Rgbir图像传感器的制造方法
【专利摘要】本实用新型提供一种RGBIR图像传感器，其包括：N型衬底；位于N型衬底上的外延层；所述外延层中包含若干第一N型区域，做为图像传感器的光电二极管区域；RGBIR彩色滤光膜阵列；光通过RGBIR阵列于N型衬底中形成冗余电子，于N型衬底加正压，抽取冗余电子以防止转移至周围像素单元，减小光电二极管之间的串扰。本实用新型的RGBIR图像传感器，采用N型衬底代替现有技术中的P型衬底，并于N型衬底加正压，抽取N型衬底中的冗余电子以防止转移至周围像素单元，减小光电二极管之间的串扰，提高成像色彩鲜艳度，改善图像质量。
【专利说明】
RGB IR图像传感器
技术领域
[0001]本实用新型涉及图像处理领域，尤其涉及一种RGBIR图像传感器。
【背景技术】
[0002]现有的RGBIR图像传感器通常包括P型衬底，位于P型衬底上的外延层，所述外延层中包含若干N型区域，做为图像传感器的光电二极管区域。由于采用RGBIR彩色滤光膜阵列代替了Bayer模式的RGB彩色滤光膜阵列，该RGBIR彩色滤光膜阵列包括R、G、B、IR四种通道，其中，R通道允许红光和红外光通过，G通道允许绿光和红外光通过，B通道允许蓝光和红外光通过，IR通道仅允许红外光通过，因此R、G、B通道各自接收到的信号分别减去IR通道接收到的信号，即可得到红光、绿光、蓝光单独产生的信号，从而有效去除红外光影响而产生的噪声。然而由于红外光的波长较长，能够进入P型衬底并产生大量冗余电子，这些冗余电子容易转移至周围像素单元，造成光电二极管之间的串扰，并且导致光线亮度过高，成像色彩偏白。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型的目的在于提供一种RGBIR图像传感器，减小光电二极管之间的串扰，提高成像色彩鲜艳度，改善图像质量。
[0004]基于以上考虑，本实用新型提供一种RGBIR图像传感器，其包括:N型衬底;位于N型衬底上的外延层;所述外延层中包含若干第一 N型区域，做为图像传感器的光电二极管区域;RGBIR彩色滤光膜阵列；光通过RGBIR阵列于N型衬底中形成冗余电子，于N型衬底加正压，抽取冗余电子以防止转移至周围像素单元，减小光电二极管之间的串扰。
[0005]优选地，所述外延层为P型外延层。
[0006]优选地，所述外延层为N型外延层，N型衬底与N型外延层之间还设置有P型隔离层。
[0007]优选地，所述RGBIR图像传感器还包括:位于像素阵列周围区域的第二N型区域，所述第二 N型区域与N型衬底连通，于第二 N型区域加正压，适于抽取像素单元中的冗余电子。
[0008]优选地，所述第二N型区域包括:靠近表面的浅N型区域及位于其下部的深N型区域。
[0009]本实用新型的RGBIR图像传感器，采用N型衬底代替现有技术中的P型衬底，并于N型衬底加正压，抽取N型衬底中的冗余电子以防止转移至周围像素单元，减小光电二极管之间的串扰，提高成像色彩鲜艳度，改善图像质量。
【附图说明】
[0010]通过参照附图阅读以下所作的对非限制性实施例的详细描述，本实用新型的其它特征、目的和优点将会变得更明显。
[0011]图1为本实用新型的RGBIR图像传感器的一个实施例的结构示意图；
[0012]图2为本实用新型的RGBIR图像传感器的另一实施例的结构示意图。
[0013]在图中，贯穿不同的示图，相同或类似的附图标记表示相同或相似的装置(模块)或步骤。
【具体实施方式】
[0014]为解决上述现有技术中的问题，本实用新型提供一种RGBIR图像传感器，采用N型衬底代替现有技术中的P型衬底，并于N型衬底加正压，抽取N型衬底中的冗余电子以防止转移至周围像素单元，减小光电二极管之间的串扰，提高成像色彩鲜艳度，改善图像质量。
[0015]在以下优选的实施例的具体描述中，将参考构成本实用新型一部分的所附的附图。所附的附图通过示例的方式示出了能够实现本实用新型的特定的实施例。示例的实施例并不旨在穷尽根据本实用新型的所有实施例。可以理解，在不偏离本实用新型的范围的前提下，可以利用其他实施例，也可以进行结构性或者逻辑性的修改。因此，以下的具体描述并非限制性的，且本实用新型的范围由所附的权利要求所限定。
[0016]图1示出本实用新型的RGBIR图像传感器的一个实施例。该RGBIR图像传感器包括:N型衬底101;位于N型衬底101上的P型外延层102;所述P型外延层102中包含若干第一 N型区域103，做为图像传感器的光电二极管区域;RGBIR彩色滤光膜阵列104。由于采用了 N型衬底101代替现有技术中的P型衬底，并于N型衬底101加正压，抽取N型衬底101中的冗余电子以防止转移至周围像素单元，减小了光电二极管之间的串扰，提高了成像色彩鲜艳度，改善了图像质量。
[0017]优选地，所述RGBIR图像传感器还包括:位于像素阵列周围区域的第二N型区域107，在本实施例中，所述第二N型区域107包括:靠近表面的浅N型区域105及位于其下部的深N型区域106，所述第二 N型区域107与N型衬底101连通，于第二 N型区域107加正压，例如于靠近表面的浅N型区域105加正压，适于抽取像素单元中的冗余电子。
[0018]图2示出本实用新型的RGBIR图像传感器的另一实施例。该RGBIR图像传感器包括:N型衬底201;位于N型衬底上的N型外延层202 ;N型衬底201与N型外延层202之间还设置有P型隔离层208;所述N型外延层中包含若干第一 N型区域203，做为图像传感器的光电二极管区域;RGBIR彩色滤光膜阵列204。由于采用了N型衬底201代替现有技术中的P型衬底，并于N型衬底201加正压，抽取N型衬底201中的冗余电子以防止转移至周围像素单元，减小了光电二极管之间的串扰，提高了成像色彩鲜艳度，改善了图像质量。
[0019]优选地，所述RGBIR图像传感器还包括:位于像素阵列周围区域的第二N型区域207，在本实施例中，所述第二N型区域207包括:靠近表面的浅N型区域205及位于其下部的深N型区域206，所述第二 N型区域207与N型衬底201连通，于第二 N型区域207加正压，例如于靠近表面的浅N型区域205加正压，适于抽取像素单元中的冗余电子。
[0020]本实用新型的RGBIR图像传感器，采用N型衬底代替现有技术中的P型衬底，并于N型衬底加正压，抽取N型衬底中的冗余电子以防止转移至周围像素单元，减小光电二极管之间的串扰，提高成像色彩鲜艳度，改善图像质量。
[0021]对于本领域技术人员而言，显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本实用新型的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本实用新型。因此，无论如何来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的。此外，明显的，“包括”一词不排除其他元素和步骤，并且措辞“一个”不排除复数。装置权利要求中陈述的多个元件也可以由一个元件来实现。第一，第二等词语用来表示名称，而并不表示任何特定的顺序。
【主权项】
1.一种RGBIR图像传感器，其特征在于，其包括: N型衬底； 位于N型衬底上的外延层;所述外延层中包含若干第一 N型区域，做为图像传感器的光电二极管区域； RGBIR彩色滤光膜阵列； 光通过RGBIR阵列于N型衬底中形成冗余电子，于N型衬底加正压，抽取冗余电子以防止转移至周围像素单元，减小光电二极管之间的串扰。2.根据权利要求1所述的RGBIR图像传感器，其特征在于，所述外延层为P型外延层。3.根据权利要求1所述的RGBIR图像传感器，其特征在于，所述外延层为N型外延层，N型衬底与N型外延层之间还设置有P型隔离层。4.根据权利要求1所述的RGBIR图像传感器，其特征在于，还包括:位于像素阵列周围区域的第二 N型区域，所述第二 N型区域与N型衬底连通，于第二 N型区域加正压，适于抽取像素单元中的冗余电子。5.根据权利要求4所述的RGBIR图像传感器，其特征在于，所述第二N型区域包括:靠近表面的浅N型区域及位于其下部的深N型区域。
【文档编号】H01L27/146GK205621735SQ201620270509
【公开日】2016年10月5日
【申请日】2016年4月5日
【发明人】李 杰, 赵立新, 李文强, 李强
【申请人】格科微电子（上海）有限公司