(87)安装在所述安装部(84)上。5.根据权利要求4所述的一种具有水膜保护装置的晶体硅片刻蚀清洗设备，其特征在于，所述安装部(84)上设置有水管(86)和走线管(85)，所述水管(86)的一端与水箱(81)连通，所述水管(86)的另一端与所述微型水栗(87)的入口连通，所述走线管(85)中设置有导线，所述导线一端连接电源，另一端连接微型水栗(87)。6.根据权利要求5所述的一种具有水膜保护装置的晶体硅片刻蚀清洗设备，其特征在于，所述喷淋部件(89)的两端分别设置有端板(88)，所述走线管(85)和水管(86)的两端固定在端板(88)。7.根据权利要求6所述的一种具有水膜保护装置的晶体硅片刻蚀清洗设备，其特征在于，所述端板(88)的内侧表面上设置有第一卡口(82)和第二卡口(83)，所述水管(86)的端部设置在所述第一卡口(82)中，所述走线管(85)的端部位于所述第二卡口(83)中。8.根据权利要求7所述的一种具有水膜保护装置的晶体硅片刻蚀清洗设备，其特征在于，所述水箱(81)上设置有液位计(810)和进水管(811)。9.根据权利要求8所述的一种具有水膜保护装置的晶体硅片刻蚀清洗设备，其特征在于，所述安装部(84)上设置有护罩(812)。
【文档编号】H01L21/67GK205621705SQ201620278744
【公开日】2016年10月5日
【申请日】2016年4月5日
【发明人】黄日红, 黄勇
【申请人】昆山浠吉尔自动化系统有限公司